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디지털집적회로설계 실습 3주차 보고서2025.05.161. NMOS 단과 GND n-diff, ndc, poly를 이용해 NMOS를 그리며, n-diff는 실리콘 웨이퍼에 n-type 도펀트를 도입하고, ndc는 n-diff와 poly를 연결하는 역할을 한다. poly는 gate 역할을 하며, pwc는 GND와 p-substate 사이의 연결 역할을 한다. metal은 wire 역할을 한다. NMOS 단은 Boolean Equation에 따라 직렬로 연결되어야 한다. 2. PMOS 단과 VDD n-well, p-diffusion, pdc와 poly를 이용해 PMOS를 그리며, meta...2025.05.16
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홍익대학교 집적회로설계 최종프로젝트2025.04.261. 3-stage Pseudo-Differential Ring Oscillator 프로젝트는 3-stage Pseudo-Differential Ring Oscillator와 Frequency Divider 회로를 설계하는 것이다. 먼저 PMOS와 NMOS의 크기 비율을 3:1로 설정하고, TSPC D-Flip Flop 구조를 사용하여 Frequency Divider를 구현하였다. 회로의 Capacitance 성분을 고려하여 Duty Cycle을 50%로 맞추기 위해 노력하였다. 또한 Cross Coupled Inverter를 활용...2025.04.26
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컴퓨터구조_컴퓨터구조 과제12025.01.241. 레지스터 수와 비트 수 결정 컴퓨터의 중앙처리장치(CPU)를 설계할 때 레지스터의 수와 비트 수를 결정하는 것은 매우 중요한 문제이다. 레지스터는 매우 빠르게 작동하는 메모리로, CPU의 성능을 결정하는 핵심 요소 중 하나이지만, 주기억장치에 비해 고가이기 때문에 비용적인 측면도 고려해야 한다. 따라서 레지스터의 수와 비트 수를 결정할 때는 성능과 비용의 균형을 맞추는 것이 중요하다. 2. 개발 시간과 노력 레지스터의 수와 비트 수를 결정하는 데 있어 첫 번째로 고려해야 할 요소는 개발 시간과 노력이다. 레지스터는 CPU 내부...2025.01.24
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디지털공학개론(디지털IC의 기본 특성, 조합논리회로와 기본플립플롭회로)2025.01.091. 집적회로(IC)의 개념 집적회로(IC)는 트랜지스터, 저항기 및 커패시터와 같은 구성 요소를 포함한 개념으로 단일 반도체 재료에 통합된 소형 전자 회로를 의미한다. 이는 반도체의 기판에 다수의 능동소자와 수동수자를 초소형으로 집적, 서로 분리 될 수 없는 구조로 만든 기능소자로 개별소자의 경우 특정한 역할을 수행 하기 힘들어 이것들을 수백~수백만개로 구성하여 CPU나 RAM처럼 특별한 기능을 갖도록 하나로 집적시킨 것을 의미한다. 2. 집적회로(IC)의 종류 집적회로(IC)의 종류에는 아날로그IC, 디지털IC, 혼합신호IC, ...2025.01.09
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반도체 부품 장비 융합 개론 - 노트정리 & 기출문제 포함2025.01.181. 반도체 기본 특성 반도체의 기본적인 특성에 대해 설명하고 있습니다. 마이크로 패브리케이션 공정을 활용한 집적회로, MEMS 센서, 태양광 패널 등의 예시를 제시하고 있습니다. in-plane과 out-of-plane의 차이, 트랜지스터의 발전, 무어의 법칙, 반도체 8대 공정 등을 다루고 있습니다. 또한 클린룸 시설의 중요성과 기준, 실리콘 웨이퍼 직경 증가 추세와 그에 따른 이슈 등을 설명하고 있습니다. 2. 3D 반도체 트렌드 집적도를 높이기 위해 웨이퍼 표면에 수직방향으로 소재를 쌓아올리는 3D 반도체 기술에 대해 설명하...2025.01.18
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 52025.01.041. BJT와 MOSFET을 이용한 RTL switch 회로 설계 및 구현 이 보고서의 목적은 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하여 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 것입니다. 준비물로는 Function Generator, Oscilloscope, DC Power Supply, BJT, LED, MOSFET, 저항 등이 필요합니다. 설계 계획으로는 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하고...2025.01.04
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중앙대학교 아날로그및디지털회로설계실습 9차 예비보고서2025.01.061. 전가산기 설계 전가산기는 입력 A, B와 이전 연산의 carry bit Cin을 더하여 생긴 합 S와 그때 발생한 carry bit Cout을 출력한다. Karnaugh 맵을 이용하여 간소화된 Sum of product 또는 Product of sum 형태의 불리언 식을 구하고, 2-level AND-OR(NAND-NAND) 또는 OR-AND(NOR-NOR) 로직 회로를 설계하였다. 또한 XOR gate를 이용하여 보다 간소화된 다단계 조합 논리 회로를 설계하였다. 2. 2-Bit 가산기 회로 설계 2-Bit 가산기는 두 개의...2025.01.06
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반도체공정개론 (반도체공학 이론 전량 필기본)2025.05.111. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정에 대한 전반적인 내용을 다루고 있습니다. IC 제작 공정, 클린룸 기본, 웨이퍼 처리 공정, 박막 증착, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 열처리 등 반도체 제조에 필요한 다양한 공정 단계를 설명하고 있습니다. 2. 반도체 소자 구조 및 특성 반도체 소자의 구조와 특성에 대해 다루고 있습니다. MOSFET, BJT, DRAM 등 주요 반도체 소자의 구조와 동작 원리, 특성 등을 설명하고 있습니다. 또한 SOI, 스트레인 실리콘 등 최신 반도체 기술도 소개하고 있습니다. 3. 열처리 공정 반도...2025.05.11
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[전자공학응용실험]12주차_8차실험_실험 20 차동 증폭기 기초 실험_예비레포트_A+2025.01.291. MOSFET 차동 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 사용한 차동 쌍의 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 기본적인 측정을 통해 검증하고자 합니다. 또한 부하 저항을 연결한 MOSFET 차동 증폭 회로를 구성하여 특성을 분석합니다. 차동 증폭기는 집적회로 설계에서 중요한 기본 회로 중 하나로, 능동 부하와 전류 거울 회로를 이용하여 설계할 수 있습니다. 1. MOSFET 차동 증폭기 MOSFET 차동 증폭기는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역할을 합니다. 이 회로는 두 개의 MOSFET 트랜지스터를 사용하여 입력 신호를 증폭하...2025.01.29
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아날로그 및 디지털 회로 설계실습 예비보고서 4주차2025.01.171. 전압제어 발진기 전압제어 발진기(VCO: Voltage Controlled Oscillator)를 설계하고 전압을 이용한 발진 주파수의 제어를 실험으로 확인한다. 슈미츠 회로의 특성을 실험하고, 시뮬레이션 도구를 이용하여 슈미트 트리거 회로를 설계한다. 또한 전압제어 발진기 회로를 설계하고 출력 파형을 관찰하며, 전압 변화에 따른 주파수 변화를 그래프로 나타낸다. 중심 주파수 2kHz가 되도록 회로를 설계하고, 슈미츠 회로의 저항비와 커패시터 값 변화에 따른 출력 파형 변화를 관찰한다. 1. 전압제어 발진기 전압제어 발진기(V...2025.01.17
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