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MOSFET의 특성 실험2025.05.111. MOSFET의 동작 원리 MOSFET 소자는 게이트의 전압을 인가시켜 드레인과 소스 사이에 채널을 형성하고, 그 채널을 통해 전류가 흐르게 하는 소자이다. 게이트, 드레인, 소스, 바디의 4단자로 구성되어 있으며, 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하게 된다. 2. MOSFET의 드레인 특성곡선 실험 결과에 따르면 V_GS값이 3V까지는 I_D가 급격하게 증가하다가 4V 이후부터는 기울기가 감소하여 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 이로 미루어 보아 핀치오프 전압은 약 4V라고 할 수 있고...2025.05.11
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
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전자회로 실험 12. JFET의 특성 실험2025.05.111. JFET의 동작 원리 JFET 소자는 게이트와 소스 사이의 역방향 바이어스 전압의 크기에 의해 드레인 전류를 제어함으로써 드레인단에 증폭된 전압을 얻는 전압제어형 소자이다. 이 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하게 된다. 2. JFET의 드레인 특성곡선 실험 결과 V_DS가 3.0V~6.0V사이에서는 I_D가 거의 변하지 않는 것으로 보아, 일정 전류원을 가지는 영역이라고 볼 수 있고, 이러한 점의 전압을 핀치오프 전압이라고 한다. 따라서 핀치오프 전압은 약 3.0V라고 할 수 있다. 3...2025.05.11
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JFET의 특성 실험2025.05.111. JFET의 동작 원리 JFET 소자는 게이트와 소스 사이의 역방향 바이어스 전압의 크기에 의해 드레인 전류를 제어함으로써 드레인단에 증폭된 전압을 얻는 전압제어형 소자이다. 이 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하게 된다. 2. JFET의 드레인 특성곡선 실험 결과 V_DS가 3.0V~6.0V사이에서는 I_D가 거의 변하지 않는 것으로 보아, 일정 전류원을 가지는 영역이라고 볼 수 있고, 이러한 점의 전압을 핀치오프 전압이라고 한다. 따라서 핀치오프 전압은 약 3.0V라고 할 수 있다. 3...2025.05.11
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전자공학실험 7장 이미터 팔로워 A+ 예비보고서2025.01.131. 이미터 팔로워 이미터 팔로워는 출력 임피던스가 작기 때문에 작은 부하 저항을 구동하는 데 많이 사용된다. 이 실험에서는 이미터 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 이미터 팔로워 회로에서 입력은 베이스 단자에 인가되고, 출력은 이미터 단자에서 감지된다. 컬렉터 단자가 공통이므로, 공통-컬렉터 증폭기라고 할 수 있다. 출력 신호가 입력 신호를 따라가기 때문에 '이미터 팔로워'라는 용어를 더 많이 사용한다. 또한 출력 신호의 DC 레벨이 입력 신호의 DC레벨에서 V_BE만큼...2025.01.13
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[반응현상실험]고체건조 결과레포트2025.01.171. 고체 건조 실험 이 보고서는 고체 건조 실험의 결과를 다루고 있습니다. 실험에서는 비등석과 활성탄을 사용하여 온도와 풍속 변화에 따른 건조 특성을 분석하였습니다. 건조 실험 곡선과 건조 특성 곡선을 그려 한계 함수율과 평형 함수율을 구하였고, 항률 건조 기간의 건조 속도를 계산하여 열전달 계수를 도출하였습니다. 또한 온도와 풍속 변화에 따른 건조 속도의 영향을 설명하였습니다. 1. 고체 건조 실험 고체 건조 실험은 다양한 산업 분야에서 중요한 역할을 합니다. 이 실험을 통해 물질의 수분 함량을 측정하고 건조 특성을 이해할 수 ...2025.01.17
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[전자공학응용실험]10주차_6차실험_실험 17 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기_예비레포트_A+2025.01.291. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 전류원 부하를 PMOS 트랜지스터 M2를 이용하여 구현한 공통 소오스 증폭기 회로를 구성하고, 이를 바탕으로 공통 소오소 증폭기의 전압 이득을 구하고자 합니다. 입력에 따라서 M1에 흐르는 전류와 부하에 흐르는 전류가 같아지는 출력을 구할 수 있고, 이를 통해 전달 특성 곡선을 구할 수 있습니다. 1. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기는 전자 회로 설계에서 널리 사용되는 중요한 회로 구조입니다. 이 증폭기는 입력 신호를 증폭하여 출력 ...2025.01.29
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반응현상 고체건조실험2025.01.161. 재료의 함수율(moisture content) 수분율 함유하고 있는 고체로부터 열에 의하여 고체 중의 수분을 기화증발시켜 제거하는 조작으로서 습윤재료의 중량을 W_w [kg], 건조재료의 중량을 W_d [kg]이라고 하면 수분(x)과 함수율(w)은 각각 (15-1)과 (15-2)식으로 정의된다. 고체 중의 습윤기체와 평형상태에서 남아 있는 수분함량을 평형함수율(equilibrium moisture content, )이라 하고, 고체가 가진 전체 함수율과 평형함수율의 차를 자유함수율(free moisture content, F)...2025.01.16
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RLC 직렬회로 결과보고서2025.01.121. RLC 직렬회로 이번 실험은 RLC 직렬회로를 이용하여 공진주파수를 측정해보고, 차단주파수, 대역폭, 양호도 등을 측정해보는 실험이었습니다. 주파수를 바꾸어가며 전압이 최대가 되는 지점을 찾고 공진주파수를 측정하였습니다. 공진주파수란 임피던스 Z가 최소가 되며 전류 I가 최대로 증가하는 지점을 의미합니다. 커패시터와 인덕터의 리액턴스 특성으로 인해 어느 한 지점에서 교차하게 되며, 이때 공진주파수가 발생합니다. 또한 공진주파수일 때 파형은 동상형태의 파형이 나오며, 공진주파수보다 낮으면 출력파형이 앞서고 공진주파수보다 크면 출...2025.01.12
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MOSFET 소자 특성 측정 결과보고서2025.04.271. MOSFET 소자 특성 측정 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계효과 금속 트랜지스터인 MOSFET을 사용하여 소자 특성을 측정할 수 있게 설계하고 제작하였다. 그 특성값을 이론값과 비교한 결과 4%이하의 오차로 잘 일치하는 것을 확인하였다. 2. MOSFET 회로 제작 및 측정 그림 1의 회로를 제작하여 Vgs를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 Vds를 인가하는 Port의 전류를 측정하였다. 측정한 전류가 130mA 이상이 되면 측정을 중지하였다. 3. MOSFET의 Id-Vds 특성곡...2025.04.27
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