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탄소나노튜브(CNT)와 전계 방출 디스플레이(FED)2025.01.031. 탄소나노튜브(CNT) 탄소나노튜브(CNT)는 1991년 발견되어 재료 과학에 큰 발전을 가져왔다. CNT는 무게가 강철의 6분의 1임에도 불구하고 100배 이상의 강도를 가지며, 열 전도성과 전기 전도성이 구리보다 훨씬 뛰어나다. CNT는 다양한 구조를 가지며, 주로 SWNT(Single-walled Nanotube)와 MWNT(Multi-walled Nanotube) 두 가지로 분류된다. CNT는 Arc Discharge, Laser Ablation, Chemical Vapor Deposition 등의 방법으로 제작할 수 있...2025.01.03
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경희대학교 기계공학과 기계공학실험 (기공실) A+ 보고서_LED제어(LAB VIEW 응용)2025.05.071. 다이오드 다이오드를 한마디로 정의하면, 내부 저항의 차이로 전류의 흐름을 한쪽으로 주기위해 사용하는 전기 소자이다. 하나의 장치에 2개의 단자를 갖고 있는 특징이 있으며 다이오드에서 전류가 잘 흐르는 방향을 순방향, 반대로 전류가 잘 흐르지 않는 방향을 역방향이라고 한다. 다이오드는 전류를 한쪽으로만 흘리므로 교류(alternating current, AC)를 직류(direct current, DC)로 변환하는데 사용하기도 하며, 전압 차이를 이용하여, 커페시턴스를 조절하는 가변용량 다이오드도 있다. 2. LED 이번 실험에 ...2025.05.07
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반도체소자공학 이론(BJT, FET)2025.05.111. 반도체 소자 반도체 소자의 기본 원리와 구조에 대해 설명합니다. 주요 내용으로는 pn 접합, 전하 캐리어, 전계 효과 트랜지스터(FET) 등이 포함됩니다. 2. 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT) 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)의 동작 원리와 특성에 대해 설명합니다. 주요 내용으로는 에미터-베이스 접합, 베이스-콜렉터 접합, 전하 캐리어 흐름 등이 포함됩니다. 3. 전계 효과 트랜지스터(FET) 전계 효과 트랜지스터(FET)의 동작 원리와 특성에 대해 설명합니다. 주요 내용으로는 채널, 게이트, 소스, 드레인 등의 구조와 전하...2025.05.11
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[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체] [김ㅇㅇ 교수님] 2022 HW042025.05.031. Si pn 접합 다이오드 상온에서 동작하는 실제의 Si pn 접합 다이오드에서는 접합 면에서의 도핑 분포가 완전한 계단형이 아니다. 따라서 금속학적 접합 근처에서는 전자와 정공 사이에 보상효과가 일어날 수 있다. 이러한 보상효과에 의하여 평형 상태의 공핍층 내에서의 이온화된 도펀트들의 분포가 근사적으로 선형 함수로 주어진다고 가정한다. 2. 체적 전하밀도 체적 전하밀도 Qv를 구하고 그래프로 나타낸다. 3. 전계 전계 E와 최대 전계 Emax를 구하고 그래프로 나타낸다. 4. 전위 전위 V와 내부 전위 Vi를 구하고 그래프로 ...2025.05.03
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 7장 연습문제 풀이2025.01.091. JFET 바이어스 JFET은 게이트-소스 전압(Vgs)에 따라 차단 상태와 도통 상태가 결정됩니다. Vgs가 음의 값이면 JFET은 차단 상태가 되어 드레인 전류(Id)가 흐르지 않습니다. Vgs가 양의 값이면 JFET은 도통 상태가 되어 Id가 흐르게 됩니다. 따라서 JFET의 동작 상태는 Vgs에 의해 결정됩니다. 2. MOSFET 바이어스 MOSFET은 게이트-소스 전압(Vgs)에 따라 동작 상태가 결정됩니다. Vgs가 문턱 전압(Vth) 이상이면 MOSFET이 도통되어 드레인 전류(Id)가 흐르게 됩니다. Vgs가 Vt...2025.01.09
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JFET 특성2025.04.301. JFET JFET은 Junction Field Effect Transistor의 약자로써 접합형 전계효과 트랜지스터를 의미한다. JFET은 전류를 통해 제어하는 BJT와 달리 전압을 조절해 제어하는 소자이며, 또한 Majority carrier와 Minority carrier를 모두 이용하는 BJT와 달리 Majority carrier만 이용하는 Unipolar 소자이다. JFET은 N채널 형과 P채널 형으로 나뉘며, 각각의 단자는 Gate, Drain, Source라는 이름을 가진다. JFET의 작동원리는 Drain과 Sou...2025.04.30
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기초전자실험 - 24장 전류원 및 전류 미러 회로2025.04.301. 전계효과 트랜지스터 (JFET) JFET는 전압을 증폭시키는 트랜지스터로, 유니폴라 소자이며 한 종류의 캐리어에 의해 전류가 형성된다. JFET는 BJT보다 온도적으로 더 안정되어 있어 트랜지스터의 손상 위험이 큰 직접회로에 많이 사용된다. JFET의 특성으로는 V_GS=0V, V_DS>0일 경우 n채널의 내부 전자들이 양의 전위인 드레인쪽으로 이동하여 소스방향으로 전류가 흐르며, V_GS<0V일 경우 소스쪽의 공핍영역이 커져 n채널의 전자흐름을 방해하여 전류량이 0A가 된다. 2. 전류원 전류원은 부하의 조건에 상관없이 항상...2025.04.30
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2023-1 정보소자물리실험 레포트2025.05.111. 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT) 박막 트랜지스터는 박막 증착에 의해 만들어진 전계 효과 트랜지스터(FET)입니다. 박막 트랜지스터는 OLED나 LCD와 같은 디스플레이의 제작에 사용되고, 한 픽셀의 액정 배열 상태를 조절해 픽셀의 색을 결정하는 역할을 합니다. 박막 트랜지스터는 게이트, 소스, 드레인으로 구성되며, 게이트 전압에 의해 통제되는 전류 흐름을 이용하여 작동합니다. 2. IGZO IGZO는 Indium, Gallium, Zinc, Oxide의 준말입니다. 규소반도체 기반의 박막 트랜지...2025.05.11
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MOSFET 실험 2-Single Stage Amplifier 1_예비레포트2025.01.121. MOSFET MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)는 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계 효과 트랜지스터(FET)입니다. MOSFET은 N형 반도체나 P형 반도체 재료의 채널로 구성되어 있고, 이 재료에 따라서 NMOSFET이나 PMOSFET, 두 가지를 모두 가진 소자를 CMOSFET(Complementary MOSFET)으로 분류합니다. MOSFET은 축전기에 의한 전하 농도의 변화에 기초를 두고 있으며, 두 개의 단자(소스와 드레인)는 각각 ...2025.01.12
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실험 09_MOSFET 기본 특성 결과보고서2025.04.281. MOSFET 기본 특성 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있습니다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소오스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있습니다. 이 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하였습니다. 2. NMOS와 PMOS의 문턱 전압 차이 NMOS의 ...2025.04.28
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