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양극성 접합 트랜지스터(BJT)의 특성 및 제어2025.11.181. 역포화 전류(Reverse Saturation Current) 역포화 전류 I0는 pn 접합에서 전자와 정공이 이동할 때 발생하는 매우 작은 값입니다. 소수 캐리어의 농도를 증가시키면 I0가 증가하며, 이는 접합 주변의 전자-정공 쌍(EHP) 생성률이 I0를 결정하기 때문입니다. 밴드갭보다 큰 에너지의 빛을 주입하거나 소수 캐리어를 도입하여 I0를 증가시킬 수 있습니다. 2. 컬렉터 전류(Collector Current) 제어 p-n-p 트랜지스터에서 VEB에 순방향 바이어스를 적용하고 VCB에 역방향 바이어스를 적용하면 에미...2025.11.18
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전자재료물성 실험 및 설계 2 - BJT 및 MOSFET 특성2025.11.181. BJT(양극성 접합 트랜지스터)의 전기적 특성 BJT는 전류 제어용 소자로 PNP, NPN 구조로 나뉜다. 세 개의 전극(이미터, 베이스, 컬렉터)으로 구성되며, 베이스 전류에 의해 컬렉터 전류가 제어된다. BJT는 차단영역, 활성영역, 포화영역, 역활성영역의 네 가지 동작영역을 가지며, 활성영역에서 증폭 기능을 수행한다. 온도 증가에 따라 캐리어 수가 증가하여 전기전도도가 증가하고 문턱전압이 낮아진다. 2. BJT 증폭기 회로의 종류 및 특성 BJT 증폭기는 접지 위치에 따라 공통 이미터(CE), 공통 베이스(CB), 공통 ...2025.11.18
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pn junction 에너지밴드2025.05.081. p-n Junction의 정성적 설명 반도체 p-n 접합의 형성 원리를 정성적으로 설명하였습니다. p-n 접합이 형성되면 n형과 p형 사이에 에너지 밴드의 휘어짐이 발생하여 에너지 장벽이 생성됩니다. 이 에너지 장벽으로 인해 전자의 이동이 제한되어 전류가 잘 흐르지 않게 됩니다. 2. p-n Junction의 정량적 설명 p-n 접합부에서의 푸와송 방정식을 풀이하여 열평형 상태에서의 에너지 다이어그램을 도출하였습니다. 공핍층 내부의 전하 밀도 분포와 전계 분포를 분석하여 에너지 밴드 구조를 정량적으로 설명하였습니다. 3. p-...2025.05.08
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트랜지스터 실습22025.01.041. 트랜지스터의 동작 영역 이번 실습에서는 양극성 접합 트랜지스터의 세 가지 동작 영역(컷오프 영역, 활성 영역, 포화 영역)에 대해 실습하였습니다. 컷오프 영역에서는 베이스-에미터 전압이 낮아 콜렉터 전류가 흐르지 않으며, 활성 영역에서는 베이스 전류에 비례하여 콜렉터 전류가 흐르는 것을 확인하였습니다. 포화 영역에서는 베이스-에미터 전압이 높아져 콜렉터 전류가 더 이상 증가하지 않는 것을 관찰하였습니다. 2. 트랜지스터의 정전류원 회로 활성 영역에서 트랜지스터의 콜렉터 전류는 베이스 전류에만 비례하므로, 베이스-에미터 전압을 ...2025.01.04
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전류원 및 전류 미러 회로 실험2025.11.171. 전류 미러 회로 집적회로에서 공통의 정전류원으로 생성된 기준 전류를 복사하여 각 회로에 일정 전류를 공급하는 회로. NPN 또는 PNP 트랜지스터 사용 여부와 부하저항 위치에 따라 전류 싱크형과 전류 소스형으로 구분된다. 두 트랜지스터의 베이스-에미터 전압(VBE)이 동등하면 에미터 전류와 콜렉터 전류도 같아져 전류가 복사되는 원리로 동작한다. 2. JFET 전류원 JFET를 이용한 전류원 회로로, 부하저항(RL) 값을 변경하며 드레인-소스 간 전압(VDS)과 부하전류(IRL)를 측정하는 실험. 51Ω에서 20Ω, 82Ω, 1...2025.11.17
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다이오드의 특성 및 정류회로2025.05.161. 다이오드 다이오드는 반도체 소자의 일종으로, 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 특성을 가지고 있습니다. 다이오드에는 게르마늄 다이오드와 실리콘 다이오드가 있으며, 이들은 P-N 접합 구조로 이루어져 있습니다. 다이오드의 양극(양극성)과 음극(음극성)은 각각 P 영역과 N 영역으로 구분됩니다. 다이오드가 순방향 바이어스 상태일 때 전류가 흐르며, 역방향 바이어스 상태일 때는 전류가 흐르지 않습니다. 2. LED LED(Light Emitting Diode)는 다이오드의 일종으로, P-N 접합 구조를 가지고 있습니다. 전류가 흐르...2025.05.16
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A+받은 접합다이오드 예비레포트2025.05.101. 반도체 반도체는 비저항값이 도체와 절연체의 중간값을 갖는 전자 재료를 뜻한다. 이러한 반도체는 외부 환경 조건에 덜 민감하고 견고하며, 전력 소비가 작고, 발열이 적은 장점이 있다. 대부분의 반도체는 밴드갭이 게르마늄(Ge)보다 비교적 커 열에 의한 변화에 덜 민감한 실리콘(Si)으로 만들어지고 있다. 고순도의 실리콘으로 만들어진 반도체는 비저항이 크므로, 불순물(impurity)를 첨가함으로써 비저항을 낮춰 전기 전도를 높인다. 이렇게 불순물의 종류와 양을 제어해서 반도체에 첨가하는 것을 도핑(doping)이라 하며, 이러한...2025.05.10
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다이오드 특성 실험 예비보고서2025.11.171. PN 접합 다이오드 P형과 N형 반도체를 접합시킨 다이오드의 구조와 동작 원리를 설명합니다. 접합면에서 자유전자와 정공의 확산으로 인해 공핍층이 형성되며, 이는 양이온과 음이온으로 이루어진 전하 공백 영역입니다. 순방향 바이어스 시 N형에 음극, P형에 양극을 연결하여 전류가 흐르게 하고, 역방향 바이어스 시 극성을 반대로 연결하여 공핍층을 확대시킵니다. 역방향에서도 소수캐리어에 의한 미소 전류가 흐르게 됩니다. 2. 다이오드 특성곡선 및 문턱전압 실리콘(Si) 다이오드의 문턱전압은 약 0.65V이고 게르마늄(Ge) 다이오드는...2025.11.17
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건국대학교 전기전자기초실험2 트랜지스터2 예비레포트 결과레포트2025.01.291. 트랜지스터 증폭 회로 종류 양극성 트랜지스터 증폭 회로는 고전압 신호와 전류를 증폭할 때 사용되며, 공통 증폭 회로는 이미터, 베이스, 컬렉터 중 하나가 공통으로 연결된다. 스위치 증폭 회로는 트랜지스터를 스위치로 사용하여 디지털 신호를 증폭한다. 2. 트랜지스터 공통 이미터 증폭기 회로의 바이어스 방법 트랜지스터 공통 이미터 증폭기 회로에서는 베이스-이미터 접합에 양의 전압(VBE)을 가하고, 바이어스 전압을 조절하여 베이스 전류를 원하는 값으로 설정한다. 그 후 컬렉터 전압을 VBE보다 크게 설정하고, 저항을 이용하여 트랜...2025.01.29