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숭실대학교 신소재공학실험2 Oxidation 공정 결과보고서2025.01.211. ALD를 통한 TiO2 박막 형성 실험에서는 ALD 공정을 통해 p-type Si 기판과 p++-type Si 기판에 TiO2 박막을 형성하였다. 기판의 도핑 농도에 따라 증착된 박막의 두께가 달랐는데, 도핑이 적은 p-Si 기판에 비해 도핑이 많은 p++-Si 기판에서 상대적으로 박막이 얇게 형성되었다. 이는 도핑이 TiO2의 확산을 방해하거나 충돌을 유발하기 때문인 것으로 분석된다. 2. TiO2 박막 두께 측정 TiO2 박막의 두께는 Ellipsometry와 XRF 장비를 사용하여 측정하였다. 두 장비의 측정 원리가 다르...2025.01.21
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스퍼터링(Sputtering) 이론레포트2025.05.081. 스퍼터링 기법의 장점 스퍼터링 기법은 CVD 기법에 비해 저온 증착이 가능하며, 열에 약한 물질이나 고융점 물질에도 쉽게 박막을 형성할 수 있다. 또한 넓은 면적에서 균일한 두께의 박막 증착이 가능하고, 박막 두께 조절이 쉬우며 성분 조절이 용이하다. 하향 증착과 수평 방향 증착이 가능하고, 진공 증착 기법에 비해 박막의 순도가 높다. 2. 스퍼터링 기법의 단점 스퍼터링 기법의 단점은 증착 속도가 다소 느리고, Ar 이온이 타겟 표면과 화학 반응을 하여 화합물 층을 형성할 수 있어 증착 속도에 영향을 줄 수 있다. 또한 고전압...2025.05.08
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반도체공정개론 (반도체공학 이론 전량 필기본)2025.05.111. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정에 대한 전반적인 내용을 다루고 있습니다. IC 제작 공정, 클린룸 기본, 웨이퍼 처리 공정, 박막 증착, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 열처리 등 반도체 제조에 필요한 다양한 공정 단계를 설명하고 있습니다. 2. 반도체 소자 구조 및 특성 반도체 소자의 구조와 특성에 대해 다루고 있습니다. MOSFET, BJT, DRAM 등 주요 반도체 소자의 구조와 동작 원리, 특성 등을 설명하고 있습니다. 또한 SOI, 스트레인 실리콘 등 최신 반도체 기술도 소개하고 있습니다. 3. 열처리 공정 반도...2025.05.11
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금오공대 신소재 박막공학 기말고사 범위 정리2025.01.271. 진공 기초 및 진공 시스템 진공은 기체 분자의 밀도가 대기압보다 낮은 상태를 의미한다. 진공 펌프는 러핑 펌프와 고진공 펌프로 구분되며, 러핑 펌프는 건식 메커니컬 펌프와 송풍기/부스터 펌프로 나뉜다. 고진공 펌프에는 터보분자펌프와 크라이오펌프가 있다. 터보펌프는 기계적 압축 원리로 작동하며, 크라이오펌프는 고진공과 최고진공 범위에서 펌핑 작용을 할 수 있다. 2. 화학 기상 증착법(CVD) 화학 기상 증착법은 가스 혼합물의 화학적 반응을 통해 기판 위에 고체 박막을 증착하는 공정이다. 균질 반응과 비균질 반응으로 구분되며, ...2025.01.27
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반도체 취업] 8대공정 간단 정리 및 추가 개념 상세 설명2025.01.181. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정은 크게 웨이퍼 제조, 전공정, 후공정으로 나뉩니다. 웨이퍼 제조 공정에서는 실리콘 웨이퍼를 만들고, 전공정에서는 웨이퍼 위에 회로를 형성하며, 후공정에서는 테스트와 패키징을 진행합니다. 8대 핵심 공정은 산화, 포토, 식각, 박막증착, 금속배선, 전기적 테스트, 패키징 등입니다. 각 공정에서는 다양한 기술이 활용되며, 최근 EUV 리소그래피, ALD 등의 기술이 도입되고 있습니다. 2. 포토리소그래피 공정 포토리소그래피 공정은 반도체 소자의 집적도를 높이는 핵심 공정입니다. 이 공정에서는 마...2025.01.18
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반도체 공정 term project2025.05.101. DC/RF sputtering 스퍼터링은 Chamber내에 공급되는 가스에서 발생되는 전자 사이의 충돌로부터 시작된다. 그 과정을 보면 Vacuum Chamber내에 Ar gas와 같은 불활성기체를 약 2~5mTorr 넣는다. 음극에 전압을 가하면 음극에서부터 방출된 전자들이 Ar기체원자와 충돌하여, Ar을 이온화시킨다. Ar이 들뜬 상태가 되면서 전자를 방출하면, 에너지가 방출되며 이때 글로우방전이 발생하여 이온과 전자가 공존하는 보라색의 플라즈마를 보인다. 플라즈마 내의 이온은 큰 전위차에 의해 음극인 target쪽으로 가...2025.05.10
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AMOLED Tooling Process & 막 두께 측정 report (A+)2025.05.121. 진공 (Vacuum) 진공은 밀폐된 공간에서 주변의 압력보다 낮은 압력으로 유지되는 상태를 말한다. 진공 조건의 장점으로는 깨끗한 환경 조성, 낮은 분자 밀도, 분자 간 충돌 거리 확장, 반응 속도 가속화, 힘 가하기 등이 있다. 이번 실험에서 사용한 진공 챔버의 진공 범위는 10^-6 ~ 10^-7 Torr 정도이다. 2. Compressibility factor Compressibility factor는 실제 기체의 상태 방정식을 나타내는 계수로, 압력, 기체 밀도, 기체 상수, 몰질량, 절대온도 등의 관계를 나타낸다. 이...2025.05.12
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AMOLED 소자 및 공정 실험 보고서2025.05.121. AMOLED 소자 제작 실험 목표는 spin coater를 이용한 고분자 기반 OLED 제작 및 특성 평가입니다. 실험 장비로는 Thermal evaporation, Spin coater, CS-2000(측정장비)가 사용되었습니다. 실험 과정에서는 ITO 전극 패터닝, 기판 세척, UVO 처리, PEDOT:PSS, PFO, LiF, Al 증착 등의 단계를 거쳤습니다. 실험 결과 분석을 통해 PFO 발광층의 두께 및 구조에 따른 휘도 특성 차이, UVO 처리에 따른 표면 에너지 변화와 균일성 향상 등을 확인할 수 있었습니다. 2...2025.05.12
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Four-point probe법을 이용한 유/무기 전극의 전기전도도 측정 실험 (결과)2025.05.121. Four-point probe 방법을 이용한 전기전도도 측정 Four-point probe 방법을 이용하여 무기 박막(Ag)과 유기 박막(PEDOT:PSS + DMSO 5wt%)의 전기전도도를 측정하였다. 무기 박막의 경우 고유 저항은 2.426*10-8Ω·m, 전기 전도도는 0.412*108S/m로 나타났다. 유기 박막의 경우 스핀 코팅 속도에 따라 두께가 달라지며, 이에 따라 면 저항, 고유 저항, 전기 전도도 값이 변화하였다. DMSO 첨가로 인해 유기 박막의 전기 전도도가 크게 향상되었다. 2. 스핀 코팅을 통한 유기 ...2025.05.12
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[신소재공학과]구리호일제작_신소재공학실험III_A+2025.05.101. 구리 전기도금 구리 전기도금은 컴퓨터 칩, 반도체, 전자, 통신부품 등 다양한 분야에서 사용되며, 부식 방지를 위해 금도금 대신 사용된다. 전기분해 원리를 이용하여 구리 이온이 환원되어 음극에 도금되는 과정을 이해하고, 도금 조건 변화에 따른 도금층 두께 및 표면 특성 변화를 관찰하였다. 또한 도금 박막의 열처리 전후 인장 시험을 통해 기계적 특성 변화를 분석하였다. 2. 도금 첨가제 효과 클로라이드, SPS, PEG 등의 첨가제를 사용하여 구리 도금 특성을 개선하였다. 클로라이드는 구리 이온 이동을 촉진하여 도금량 증가와 표...2025.05.10
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