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BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.01.111. BJT 구동 회로 설계 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하려 한다. BJT가 완벽하게 saturation 영역에서 동작하게 하기 위해서는 적절한 저항 값 R1, R2, RC를 설정해야 한다. 부하가 emitter에 연결된 LED 구동회로 설계 시 LED에 2V가 걸리고 20mA가 흐르도록 R1, R2, RC를 구한다. LED가 ON될 때 회로의 총 소비전력도 계산한다. 부하가 inverter에 연결된 LED 구동회로 설계 시 LED에 2V가 걸리고 20mA가 흐르도록 R3를 구하고, ...2025.01.11
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 8_MOSFET Current Mirror 설계2025.01.111. MOSFET Current Mirror 설계 이 보고서는 MOSFET Current Mirror 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 단일 Current Mirror 설계와 Cascode Current Mirror 설계에 대해 설명하고 있으며, 각 회로의 설계 과정과 시뮬레이션 결과를 제시하고 있습니다. 단일 Current Mirror 설계에서는 2N7000 MOSFET을 이용하여 10mA의 전류원을 설계하는 과정을 보여주며, Cascode Current Mirror 설계에서는 10mA의 Cascode 전류원을 설계하는 과정을...2025.01.11
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 6_Common Emitter Amplifier 설계2025.01.111. Emitter 저항을 삽입한 Common Emitter Amplifier 설계 설계실습 6. Common Emitter Amplifier 설계에서 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하고자 합니다. Early effect를 무시하고 이론부의 overall voltage gain 식을 이용하여 부하저항에 최대전력이 전달되도록 부하저항을 결정하고, 이를 바탕으로 필요한 저항 값들을 계산합니다. 또한 PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력파형을 분석하고 증폭기의 특성을 확인합니다. 2. ...2025.01.11
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 42025.01.041. MOSFET 소자 특성 이 보고서의 목적은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성인 문턱전압(VT), 전도도 계수(kn)를 데이터시트를 이용하여 구하고, 설계 및 구현을 통해 전압 변화에 따른 전류를 측정하여 소자의 특성을 분석하는 것입니다. 준비물로는 DC 전원 공급장치, 디지털 멀티미터, 연결선, 브레드보드, 점퍼 와이어 키트, MOSFET 소자(2N7000) 및 1kΩ 저항이 필요합니다. 실습 계획은 데이터시트를 활용하여 VT와 kn을 구하고, ...2025.01.04
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(경북대) 전자회로설계 팀프로젝트2025.01.291. 전자회로 설계 이 프레젠테이션은 전자회로 설계 프로젝트에 대한 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 전압 분배 회로 설계, OP 앰프 특성 및 한계, 전류 부스터 회로 설계 등이 포함되어 있습니다. 회로 설계 시 소자 수 최소화, 전력 소모 최소화 등의 고려사항을 바탕으로 최적의 회로를 구현하고자 하는 것으로 보입니다. 1. 전자회로 설계 전자회로 설계는 전자 기기와 시스템을 구현하는 데 있어 매우 중요한 역할을 합니다. 회로 설계 과정에서는 회로의 기능, 성능, 효율성, 안전성 등을 고려해야 합니다. 이를 위해 회로 이론...2025.01.29
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전자회로설계 및 실습3_설계 실습3. Voltage Regulator 설계_결과보고서2025.01.221. 전파정류회로 전파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압공급기(DC power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가하였다. 전해콘덴서를 미리 단락해서 방전시킨 후에 충전방향을 예상해서 극성에 맞게 연결하여 회로를 구성하였다. Function Generator에 20kHz의 주파수를 입력하여 출력된 값을 확인하였다. 2. 출력파형 부하에 걸리는 파형을 오실로스코프로 확인하여 DC coupling과 AC coupling을 사용한 파형을 제출하였다. 두 파형의 차이점을 기술하고 0V, Vp, Vr을...2025.01.22
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[A+] Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.05.161. 센서 측정 및 등가회로 센서의 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 기술하고 PSPICE로 그려서 제출한다. 센서의 Thevenin 등가회로를 구현하기 위해 Function generator의 출력을 설정하는 방법을 설명한다. 2. Inverting Amplifier 설계와 시물레이션 주파수가 2KHz인 센서의 출력을 Inverting Amplifier를 사용하여 증폭하는 방법을 설명한다. 3. Non-inverting Amplifier 설계와 시물레이션 주파수가 2KHz인 센서의 출력을 Non-inverting Ampli...2025.05.16
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서102025.01.121. Oscillator 회로 설계 및 측정 전자회로설계실습 결과보고서에서는 Op-Amp를 이용한 Oscillator 회로를 설계하고 측정하여 positive feedback의 개념을 파악하고 피드백 회로의 parameter 변화에 따른 신호 파형을 학습하는 실습을 진행하였습니다. 대부분의 실험에서 오차는 10% 내외로 발생하였으므로 비교적 정확한 실험을 진행한 것으로 볼 수 있습니다. 오차의 원인으로는 가변저항 R의 값을 조정하는 과정에서 손으로 직접 맞춰야했기 때문에 오차가 발생했을 것이고 측정기기 내의 내부 저항들로 인해 작은...2025.01.12
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.301. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 목적은 MOSFET 소자의 문턱 전압(Vth), 전달 전도도(gm), 드레인 전류(Id) 등의 특성 파라미터를 데이터시트를 이용하여 계산하고, 시뮬레이션을 통해 검증하는 것입니다. 또한 특성 곡선을 도출하여 MOSFET 소자의 동작 특성을 분석하고자 합니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxid...2025.04.30
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.04.291. Op Amp를 이용한 Amplifier 설계 이 보고서는 전자회로 설계 실습 예비보고서 1에 대한 내용입니다. 주요 내용은 Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계입니다. 구체적으로는 센서의 출력신호를 증폭하기 위한 Inverting, Non-inverting, Summing Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 것입니다. 센서의 Thevenin 등가회로를 구하고, 이를 바탕으로 각 Amplifier 회로를 설계하였으며, PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력 파형과 주파수 특성을 분석하였습니다. 또한 실제...2025.04.29
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