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[만점] Cortex M3의 내부 구성도를 그리시오. 마이크로프로세서2025.01.131. Cortex-M3 마이크로컨트롤러 코어 Cortex-M3는 32비트 저전력 마이크로컨트롤러 코어로, 실시간 처리, 낮은 전력 소비, 중첩된 인터럽트 처리, 실시간 운영체제 (RTOS) 운영을 위한 기능, 다양한 주변 장치 및 통신 인터페이스를 지원하여 다양한 응용 분야에서 널리 사용되고 있습니다. Cortex-M3의 내부 구성도에는 명령어 해석과 실행 단계를 처리하는 파이프라인 구조, 레지스터 세트, RAM, ROM, 플래시 메모리, 통신 인터페이스, 타이머 및 카운터, ADC, 인터럽트 컨트롤러, 디버깅 및 추적 유닛 등이 ...2025.01.13
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[A+ 레포트] 마이크로프로세서 I - Cortex M3의 내부 구성도를 그리시오2025.01.141. 마이크로프로세서 마이크로프로세서의 세계는 광대하고 복잡하며, 그 중심에는 다양한 아키텍처와 기술이 자리 잡고 있습니다. Cortex M3는 특히 임베디드 시스템 분야에서 뛰어난 성능과 효율성으로 주목받는 프로세서 중 하나입니다. Cortex M3의 설계는 저전력 소비와 고성능을 필요로 하는 다양한 응용 분야에 적합하도록 최적화되어 있습니다. 2. Cortex M3 Cortex M3는 ARM Holdings에 의해 개발된 32비트 마이크로컨트롤러용 RISC 프로세서 아키텍처입니다. 이는 특히 고성능을 요구하는 임베디드 응용 프로...2025.01.14
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대한민국이 저전력 반도체에서 초격차 지위를 확보해야하는 이유2025.04.251. SK하이닉스의 기업용 SSD 제품에서의 전력 저감 성과 SK하이닉스도 최근 기업용 SSD 제품에서 획기적인 전력 저감 성과를 내면서 관련 시장에서 치열한 경쟁을 예고하고 있다. 2. 저전력 반도체에서의 초격차 지위 확보 필요성 지금 반도체의 혁신 경쟁 화두가 초거대 반도체라면, 장기적으로는 저전력 반도체로 넘어갈 것이고 초격차 지위를 확보해야만 한국 반도체도 살아남을 수 있을 것이다. 1. SK하이닉스의 기업용 SSD 제품에서의 전력 저감 성과 SK하이닉스는 기업용 SSD 제품에서 지속적인 전력 저감 성과를 달성해왔다. 이는 ...2025.04.25
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사물인터넷 연결성 제공을 위한 장거리, 저전력 무선 통신기술과 IoT 동향2025.04.291. 사물인터넷 연결성 제공을 위한 장거리, 저전력 무선 통신기술 사물인터넷은 다양한 분야에서 사용되고 있으며, 연결 시스템 아키텍처는 간단한 원격 제어 디바이스부터 인터넷에 연결하기 위한 게이트웨이를 갖춘 복잡한 무선 네트워크까지 다양하다. 이 글에서는 GHz 이하 대역에서의 저전력 장거리 무선 연결에 대해 다루고 있다. 무선 센서 네트워크, 스마트 계량기, 홈오토메이션 디바이스, 웨어러블 전자 제품 등이 폭발적으로 늘어남에 따라 사물인터넷이 널리 사용되고 있다. 사물인터넷은 장거리 실외 네트워크부터 단거리 실내 네트워크까지 다양...2025.04.29
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Tunnel-FET Based SRAM Bit Cell Design2025.05.101. MOSFET and TFET MOSFET는 낮은 전압에서 on/off 특성이 좋지 않고 subthreshold swing이 높은 단점이 있다. 반면 TFET는 낮은 전압에서도 on 상태를 유지할 수 있고 대기 전력이 낮은 장점이 있지만 단방향 특성과 지연 시간이 길다는 단점이 있다. 2. TFET Modeling TFET는 커패시터, 다이오드, 저항으로 구성된 단방향 소자이다. 드레인 전류 매개변수, 커패시턴스 매개변수 등 다양한 매개변수를 사용하여 TFET을 모델링할 수 있다. 3. Hybrid GAA Characterist...2025.05.10
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차세대 메모리 반도체 STT-MRAM 조사 과제2025.01.291. MRAM MRAM은 magnetic random access memory의 약자로, 강자성체 간의 자기 저항 효과를 이용하였다. 또한 양자역학적 효과를 이용한 기억 소자로 소자로 전원이 꺼져도 정보가 지워지지 않는 비휘발성(nonvolatile) 메모리 소자로서, 소비 전력이 적고 높은 온도 범위에서 동작이 가능하며 Flash가 갖는 비휘발성 이외에, 기존의 DRAM 급의 빠른 응답속도 등의 특성을 갖는다. MRAM은 자성층의 자화 방향에 따라서, 정보를 저장한다. 0과 1의 정보는 자기 저항값의 차이를 이용해 구분한다. 정보...2025.01.29
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Tunnel-FET Based SRAM Bit Cell Design2025.05.101. TFET 디바이스 및 특성 TFET는 밴드-대-밴드 터널링 메커니즘을 사용하여 MOSFET의 60mV/decade 한계를 극복할 수 있는 초저전력 애플리케이션의 유망한 후보로 부상했다. TFET 디바이스의 단방향 전류 전도 특성과 낮은 온전류로 인해 SRAM 셀의 견고성이 저하되는 문제가 있다. 이 논문에서는 TFET 회로 스위칭/출력 특성/성능과 기본 물리학을 자세히 분석하고, SRAM의 평가 요소인 SNM을 조사하고 표현한다. 또한 TFET와 MOSFET을 함께 사용하는 하이브리드 GAA 6T SRAM을 제안한다. 2. S...2025.05.10