차세대 메모리 반도체 STT-MRAM 조사 과제

문서 내 토픽

1. MRAM

MRAM은 magnetic random access memory의 약자로, 강자성체 간의 자기 저항 효과를 이용하였다. 또한 양자역학적 효과를 이용한 기억 소자로 소자로 전원이 꺼져도 정보가 지워지지 않는 비휘발성(nonvolatile) 메모리 소자로서, 소비 전력이 적고 높은 온도 범위에서 동작이 가능하며 Flash가 갖는 비휘발성 이외에, 기존의 DRAM 급의 빠른 응답속도 등의 특성을 갖는다. MRAM은 자성층의 자화 방향에 따라서, 정보를 저장한다. 0과 1의 정보는 자기 저항값의 차이를 이용해 구분한다. 정보를 저장하기 위해, 각 Cell마다 서로 직교하는 2개의 배선에 전류를 흘려, 이때 발생하는 자기장을 이용한다. 메모리 셀은 하드디스크에 적용되고 있는 거대 자기 저항 헤드(GMR head)와 자기 터널 집합(MTJ)의 방식을 이용한다.
2. STT-MRAM

STT-MRAM에 대한 설명에 앞서, STT-MRAM의 이전 단계인 MRAM에 대하여 알아볼 것이다. MRAM과 다른 점은 DRAM에서는 데이터를 저장하기 위해서 전하를 저장하는 커패시터를 사용하였지만, MRAM에서는 MT(Magnetic tunnel junction)J라는 소자를 이용하여 데이터를 저장한다는 것이다.

Easy AI와 토픽 톺아보기

1. MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)은 자기 메모리 기술로, 전통적인 반도체 메모리와는 다른 원리로 작동합니다. MRAM은 자기 메모리 셀을 사용하여 데이터를 저장하고 읽어내는 방식으로, 전력 소모가 낮고 빠른 읽기/쓰기 속도, 비휘발성 등의 장점을 가지고 있습니다. 이러한 장점으로 인해 MRAM은 향후 차세대 메모리 기술로 주목받고 있습니다. 특히 IoT, 모바일 기기, 자율주행차 등 다양한 분야에서 활용될 것으로 기대됩니다. 하지만 아직 제조 비용이 높고 대량 생산 기술이 부족한 상황이므로, 이러한 기술적 과제를 해결하기 위한 지속적인 연구개발이 필요할 것으로 보입니다.
2. STT-MRAM

STT-MRAM(Spin-Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory)은 MRAM의 한 종류로, 전류를 이용하여 자성체의 자화 방향을 변화시켜 데이터를 저장하는 방식입니다. 기존 MRAM에 비해 더 낮은 전력 소모, 더 빠른 쓰기 속도, 더 높은 집적도 등의 장점을 가지고 있습니다. 이러한 장점으로 인해 STT-MRAM은 차세대 메모리 기술로 주목받고 있으며, 모바일 기기, 서버, 자율주행차 등 다양한 분야에서 활용될 것으로 기대됩니다. 하지만 아직 제조 기술의 한계로 인해 대량 생산이 어려운 상황이므로, 이를 극복하기 위한 지속적인 연구개발이 필요할 것으로 보입니다.