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"subthreshold" 검색결과 1-20 / 51건

고온에서 무접합 및 반전모드 MuGFET의 문턱전압 이하에서 급격히 작은 기울기 특성 (Steep subthreshold slope at elevated temperature in junctionless and inversion-mode MuGFET)

한국정보통신학회 이승민, 박종태

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.03 | 수정일 2025.05.16

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아증후군적 양극성 장애 (Subsyndromal Bipolar Disorder)

대한생물정신의학회 김문두, 전봉희, 윤보현, 박원명

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.03 | 수정일 2025.06.06

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2021 한국도로공사 합격 자소서

에서 subthreshold 영역의 전류 값를 조정하는 파라미터 값이 크게 변동하였고, 기본값과의 차이도 크게 나는 것을 찾아낼 수 있었습니다. 문제가 되는 파라미터를 수정한 후 ... ubthreshold 파라미터가 단순히 subthreshold 영역의 전류에만 영향을 미치는 게 아니고, 실제 전류 값에도 영향을 미친다는 것을 배울 수 있었습니다. 저는 문제 원인 분석 다. ... 성, Hspice simulation, simulation 결과 정리 및 그래프화하기까지의 일련의 과정을 자동화하는 In-house tool의 제작을 완성시킬 수 있었습니다. In

자기소개서 | 4페이지 | 4,000원 | 등록일 2024.11.28

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CMOS 소자로만 구성된 1V 이하 저전압저전력 기준전압 발생기 (A Sub-1V Nanopower CMOS Only Bandgap Voltage Reference)

한국전기전자학회 박창범, 임신일

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.25 | 수정일 2025.06.28

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SK하이닉스, SK하이닉스합격자소서, SK하이닉스최종합격자소서, 대기업직무자소서

해지고 있습니다. 이에 따라, 연구 목표는 subthreshold swing(SS)을 감소시켜 소자의 전력 효율을 개선하는 것이었습니다. 먼저, 관련 논문을 폭넓게 분석하며 이론 ... 하는 방법을 제안하였습니다. Li 이온이 OH기와의 반응성을 높여 Schottky barrier 형성과 subthreshold 영역을 stiff하게 만들어 SS를 줄이는 데 성공 ... 들과 함께 memristor 소자의 신뢰성 확보를 목표로 연구에 참여했습니다. Memristor는 소자 자체의 신뢰성이 낮고 CAA(Crossbar Array) 구조에서 sneak

자기소개서 | 3페이지 | 8,000원 | 등록일 2025.01.13 | 수정일 2025.03.05

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개선된 메모리 셀을 활용한 문턱전압 이하스태틱 램 어레이 설계 (Design of Subthreshold SRAM Array utilizing Advanced Memory Cell)

한국전기전자학회 김태훈, 정연배

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.18 | 수정일 2025.05.10

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10 nm 이하 무접합 원통형 MOSFET의 온-오프전압 DELTA V _{on-off}에 대한 분석 (Analysis of On-Off Voltage DELTA V _{on-off} in Sub-10 nm Junctionless Cylindrical Surrounding Gate MOSFET)

한국전기전자학회 정학기

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.03 | 수정일 2025.05.16

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[서울시립대 반도체소자] 7단원 노트정리 - MOSFETs in ICs

tructure7-1. (2) subthreshold currentpurp.) lowering increases speed but also I leakage, which means ... 7. MOSFETs in ICs7-1. (1) scalingpurp.) cost, speed, power consumptiontechnologiesstrained silicon ... def.) to modify carriers' mobility by applying mechanical strainmetal gate & high-k (permittivity

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.12.31 | 수정일 2022.03.29

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바이오 센서 적용을 위한 수직형 이중게이트 InGaAs TFET의 게이트 열화 현상 분석 (Constant Voltage Stress (CVS) and Hot Carrier Injection (HCI) Degradations of Vertical Double-date InGaAs TFETs for Bio Sensor Applications)

한국센서학회 백지민, 김대현

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.13 | 수정일 2025.06.17

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도핑분포함수의 형태에 따른 DGMOSFET의 문턱전압이하특성 (Subthreshold Characteristics of Double Gate MOSFET for Gaussian Function Distribution)

한국정보통신학회 정학기

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.03 | 수정일 2025.05.16

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SK하이닉스 주니어탤런트(주탤) 자기소개서

하며 시나리오별로 전압 조건을 달리 설정하고, 소자의 문턱전압 변화에 따른 subthreshold leakage의 변화를 정리하는 작업을 맡았습니다. 그 과정에서 논문에 나온 수식대로 결과 ... 했고, 결국 mux selection 구간에서의 타이밍 이슈를 해결하며 최종 구현에 성공했습니다. 이 과정을 통해 하드웨어 설계는 단순한 논리 이상의 직관, 정확한 해석, 치밀한 검증 ... 가 나오지 않는 현상을 발견했고, 모델 라이브러리의 파라미터와 실제 셀 환경 간의 차이를 찾아내기 위해 파라미터 sweep을 수동으로 수행하면서 실험 설계를 조정했습니다. 힘든 과정

Non-Ai HUMAN
| 자기소개서 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2026.01.12

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울산과학기술원unist 대학원 전기전자공학 학업계획서

tabilized amplifier나 auto-zero technique을 적용해 offset을 줄이거나, subthreshold 영역에서 동작하는 회로의 변동성을 줄이기 위한 구조 ... 회로에서 다루는 노이즈, 왜곡, 편차와 같은 물리적 현상이 실제 측정 정확도나 에너지 효율에 어떤 영향을 주는지를 정량적으로 분석하고 싶습니다. 예를 들어, chopper-s ... 에 주목하고 있고, 이를 해결하기 위해 low-power ADC 구조나 compressive sensing 기반 데이터 축소 기법에도 관심을 두고 있습니다. 회로 설계 외에도 수신

Non-Ai HUMAN
| 자기소개서 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2025.11.01

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2021 한국남동발전 합격자소서

로 나타났던 특정 length 구간에서 subthreshold 영역의 전류 값를 조정하는 파라미터의 값이 크게 변동하였고, 기본값과의 차이도 크게 나는 것을 찾아낼 수 있 ... 과 달리 전류의 값이 매우 크게 나타나는 현상이 관찰 되었습니다. 저는 문제가 있는 size에서의 파라미터를 살펴보았지만, 큰 특이점을 발견하지 못하였습니다. 저는 시간은 더 걸리 ... 었습니다. 문제가 되는 파라미터를 수정하여 다시 시뮬레이션 해보니 문제가 되었던 size에서의 전류 특성이 측정값과 유사하게 나오는 것을 확인할 수 있었습니다. 이를 통해 문제 해결을 위해

자기소개서 | 3페이지 | 4,000원 | 등록일 2024.11.28

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비선형도핑분포를 이용한 DGMOSFET의 산화막두께에 대한 문턱전압이하 특성분석 (Analysis of Subthreshold Characteristics for DGMOSFET according to Oxide Thickness Using Nonuniform Doping Distribution)

한국정보통신학회 정학기

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.27 | 수정일 2025.05.14

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DGMOSFET의 채널구조 및 도핑분포에 따른 문턱전압이하 전류의존성 (Dependence of Subthreshold Current for Channel Structure and Doping Distribution of Double Gate MOSFET)

한국정보통신학회 정학기

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.03 | 수정일 2025.05.16

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이중게이트 MOSFET의 문턱전압이하 전류에 대한 게이트 산화막 의존성 (Gate Oxide Dependent Subthreshold Current of Double Gate MOSFET)

한국정보통신학회 정학기

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.27 | 수정일 2025.05.14

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DGMOSFET에서 문턱전압이하 스윙의 도핑분포 의존성 (Doping Profile Dependent Subthreshold Swing for Double Gate MOSFET)

한국정보통신학회 정학기

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.03 | 수정일 2025.05.16

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스켈링이론에 가중치를 적용한 DGMOSFET의 문턱전압이하 특성 분석 (Analysis of Subthreshold Characteristics for Double Gate MOSFET using Impact Factor based on Scaling Theory)

한국정보통신학회 정학기

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.03 | 수정일 2025.05.16

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이중게이트 MOSFET의 채널도핑에 다른 문턱전압이하 전류 변화 분석 (Analysis of Subthreshold Current Deviation for Channel Doping of Double Gate MOSFET)

한국정보통신학회 정학기

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.03 | 수정일 2025.05.16

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정보소자물리실험 TFT반도체 소자 레포트

소자의 성능의 척도 TFT소자에 특성을 및 성능을 나타내는 요소들은 SS (Subthreshold swing), Mobility, 등이 존재한다. A. Subthreshold

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| 리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.07.04

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