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"sn7400 noise" 검색결과 1-5 / 5건

  • 디지털실험 - 실험 8. CMOS – TTL interface 결과
    의 저항리가 전부터 사용했던 SN7400 소자(2입력 NAND게이트)와 같은 동작을 하지만, 이러한 CMOS 회로의 장점은 noise margin이 큰 점, 소자의 크기가 작아 실장밀도 ... NOR게이트)와 같은 동작을 하지만, 이러한 CMOS 회로의 장점은 noise margin이 큰 점, 소자의 크기가 작아 실장밀도가 높고, 공급전압의 폭이 넓다는 점 등이 있 ... ,} ` _{max} `=`4`mA 를 sink 시킬 수 있다. 그러나 한 개의 TTL 게이트는 구동회로가I _{IL,} `max`=`1.6`mA 를 sink 시킬 것을 요구
    리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.04.02
  • 판매자 표지 자료 표지
    실험13 CMOS-TTL interface 예비보고서
    Field-Effect Transistor)의 특성① n-channel MOS는 gate-source 전압이 (+)일 때 전도된다.② p-channel MOS는 gate-source 전압 ... 이 low가 되면 두 개의 FET gate전압이 low가 된다.⇒ p-channel FET의 source 에서는 gate 입력이 -VDD, n-channel FET 의 source ... 시킬 때 noise margin은 얼마인가?PARAMETER74HC CMOS74 TTL74LS TTL74S TTL74AS TTLV ih(min)3.5v2v2v2v2vV il(max
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.09.29 | 수정일 2018.10.15
  • 부울대수와 드모르간 정리 실험
    =AA+B)′= A′?B′, (A?B)′= A′+B′3. 실습 기자재 및 부품(1) DC전원공급기(2) 오실로스코프(3) 브레드보드(4) IC : NAND 7400, NOR 7402 ... 출력(Z)의 논리식을 구하라.OR회로 : SN74HC32N AND회로 : M74HC08B1입력출력(Z)AB전압논리00000100105.2V1115.2V1논리식 : A? (A+B ... 3-2에 기록하라. 또 출력(Z)의 논리식을 구하라.OR회로 : SN74HC32N AND회로 : M74HC08B1입력출력(Z)ABC전압논리0*************00115.2V
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.28
  • [전자회로] [PSpice]전자회로 구현
    .net"**** INCLUDING 444-SCHEMATIC1.net ***** source 444R_R6 0 N02518 2kR_R7 0 N02674 3.9kV_V4 N02596 0 ... DbreakR_R5 N02518 N02674 18k**** RESUMING 444-SCHEMATIC1-444.sim.cir ****.END**** 10/22/01 17:17:48 ... 어 지지 않기 때문입니다. 특별히 주의 해야 합니다…트랜지스터 DC Analysissimulation flow(dc sweep)부품 배치(part P, GND G)R- analog
    리포트 | 36페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.05.21
  • TTL NAND/NOR게이트 정의와 동작
    한다..TTL게이트의 잡음 면역성(noise immunity)을 결정한다..정논리와 부논리를 비교한다..TTL스위칭율에 따른 용량성 부하효과에 대해 공부한다.3.실험 기기 및 부품 ... 파형:출력임피던스 500.직류전원 공급장치: 100㎃이상에서 +5V전압 안정화된것..DC전류계: 2㎃.캐패시터: 0.033㎌, 0.01㎌.TTL-IC 7400: 4쌍의 2입력 ... 의 저항: 100 에서 10㏀4.기본 이론[그림1]2입력 7400 NAND게이트게이트의 내부구성 그리고 그 게이트 내부 소자들의 값을 알 필요는 없다.디지탈 IC는 흔히 검정 박스
    리포트 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2000.11.12
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