"nonpolar a-plane GaN"의 검색결과 입니다.

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"nonpolar a-plane GaN" 검색결과 1-5 / 5건

비극성 a-GaN용 R-면 사파이어 기판의 제조 (Fabrication of R-plane Sapphire wafer for Nonpolar a-plane GaN)

한국마이크로전자및패키징학회 강진기, 김정환, 김영진

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.29 | 수정일 2025.05.15

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Fabrication and characterization of tilted R-plane sapphire wafer for nonpolar a-plane GaN (Fabrication and characterization of tilted R-plane sapphire wafer for nonpolar a-plane GaN)

한국결정성장학회 강진기, 김영진

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.08 | 수정일 2025.03.28

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무분극 a-plane 질화물계 발광다이오드에서 SiO2 전류 제한 층을 통한 발광 효율 증가 (Improvement of the Light Emission Efficiency on Nonpolar a-plane GaN LEDs with SiO2 Current Blocking Layer)

한국전기전자재료학회 황성주, 곽준섭

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.03 | 수정일 2025.05.16

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r-plane 사파이어 기판 위에 성장한 무분극 a-plane GaN 층의 전기적 비등방성 연구 (A Study of Electrical Anisotropy of n-type a-plane GaN films grown on r-plane Sapphire Substrates)

대한전자공학회 김재범, 김동호, 황성민, 김태근

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.03 | 수정일 2025.05.16

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사파이어 웨이퍼

되고 있는 청색 LED는 사파이어 기판 위에 성장시키는 GaN의 성장면은 c-plane이라는 극성면을 이용한다. 즉 c-plane의 법선 방향(c축 방향)을 성장 축으로 하고 있 ... 전망에 대해서 알아본다.Ⅰ-2. 조원 소개Ⅰ-3. 기판 개발의 필요성1) GaN를 이용한 소자제작의 문제점GaN는 3.39eV의 직접전이형 밴드갭을 가지는 광대역반도체(wide ... 적으로 활발하게 연구되고 있는 유용한 물질이다. GaN는 상온에서 a=3.189Å c=5.185Å의 격자상수를 가지며, 질소의 전기 음성도가 커서 안정상태로는 wurtzite 구조

리포트 | 49페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.12

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