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집적회로공정 flash memory pld FeRAM 반도체공정1

EasyAI “floating gate” 관련 자료

+반도체 공정 레포트 - Flash m..등록일 2022.12.29 | 총 12,731자 | 22페이지 | 1,500원
+반도체 공정 레포트2 (Flash m..등록일 2021.01.15 | 총 7,479자 | 11페이지 | 1,000원

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"floating gate" 검색결과 1-20 / 186건

Floating Gate FET를 위한 수직 전계 효과 트랜지스터의 집적 공정 개발 및 특성 분석 (Process Integration of Vertical Field Effect Transistors for Floating Gate FET)

본 논문에서는 플로팅 게이트 전계 효과 트랜지스터(FGFET: Floating Gate Field Effect Transistor)를 구성하는 수직 전계 효과 트랜지스터(VFET ... transistor (VFET) that constitutes floating gate field effect transistor (FGFET). In the process of

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.05 | 수정일 2025.07.10

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메쉬 타입 백금 플로팅 게이트를 활용한 뉴로모픽 시냅스 소자 연구 (Research on Neuromorphic Synaptic Devices Using Mesh-type Platinum Floating gate)

한국물리학회 정소연, 김재민, 채형진, 구태환, 채주영, 장문규

논문 | 11페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.01 | 수정일 2025.05.15

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Floating Body PD-SOI MOSFET 등가회로의 RF Inductive 효과 파라미터에 대한 게이트 전압 종속성 분석 (Analysis of Gate-voltage Dependence of RF Inductive Effect Parameters in Equivalent Circuit for Floating Body PD-SOI MOSFETs)

대한전자공학회 조원기, 이성현

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.16 | 수정일 2025.05.10

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플라즈마 중합된 Styrene 박막을 터널링층으로 활용한 부동게이트형 유기메모리 소자 (Floating Gate Organic Memory Device with Plasma Polymerized Styrene Thin Film as the Memory Layer)

한국진공학회 김희성, 이붕주, 이선우, 신백균

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.26 | 수정일 2025.05.14

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쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 구조를 적용한 실리콘 나노점 부유 게이트 비휘발성 메모리 특성 (Characteristics of Si Floating Gate Nonvolatile Memory Based on Schottky Barrier Tunneling Transistor)

한국진공학회 손대호, 김은겸, 김정호, 이경수, 임태경, 안승만, 원성환, 석중현, 홍완식, 김태엽, 장문규, 박경완

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.06

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부력식 연직수문의 자유흐름 상태에서 하단방류 특성에 관한 실험적 연구 (An experimental study on the discharge characteristics of underflow type floating vertical lift gate at free-flow condition)

from experiment for a floating gate model. Downpull force was the reason for the differences between ... 으로 판단되었다. Hydraulic variables such as discharge coefficient, gate opening, and upstream water depth ... are required to calculate the discharge of vertical lift gate. It is very important for a precise

논문 | 11페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.31 | 수정일 2025.06.05

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NFGM(Nano-Floating Gate Memory) 동작원리

NFGM(Nano-Floating Gate Memory)1.서론플래시(flash) 메모리는 휴대폰, 카메라, 그리고 Mp3와 같은 휴대기기의 출현으로 지난 몇 년간 폭발적인 성장 ... 며, 그중 하나가 폴리실리콘 저장 전극을 나노크기의 dot으로 대신하는 메모리 소자 기술이 개발되어야 한다. 이러한 메모리 소자를 NFGM(Nano-Floatillg Gate

리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.31

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NFGM(Nano-Floating Gate Memory)기술 및 연구동향

NFGM(Nano-Floating Gate Memory)기술 및 연구동향1. 서론플래시 메모리는 휴대폰, 카메라, 그리고 MP3와 같은 휴대기기의 출현으로 과거 DRAM에 국한 ... (floating gate)를 저장 전극으로 사용하는 메모리 소자를 그림 2에 나타내었는데, 고집적/고성능을 구현하는데 어려움이 있다. 따라서, 이를 대신할 새로운 형태의 메모리가 개발 ... 되어야 하며, 그중 하 나가 폴리실리콘 저장 전극을 나노 크기의 양자점(quantumdot)으로 대신하는 메모리 소자 기술이다. 이러한 메모리 소자를 NFGM(nano-floating

리포트 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2007.10.08 | 수정일 2018.11.24

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AND Gate PDP의 DC 방전셀 방전특성 최적화 (Optimization on the Characteristics of DC Discharge Cell in the AND Gate PDPs)

본 연구에서는 새로 고안된 AND gate PDP의 AND gate를 구성하는 4개의 DC 방전셀에 대한 상호간의 영향을 방전특성 측면에서 규명하였다. 이 4개의 방전셀들의 방전 ... 방전에 이용되는 floating 방전을 도와주는 priming 방전의 동작마진을 얻기가 어렵다는 것을 정성적으로 알 수 있었다. This research investigated ... discharge cells are that composes AND gate of AND gate PDP newly proposed. As for the discharge starting

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.24 | 수정일 2025.05.27

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아날로그메모리를 이용한 플레쉬 ADC (Development of a Flash ADC with an Analog Memory)

voltages in a general flash ADC are not obtained from a series of resistors but floating gates. When a

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.29 | 수정일 2025.06.04

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반도체 공정 레포트 - Flash memory

의 구조일반 MOSFET과 비슷한 구조이지만 다른 점은 Gate와 유전체 사이에 Floating Gate가 추가된 것이다. Poly-silicon으로 Floating Gate를 만들 ... 어서 Floating Gate 안에 전자를 저장하고 SiO2를 통하여 UV(자외선)로 광전류를 흘려 Floating Gate 안에 있는 전자를 방전 시키며 데이터를 저장하고 삭제 ... 매출은 10% 하락할 것”이라고 전망했다.Floating gate Flash Memory & Charge trap flash memory지금 까지의 Flash Memory

리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.12.29 | 수정일 2023.01.03

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반도체 공정 레포트2 (Flash memory)

반도체 공정1레포트2조OO 교수님Flash memory1. NAND-type& NOR-type2. Floating gate flash memory &Charge trap ... 과는 달리 큰 단위를 한 번에 지울 수 있는 비 휘발성 메모리이다. 구조는 위와 같으며 Floating Gate가 있는 것이 기존 MOS 구조와 다른 특징이며, 이 Floating ... 다xide를 통과하게 만드는 것을 FN Tunneling 이라고 한다. Control Gate에 인가한 전압에 따라 일정량의 전자가 채워지며, Floating Gate에 채워진

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.01.15 | 수정일 2021.01.17

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광운대학교 반도체 공정1 조()()교수님 레포트과제

은 반대 원리를 갖고 있다. 저장할 때는 전자를 floating gate에 주입하면서 정보가 저장되었다. 지우기 원리는 반대로 전자를 방출해주어 과정이 이루어 진다.주요 ... 저장 과정에서 일어나게 된다.쓰기원리 (write)NAND-type, NOR-type둘다 body의 전자를 floating gate로 보내는 원리이다. 먼저 NAND-type ... 를 지나 floating gate로 전자가 저장된다. 저장된 전자의 두 경우 모두 oxide로 절연이 되어 있기 때문에 전원이 공급되지 않아도 전자가 빠져나가지 못하는 비휘발성을 가지

리포트 | 63페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.12.21

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삼성전자 파운드리 공정설계 직무 최종합_면접 공부 자료(반도체 면접 공부 자료)

NAND Flash는 transistor만으로 구성되어 있으며, control gate와 body에 고전압을 가하면 tunneling에 의해 전하가 floating gate에 c ... 하고, Threshold Voltage를 결정하는 역할을 하며, MOSCAP은 Gate Voltage에 따라 Accumulation(축적), Depletion(공핍), Inversion ... (반전) 3가지 상태를 가집니다. NMOS를 기준으로 Gate에 음의 전압을 인가하면 p type 기판의 다수 캐리어인 hole이 oxide와 기판의 계면에 축적

자기소개서 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2024.03.28

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Plasma induced damage

, MOS 소자 내의 gate electrode는 그림1에서 (A)로 표시된 gate dielectric과 Si substrate 사이의 전도 전류 또는 전위차에 의한 ... electrical stress에 시달리게 된다. 이러한 electrical stress는 때때로 기기 작동 조건에서의 stress보다 커지고, charging damage는 gate ... '와 'Electron shading effect’에 초점을 맞추어 조사되었다. Antenna effect는 gate electrode에 연결된 electrically

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.09.11

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Term_Project_보고서_1조

egment와 다양한 기본소자들(and gate, or gate, DIP 스위치 등)을 사용하였다. 십진수 입력값을 보여주고, 덧셈연산을 한 출력값을 보여주는 것으로 목표로 하 ... 하였고 풀업저항을 사용하여 스위치가 OFF일 때 floating된 값들을 High 상태로 끌어올렸다. 밑의 그림은 풀업저항의 원리를 설명한 그림이다. 6비트 출력 구현을 목표로 하 ... )?Floating??(b) 그림?0V (Low)??+5V (High)?2)덧셈5비트의 입력을 받아 덧셈 기능을 하는 회로를 구현하였다. BCD adder를 사용하여 우리가 구현하고자 하

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.06.22 | 수정일 2023.06.25

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반도체공정 Report-1

device는 전하를 floating gate에 저장하고 감지하는 것으로 비 휘발성이 된다. 전하를 저장하고 제거하기 위해서는 floating gate를 감싸는 dielectric ... -poly dielectric, poly-silicon floating gate, tunnel dielectric, silicon 기판이 수직적으로 쌓여 있는 형태로 구성 ... 를 조정해야 한다. Tunnel dielectric은 적절한 전압에서 floating gate로 전하가 전달될 수 있을 정도로 충분히 얇아야 하고, 읽기 혹은 off 모드에서 전자

리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.04.11

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서강대학교 디지털논리회로실험 4주차 - Multiplexers, Three-state devices and Exclusive-OR

1. 실험 목적Multiplexer, Three-state, 그리고 Exclusive-OR gate의 동작원리와 활용방법을 이해한다.2. 실험 이론 ... 는, PSW0의 입력과 관계없이 출력이 floating state으로 나왔다. 이 상태에서는 leakage current에 의해 low보다는 전압이 높지만, 노이즈의 영향을 그대로 받아 5.2mV 정도로 매우 낮지만 불안정한 전압을 가지고 있었다.

리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.08.17

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플래시 메모리, 프로그래머블 논리장치(PLD) ,SRAM ,DRAM , MROM , EPROM , PROM , FRAM , PRAM , MRAM , 메모리 조사 대체과제 만점 , 논문까지 참고 및 없는 내용 없음 사기적

라 부르는 플로팅 게이트 트랜지스터(floating gate transistors)로 구성된 배열 안에 정보를 저장하며, DRAM이나 SRAM의 경우에는 1개의 cell에 1비트의 정보 ... Cell )해당 그림은 플래시 메모리에서 1개 cell의 구조이며, 트랜지스터와 비슷한 구조이나 본래 게이트가 있을 자리에 floating gate라는 새로운 층이 하나가 추가 되 ... 었으며 이러한 floating gate는 중간에 떠있는(floating) Gate라고 할 수 있다. floating gate에 전자를 집어 넣어 전원 공급이 중단 되더라도 정보를 유지

리포트 | 19페이지 | 3,300원 | 등록일 2021.08.30

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FLASH MEMORY report

되었다.Flash Memory는 다른 memory와 같이 cell의 배열로 이루어져 있으며, flash memory cell에는 비트 저장을 위한 Floating Gate(FG)라는 ... 랜덤 액세스가 가능하다. NAND flash는 직렬 구조로, NOR flash에 비해 unit cell이 작고, bit line의 수가 적다. 또한 Floating gate ... 가 빠르기 때문에 소비자 device 및 enterprise server 및 storage system에 적합하다.3. Floating Gate Flash Memory

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.21

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