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Deposition 마이크로스트립 HfO2 ALD 공정 mos capacitor TCAD finfet afm

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"artificial dielectric substrates" 검색결과 1-20 / 111건

마이크로스트립 선로를 이용한 기판의 유전율 측정 (Measurement of the planar substrate dielectric constant using a microstrip line)

한국정보통신학회 한대현

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.18 | 수정일 2025.06.26

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인공지반 녹화 용인공배지에서 스트로브잣나무와 헤데라의 생육특성 (Growth properties of Pinus strobus and Hedera helix grown in Artificial substrates for Green Roof top)

(사)두레마을 친환경농업연구원 허근영

논문 | 12페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.21 | 수정일 2025.03.28

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임의유전체 기판을 이용한 주파수 혼합기의 소형화 (Size-Reduction of Frequency Mixers Using Artificial Dielectric Substrate)

대한전기학회 권경훈, 임종식, 정용채, 안달

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.01 | 수정일 2025.07.05

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비대칭 전력분배기의 소형화를 위한 가유전체 기판구조의 응용 (Application of Artificial Dielectric Substrate for Size Reduction of Unequal Power Dividers)

한국정보기술학회 임종식, 권경훈, 한상민, 안달

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.14 | 수정일 2025.05.21

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DGS와 가유전체 기판을 결합하여 소형화한 전력분배기 (A Size-Reduced Power Divider Designed by Combining DGS and Artificial Dielectric Substrate)

한국정보기술학회 임종식, 권경훈, 정용채, 안달

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.14 | 수정일 2025.05.21

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가유전체 기판구조를 이용한 소형화된 저역통과여파기 설계 (Design of Size-Reduced Low Pass Filters using Artificial Dielectric Substrate Structure)

한국정보기술학회 임종식, 구자경, 이재훈, 이준, 한상민, 안달

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.09 | 수정일 2025.06.16

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가유전체 기판을 이용한 비대칭 브랜치 라인 커플러의 설계 (Design of A Asymmetric Branch Line Coupler Using Artificial Dielectric Substrate)

한국산학기술학회 임종식, 이재훈, 권경훈, 안달

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.16 | 수정일 2025.05.22

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Plasma induced damage

, MOS 소자 내의 gate electrode는 그림1에서 (A)로 표시된 gate dielectric과 Si substrate 사이의 전도 전류 또는 전위차에 의한 ... bombardment와 etching species의 침투가 일어나 Si substrate에 defect을 발생시키거나 격자에 손상을 일으킨다. 이러한 damage로 인해 device ... dielectric(SiO2) 및 SiO2/Si interface state에 결함을 발생시킨다. 1983년에 보고된 이후, charging damage는 이른바 'Antenna effect

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.09.11

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인공근육(Artificial Muscles) 조사 발표자료

’s rate 응력이 가해진 물체의 변형과 원형의 비율Dielectric-Elastomer Actuators Mechanism Maxwell stress fast response ... actuators large Poisson's ratio cf. 포아송비 응력이 가해진 물체의 변형과 원형의 비율Dielectric-Elastomer Actuators ... Artificial Muscles Mechanisms , Applications , and ChallengesINDEX 1 2 3 Introduction Type Of

리포트 | 46페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.10.05

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[반도체실험] MOS capacitors and transistors

가. Source와 p-substrate는 ground 되어 있고 gate와 drain에는 각각 Vg, VD를 걸어준다. Vg>VT 조건 하에서 oxide 아래 channel ... )을 나타내며, p-substrate의 점선 곡선은 depletion region을 나타낸다. 2. MOS에서 p-type (NA=5x1018) silicon substrate에 Tox ... difference를 수용하기 위해 metal은 양으로 semiconductor는 음으로 대전된다. 결과적으로, energy band는 substrate의 interface 부근에서 아래쪽

리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.02.03

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안테나 기판으로의 자성유전체 특성에 관한 연구 (A study on characteristics of magneto-dielectrics as the antenna substrate)

한국항행학회 이영순, 유진하, 이가영, 조윤기, 오병희, 김의중

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.08 | 수정일 2025.07.11

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고주파 기판용 PTFE 복합체 형성 압력에 따른 유전 특성 (Dielectric Characteristics of Polytetrafluoroethylene-based Composites for Microwave Substrates with Formation Pressure)

한국전기전자재료학회 최홍제, 전명표, 조용수, 조학래

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.08 | 수정일 2025.07.11

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인하대학교 집적회로공정(전자공학과) FINFET레포트

은 etching공정을 이용하여 식각한다. Patterning된 hard mask가 없는 영역은 식각되어 silicon substrate는 위 그림과 같이 된다.etching이후 ... 에 Epitaxy공정을 진행하여 semi conductor물질을 Si기판, fin의 옆면, gate dielectric layer에 증착한다. 이때 불순물을 doping할 수 있 ... layer아래 Oxide를 증착하는 이유는 Oxide위에 있는 Silicon nitride와 Silicon은 격자상수가 다르기 때문에 두 물질이 서로 접촉하게 되면 Silicon에 s

리포트 | 5페이지 | 4,900원 | 등록일 2021.09.26

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반도체공정 Report-4

문제를 가져온다. 그 중 하나로 우선 threshold voltage roll-off현상이 있다. N-MOSFET에서 source와 drain은 substrate와 p-n ... – substrate junction에 의해 channel 영역으로 확장된 공핍층이 전체 channel영역에 대해 차지하는 비율이 증가했으며, gate에 의해 컨트롤되는 space ... 한다상은 최소화해야 한다. 즉 값을 최대한 작게 만들어주는 것이 좋다. 그러기 위한 방법으로 위 식에서 3가지 방법을 찾아볼 수 있다. 첫 번째는 substrate의 도핑 농도인

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.11 | 수정일 2021.04.13

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ITRS roadmap 2005 Front End Processes 번역정리

substrate에서 시작하여 contact silicidation processes를 통해 확장되는 단위 및 통합 process뿐만 아니라 도구, material를 포함한다.일부 ... , Devices, and Structures (PIDS) chapter에서 다룬다. Trench 절연을 위한 copper/low-κ dielectrics cleaning과 surface ... 로드맵은 MOSFET, DRAM storage capacitors, FeRAM devices와 관련된 미래의 process 요구사항 및 솔루션에 중점을 둔다. 이 장의 목적은 이러

리포트 | 46페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.21

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[서울시립대 반도체소자] 5단원 노트정리 - MOS Capacitor

voltagefactors: dope concentration, dielectric thicknessstrong inversionorigin of inversion eif speed pulse ... )cond.) 근사식이므로 일 때만 적용.NMOS surface potentialQ substrate5-3. MOS C-V characteristicsmeasurement: s ... 5. MOS capacitorpurp.) PN junction (S, D) 없는 것 제외하면 현재도 사용되는 구조.cond.) body is considered as GND5-1

리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.31 | 수정일 2022.01.24

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[서울시립대 반도체소자] 6단원 노트정리 - MOSFET

6. MOSFET6-1. introstructureSTI[Shallow Trench Isolation]: oxide dielectric separating each ... cattering increase → surface mobility decreaseMOSFET body effectdef.) increase of ← (@ P-substrate)s ... dielectric spacer ← LDD structuredecrease (as much as ) → increase → decreaseincrease. (good or bad

리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.12.31 | 수정일 2022.01.24

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[서울시립대 반도체소자] 7단원 노트정리 - MOSFETs in ICs

dielectric (physically thick & high permittivity).k(relative permittivity) ~ 24 =higher N substrate ... 7. MOSFETs in ICs7-1. (1) scalingpurp.) cost, speed, power consumptiontechnologiesstrained silicon ... def.) to modify carriers' mobility by applying mechanical strainmetal gate & high-k (permittivity

리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.12.31 | 수정일 2022.03.29

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단일층 CVD 그래핀과 유전체 사이의 접착에너지 측정 (Measurements of the adhesion energy of CVD-grown monolayer graphene on dielectric substrates)

한국복합재료학회 서봉현, Yonas Tsegaye Megra, 석지원

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.08 | 수정일 2025.07.11

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이중공진을 사용한 적층기판용 광대역 안테나 설계 (A Wide-band Multi-layer Antenna Design using Double Resonance)

대한전기학회 이국주, 장미선, 이정언, 한명우, 김문일

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.10 | 수정일 2025.06.16

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