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"S-N curves" 검색결과 1-20 / 1,610건

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part.1 신소재공학(재료공학) 대학원 전공 면접 (1/4)

신소재공학(재료공학) 대학원 전공 면접 part.1반도체P-type 반도체와 N-type 반도체원리, 밴드 구조, 도핑 방법왜 dopants가 substitutional site ... 를 매우 크게 주었을 때 일어나는 물리 현상 (light emission, breakdown)I-V curve와 여기에서 찾을 수 있는 의미Depletion 많이 되는 곳과 이유PN ... rule, microstate 등)Gibbs phase rule: F=C-P+NMicrostate: 2차상일 때의 조성, 상 비율 (lever rule)Eutectic

자기소개서 | 3페이지 | 8,000원 | 등록일 2023.05.03 | 수정일 2023.05.04

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한국알박 FPD 장비개발 엔지니어 합격 자소서 + 면접 + 답변 예시

았습니다. 또한, TFT 기술 중 하나인 아몰퍼스 실리콘의 I-V curve 도출을 통해 트랜지스터의 평가 요인과, 드레인과 픽셀 사이의 딜레이가 발생한 이유와 개선 방법을 깨달 ... 지 못하는 dark 영역에서 트랜지스터가 On 되는 현상과 output curve를 이용하여 linear 영역에서 contact 저항이 saddle effect를 발생시키는 현상 ... 부터 해외출장은 당연하다고 생각하고 있습니다.- 중국과 사이판을 나가본 경험이 있는데 이때 해외에서 다른문화를 접하는 것이 정말 재밌었습니다. 또한, 업무적으로는 전문성과 어학능력을 키워 cs엔지니어의 일원으로서 가겠다.

Non-Ai HUMAN
| 자기소개서 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.07.08

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SK하이닉스 (경력) 합격 자기소개서

국내외 특허로 등록될 수 있었음에도 불구하고 Lab-scale에서 그친 연구 성과일 뿐, 실제로 활용을 위한 기술과는 큰 격차가 존재한다는 것에 아쉬움이 생겼습니다. 이 ... 성: Transistor curves 분석, 저온 (100K) 실험 수행-구조적 물성: XRD, TEM, SEM 분석 수행입사 가능 시기 및 기타사항질문 : 입사 가능 시기 및 기타사항답변 ... : SCI 논문 게재 (주저자) 및 국내 특허 출원[2] 트랜지스터 (n-/p-type TFTs)-활용 소재: PbS, PbSe, CdSe 양자점-특성 제어: 표면개질을 통한 n-/p

자기소개서 | 4페이지 | 5,400원 | 등록일 2024.08.07

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[전자회로응용] Characteristics of Enhancement MOSFET 결과레포트 (만점)

1. 실험 주제Characteristics of Enhancement MOSFET2. 실험 목표① MOSFET의 I-V curve에서 triode 영역과 saturation 영역 ... 을 수식으로 정의하고 물리적 의미를 분석하시오.② DC sweep을 이용하여 2N7000 소자의 I-V characteristic을 확인하시오.③ DC sweep을 이용하여 2N ... 7000 소자의 Transfer curve를 확인하시오.④ CS Amp의 gain을 계산하고 sim 및 measure 값과 비교하여 오차를 분석하시오.3. 예상 결과④ CS Amp의 전압이득은 = − 1+ 이고, 여기서 = 2 ( − )이다.

리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.11.22

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[소재의 기계적성질] ABAQUS 시뮬레이션_Final report

. Compression Test1) Comparing to stress - strain curve of tension test2) Barreling effect3. Hardness Test1 ... ) Force - depth curve2) Brinell hardness number(BHN)3) How distance from forced place affect stress4 ... . Torsion Test1) Moment - angle curve2) Shear stress - shear strain curve5. Free Problem : Pendulum

리포트 | 49페이지 | 4,000원 | 등록일 2025.02.03

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물리화학실험 Gaussian tutorial

ⓑ O2 potential energy curveⓒ O2- potential energy curve ⓓ N2+ potential energy curveⓔ N2 potential ... 를 표 3과 같이 알 수 있었다.표 3. FREQ 진동수 결과분자진동수 (cm-1)O2+2500.6200O21998.5514O2-1469.0074N2+2561.8094N22757 ... .0754O21.1677O2-1.2962N2+1.0936N21.0784N2-1.1722NO+1.0405NO1.127NO-1.2476CO+1.0978CO1.1138CO-1.2167OPT

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.11.03

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생화학 14단원 효소의 조절 요약정리

기 때문에 Michaelis-Menten equation을 따르지 않는다. Allosteric site는 sigmoidal curve라고 부르는 S 형태의 kinetic curve ... bamoylaspartate와 orthophosphate를 생성한다. 이 반응은 UTP, CTP를 생성하는 반응의 committed step이다. 즉 N-carbamoylaspartate는 UTP ... 를 만든다. 이는 substrate가 결합할수록 enzyme의 activity가 증가하기 때문이다. 이 curve는 hemoglobin의 oxygen binding affinity c

리포트 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.02.11

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피로실험 - 예비보고서 + 실험보고서

– SOLIDWORKS 도움말 Hyperlink "https://help.solidworks.com/2013/korean/solidworks/cworks/c_sn_curve.htm ... " https://help.solidworks.com/2013/korean/solidworks/cworks/c_sn_curve.htm[출처] 피로시험법 Hyperlink "http ... olidworks/cworks/c_sn_curve.htm" https://help.solidworks.com/2013/korean/solidworks/cworks/c_sn_curve.htm[출처] 피로시험법http://www.randb.co.kr/

리포트 | 9페이지 | 3,000원 | 등록일 2025.03.17

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Silvaco Tcad를 이용한 CMOS 인버터 설계

) 채널 길이 측정7) ID-VG curve8) ID-VD curve9) 인버터 동작 그래프• 실바코 전체 코드GO ATHENA## meshline x loc=0 spac=0.05 ... ‣ 설계 목표45nm gate length의 N/PMOSFET으로 이루어진 CMOS Inverter 구현‣ 달성 조건1) PMOSFET 중 하나는 Depletion mode ... 가지이며, NMOSFET는 Enhancement mode로, PMOSFET은 Depletion mode로 동작하도록 설계함‣ 시작 조건10 Ω의 p-type Si에서 시작‣ 제출

리포트 | 15페이지 | 10,000원 | 등록일 2025.07.16 | 수정일 2025.08.25

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일반물리학실험 자기력실험 레포트

토의-80-1.396263402-0.00774121-0.984807753-0.00774121'•실험 1은 힘과 전류의 그래프를 첨부하고 추세선(fitting curve)를 구한다. ... -90-1.570796327-0.00793719-1-0.00793719'•실험 2는 힘과 길이의 그래프를 첨부하고 추세선(fitting curve)를 구한다.'•실험 3은 힘과 자기 ... 장의 그래프를 첨부하고 추세선(fitting curve)를 구한다.'•실험 4는 힘과 sinθ의 그래프를 첨부하고 추세선(fitting curve)를 구한다.[질문 1] 실험 1

리포트 | 1페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.07.18

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마찰력 fricition 보고

urve will show how friction changes with increasing velocity.Load: 20N (Pin material: Aluminum)Load ... 1. 실험 방법① Aluminum Pin을 핀 홀더에 고정시킨 후 영점 조절을 한다.② 수직 항력(Normal Force) 을 20N 가해준다.③ 디스크의 speed를 10rpm ... Measurement dataPin material: AluminumLoad(N)Speed(rpm)Measured force(N)Friction coefficient(μ)20109

리포트 | 4페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.07.04

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[기계공학-유한요소해석] 인장시험 레포트입니다.

-displacement curves by experimentFig. 3 Nominal stress-strain curves by experimentFig. 4 True stress-s ... -displacement curves본 과제에서는 R-square 값이 보다 높고 Fig. 5에서 초기의 변위를 잘 따라가서 모사할 수 있는 Ludwick 모델을 유동응력 모델로 선정하기로 하 ... 여 Fig. 7과 같이 experiment와 FEM의 load-stroke curve를 비교하였다.Fig. 7 Load-stroke curve comparison between

리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.12.16

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반도체실험 Chemical Vapor Deposition and Electrical Measurements of TMDC

mall,Figure 10에서 Transfer curve로부터 얻을 수 있는 정보에는 semiconductor의 type, mobility, gain factor(device ... reaction과 surface adsorption을 통해 thin film을 증착하는 기술이다. CVD는 Figure 1의 과정으로 진행된다. 먼저 reaction gas가 c ... 이 일어나며, surface diffusion을 통해 thin film이 쌓이거나 연속적인 network를 형성한다. 반응에서 생긴 by-product는 desorption 후

리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.02.03

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[반도체실험] MOS capacitors and transistors

(inversion layer)이 형성된다. Metal-oxide-semiconductor를 가로지르는 점선으로 된 사각형은 MOS-cap(C-V curve의 capacitance ... 를 이용하여 간략하게 설명하시오. Figure SEQ Figure \* ARABIC 8. C-V relation for n-channel (p-sub) MOS capacitor 1 ... ) Strong inversion 영역 Figure 8은 n-channel MOS-cap의 일반적인 C-V 그래프다. 그래프에 나타났듯이, high frequency의 strong

리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.02.03

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삼성전자 파운드리 공정기술 직무면접 준비자료

에 의한 이차효과를 더는 무시할 수 없게 되고, 이를 short channel effect(SCE)라고 함.Vth roll-off, Drain Induced Barrier ... 설명13. PN접합 IV curve 그리고 설명14. HKMG(High K Metal Gate)란?(SiO2대신 사용할 수 있는 절연막? 두께가 얇아질 때 누설전류를 줄일 수 있 ... . EUV공정 원리, 사용하는 이유?1. Si 에너지 밴드?실리콘은 14개 전자로 이뤄짐. 1s-2s-2p-3s-3p, 3p에 전자 2개.근데 실리콘은 결정구조가 sp3 혼성결합으로, 3

자기소개서 | 19페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.09.07

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[분반 1등], [A+], 중앙대학교 전자회로설계실습 11. Push-Pull Amplifier 설계 예비보고서

_{bias}=1k Ω,V_{cc}=12V인 경우, Push-Pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거 ... hannel) : 2대DMM (2channel) : 1대NPN Transistor 2N3904 (Fairchild) : 1개PNP Transistor 2N3906 (Fairchild ... ) : 1개Resistor 저항1kΩ : 1개Resistor 저항100 Ω : 1개UA741cp opamp : 1개3. 설계실습 계획서3.1 Classic Push-Pull

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| 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.09.25 | 수정일 2022.09.30

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[A+] 전자회로설계실습 11차 예비보고서

characteristic curve를 보면 입력전압의 절대 값이 특정전압 이상이 되지 않으면 출력전압이 0에서 미동도 하지 않는 Dead zone이 보인다. 이러한 현상을 발생하는 이유를 설명하라.Push-Pull 증폭기에서 입력전압이 -VEBP ... Power Supply(2channel) : 2대DMM : 1대NPN Transistor 2N3904 (Fairchild) : 1개PNP Transistor 2N3906 ... (Fairchild) : 1개Resistor 저항 1 kΩ : 1개Resistor 저항 100 Ω : 1개UA741cp opamp : 1개3. 설계실습 계획서3.1 Classic Push-Pull

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.06.21 | 수정일 2023.06.23

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[서강대학교 분석화학실험 A+ 레포트] Exp11. 암모니아성 질소 측정 (인도페놀)

urve는 정확한 농도의 표준 시료의 흡광도를 바탕용액으로 보정해 측정한 것을 바탕으로 그려진다. 농도-흡광도에 대한 보정 곡선은 보통 직선 형태를 띠고, 엑셀을 통해 c ... 2H5OH46.070.78978.37-114.1Nitroprusside sodiumNa2Fe(CN)5NO·2H2O261.9181.72Trisodium citrateNa3C6H5O7 ... Figure \* ARABIC 2. 640nm에서의 농도-흡광도 calibration curve이상점이 없고, R2도 0.9964로 꽤 높게 나온 것을 볼 수 있다.시료분석Figure

리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.01.09

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HPLC에 의한 호박과 당근의 Carotenoid 정량

/100 g이다.당근 β-carotene 함량위의 standard curve에 대입하면 β-carotene은 0.5180228, 약 0.518 n mol이다. 당근은 40배 희석 ... 함량위의 standard curve에 대입하면 α-carotene은 0.0169618, 약 0.017 n mol이다. 호박은 10배 희석하였기 때문에 0.017 n mol에 10 ... mg/100 g이다.호박껍질 α-carotene 함량위의 standard curve에 대입하면 α-carotene은 0.1649229, 약 0.164 n mol이다. 호박은 10

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| 리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.01.16

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서울대학교 물리분석실험 NMR spectroscopy 결과 보고서

time을, k는 N,N-dimethylacetamide의 cis-trans isomerization의 속도 상수를 나타낸다.실험 온도(K)Mixing time(s)k(s-1)298 ... )에 따른 lnk(속도 상수, s-1)값 데이터와 calibration curve. Calibration curve의 식은 y=-9255.40x+30.3533, R2값은 0.9998이 ... 할 수 있었다. Jarek et al.(1997)에서 언급된 cis-trans isomerization의 k값은 295.15K에서 0.608s-1, Ea값은 73.1±1.4kJ

리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.07.18

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