"Resistive random-access memory"의 검색결과 입니다.

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PRAM 특허유니버시아드 GMR TMR 응용분야 에너지 대학원 비휘발성 메모리

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"Resistive random-access memory" 검색결과 1-20 / 42건

금속-절연층-실리콘 구조에서의 비정질 GeSe 기반Resistive Random Access Memory의 동작 특성 (Operating Characteristics of Amorphous GeSe-based Resistive Random Access Memory at Metal-Insulator-Silicon Structure)

한국전기전자재료학회 정홍배, 남기현, 김장한

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.11 | 수정일 2025.07.19

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열처리에 따른 Peroxo Titanium Complex 졸 용액 기반 TiN/TiO2/ FTO Resistive Random-Access Memory의 전기적 특성 (Electrical Properties of TiN/TiO2/FTO Resistive Random-Access Memory Based on Peroxo Titanium Complex Sol Solution by Heat Treatment)

한국재료학회 임현민, 이진호, 김원진, 오승환, 서동혁, 이동희, 김륜나, 김우병

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.29 | 수정일 2025.07.04

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플라즈마 표면처리가 TiO2/TiO2-x 저항 변화형 메모리에 미치는 영향 (Effect of Plasma Treatment on TiO2/TiO2-x Resistance Random Access Memory)

한국전기전자재료학회 김한상, 김성진

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.26 | 수정일 2025.05.14

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한양대학교 일반대학원 에너지공학과 학업계획서

에 따른 Peroxo Titanium Complex 졸 용액 기반 TiN/TiO2/ FTO Resistive Random-Access Memory의 전기적 특성 연구, 환경에너지 정책

자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.09.30

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한양대학교 일반대학원 에너지공학과 학업계획서

/TiO2/ FTO Resistive Random-Access Memory의 전기적 특성 연구, SiO2 계면층 밀도에 따른 high-k/SiO2 계면의 쌍극자 형성 및 전기적 특성 ... 적 다공성 탄소 연구, 수소 생산 및 발효 응용을 위한 통합 광전기화학(PEC)-정삼투(FO) 시스템 연구, 결정성 수산화인회석(HAp)의 C축 지향 혈소판 폴리도파민 기능화된 콜라겐 I형의 생체모방 원섬유내 광물화 연구 등을 하고 싶습니다.

자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.09.26

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차세대메모리 반도체(MRAM, PRAM, RRAM) 발표자료

* 이미지 출처 : Weebit * 이미지 출처 : Resistive Random Access Memory (RRAM) Furqan Zahoor, Tun Zainal Azni ... Zahoor, Tun Zainal Azni Zulkifli, Farooq Ahmad Khanday. (2020). Resistive Random Access Memory (RRAM ... lower 1㎂ or lower Cost 2 5 1 3 4 차세대 메모리 반도체DRAM (Dynamic Random Access Memory) 구조 동작원리 • Transistor

리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.03.08

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삼성전자 파운드리 공정설계 직무 최종합_면접 공부 자료(반도체 면접 공부 자료)

(Dynamic Random Access Memory)1 Tr, 1 Cap으로 구성된다. Capacitor에 전자가 축적되면 ‘1’, 방전되면 ‘0’이 cell에 기록된다. 또한 ... 는 특징을 가진다. 대표적으로 NAND Flash가 있는데 NAND Flash는 각 cell이 직렬로 연결되어 있어 Random access가 불가능하고, 각 cell에서 순차 ... carrier보다 작은 상태인 weak inversion 상태가 되며, 해당 상태에서는 C-V Curve가 감소하는 그래프를 가집니다. Strong inversion은 Vt보다 높

자기소개서 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2024.03.28

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단일 벽 탄소 나노 튜브를 이용한 스위칭 레이어Al2O3/HfOx 기반의 멤리스터 (Memristors based on Al2O3/HfOx for Switching Layer Using Single-Walled Carbon Nanotubes)

한국전기전자학회 장동준, 권민우

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.29 | 수정일 2025.05.15

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[A+, 심사통과]캠퍼스특허전략유니버시아드 자료 (저항성메모리)

for Resistive Random-Access Memory (ReRAM), an up-and-coming type of computer memory technology. ReRAM ... 하다.MRAMMRAM 의미MRAM(Magnetic Random Access Memory)은 자기를 이용해 데이터를 기억하는 메모리로서 스핀 의존 전기 전도에 의해 생기는 강자성 터널 자기저항 ... Technologies, and Crossbar, among others.- September 12th, 2017, industrytapGLOBAL RESISTIVE RAM MARKET

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 56페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.03.12

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[반도체 공정 A+] 차세대 메모리 기술 레포트

속도를 더 빠르게 하는 방법과 두 번째로 집적도를 더 높이는 방법의 연구가 필요하다.• ReRAM(Resistive Random Access Memory)ReRAM는 2단자 소자 ... , 2006[2] Technology Trend of Spin-Transfer-Torque Magnetoresistive Random Access Memory (STT-MRAM ... 반도체 공정Future Memory Technologies 레포트제출일 : 2018년 00월 10일00공학과000• PoRAM(Polymer Random Access Memory

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 11페이지 | 3,500원 | 등록일 2018.12.07 | 수정일 2021.11.08

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[Ayeun] 마이크로프로세서응용 2주차 예비보고서 마프(cpu,메모리,명령어구조,MPU,MCU,ATmega128)

과 비슷하지만 데이터를 유지하기 때문에 재생해 주지 않아도 된다.피램(PRAM, Phase-change Random Access Memory) 상변태를 하는 물질을 이용하여 저항차이로 ... 데이터를 저장한다. 디램에 비하여 전력소모가 매우 작은 장점이 있다.차세대 비휘발성 메모리저항변화 메모리(ReRAM, Resistive Random Access Memory) 전압 ... .디램(DRAM, Dynamic Random Access Memory) 데이터를 유지하기 위해 일정 시간마다 재생(refresh)해 주어야 하는 램.에스램(SRAM, Static

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.12.22

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메모리의 개념 과 종류 및 특징

이 긴 이유입니다.ReRAM (Resistance Random Access Memory)ReRAM 소자는 일반적으로 금속산화물을 이용한 MIM(Metal-Insulator-Meal ... 합니다. 메모리제품은 크게 두 종류로 나뉘어 집니다. 기억된 정보를 읽어내기도 하고 다른 정보를 기억시킬 수 있는 메모리인 RAM(Random Access Memory)과 읽는 것 ... 고 있는 것입니다.비 휘발성 메모리 (Non-Volatile Memory)비 휘발성 메모리의 특징은 앞 내용과 같이 전원이 공급되지 않아도(꺼져도) 입력된 정보가 지워지지 않는 메모리

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.08.20

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비휘발성 차세대 메모리

RAM) 등이 있습니다.ReRAM (Resistance Random Access Memory)ReRAM 소자는 일반적으로 금속산화물을 이용한 MIM(Metal-Insulator ... 스위칭 특성height 변화에 의한 스위칭 특성이 나타나게 됩니다.PRAM (Phase Change Random Access Memory)PRAM은 최근에 주로 연구가 되고 있 ... Emerging Non-volatile Future MemoryFuture memory technologies정보화와 통신화가 가속됨에 따라 문자, 음성 및 영상의 복합적 이용

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.08.20

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차세대 메모리 종류와 특징

Random Access Memory)ReRAM 소자는 일반적으로 금속산화물을 이용한 MIM(Metal-Insulator-Meal) 구조로서 적당한 전기적 신호를 가하면 저항이 큰 전도 ... Future memory technologies정보화와 통신화가 가속됨에 따라 문자, 음성 및 영상의 복합적 이용과 쌍방향 소통이 가능한 기기가 요구되고 있습니다. 이를 위해서 ... . 기존의 DRAM 공정은 1T-1C 구조의 cell를 이루고 있는데 capacitor공정의 난이도가 점점 더 올라가게 되어, 높은 수율을 가지는 DRAM cell의 제작이 점점

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| 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.08.20

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Morphology(형태소) 내용요약정리본(개념, 분류 등)_영어학개론/언어학개론(An Introduction to Language)

),TBA(To Be Announced),UN, USA, ASAP? SALT(Strategic Arms Limitation Talks), RAM(Random Access Memory ... -possibleun-kind, ir-resistable, in-decent, im-polite? Suffixex) happi-ly, writ-er, rac-ist play-edlate-ly ... 1. What is morphology?? morphology(어형론, 형태론) = morph(“(word)form”) + -ology(“study of”)? the study

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| 시험자료 | 8페이지 | 3,500원 | 등록일 2020.03.20

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TMR GMR 정리 및 최근 연구 동향

및 대용량 정보화 시대에 가장 적합한 신 전자 소자가 될 것이다.본지에서는 Magnetic Random Access Memory 에서 capacitor 역할을 하는 Tunneling Magnetic Resistance 와 2007년 노벨상을 수상한 G ... 전자는 전하와 스핀을 갖고, 그 스핀은 up-spin과 down-spin으로 이루어 져있다. 트랜지스터가 발명된 이래 기존의 일렉트로닉스 산업을 지탱해온 반도체 디바이스는 전자 ... 의 전하만 이용하였다. 최근까지 전자의 상태를 up-spin 과 down-spin으로 구별 할 수 없었기 때문에 자성체의 전자전도는 별로 주목 받지 못했고, 반도체에 전자스핀이 이용

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| 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.29

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반도체기술

다.* FRAM(Ferroelectric Random Access Memory) : 강유전체 메모리?장점① 분극 특성을 이용하는 메모리로서 전원을 꺼도 정보가 소실되지 않는 비휘발성 ... 특징② 기존의 플레쉬 메모리와 비교해 낮은 전압에서 고속으로 정보를 읽고 쓸 수 있다.* MRAM(Magnetic Random Access Memory) : 자기메모리SRAM ... 하는 기술 - 균일성은 좋으나 성장속도 느림?특징 : 초 미세 층간 증착이 가능하고 산화물과 금속 박막을 최대한 얇게 쌓을 수 있다* SOI(Silicon On Insulator

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| 리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.03.28

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비휘발성 차세대 메모리에 대해 조사

* 비휘발성 차세대 메모리의 개요비휘발성 차세대 메모리는 데이터의 비휘발성, 빠른 처리 속도, 데이터의 무작위적 접근(random access), 최소 전력 소비, 초소형, 안전 ... 반도체를 대표하는 DRAM과 Flash Memory는 서로 보완적인 장단점을 가지고 있다. DRAM은 동적 랜덤 액세스라는 이름처럼 저장된 자료에 접근하는 경로가 자유롭기 때문 ... halcogenide) 합금이 PRAM의 가변저항의 물질로 연구되고 있다.Phase Change Memory 기술은 DVD-RW의 기술에 대한 응용으로 다양 한 방향에서 연구

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.12.08

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반도체이론

TransformationRectificationAmplificationMemoryCalculation ControlROM(Read Only Memory) RAM(Random Access Memory)반도체의 기능*반도체의 기능 ... Small Resistivity Large10-6 10-4 10-2 10-1 101 102104 106 108 1010 1012 1014 1016 10181020 ... (SiO2)를 형성 공정*감광액 도포(Photo Resist Coating)반도체 제조 공정*노광 공정(Exposure Process)반도체 제조 공정STE-PPER를 사용하여 MASK

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| 리포트 | 35페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.17 | 수정일 2019.06.20

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ReRAM(Resistive Random Access Memory)의 동작 특성 및 개발 현황

Resistive Random Access Memory차세대 비휘발성 메모리ReRAM의 특성초거대 자기저항 물질을 전극사이에 삽입하여전기장에 의한 저항의 변화를 이용하는 메모리 ... .7Ca0.3MnO3Cr-STO ,Cr-SZO,..Resistive Random Access MemoryCMR (PCMO) cell for ReRAMCMR (Colossal ... magnetoresistance) PCMO (Pr0.7Ca0.3MnO3)Resistive Random Access MemoryCr-Doped SrZrO3/SrRuO3 perovskite

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.12.01 | 수정일 2021.08.12

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