"ReRAM"의 검색결과 입니다.

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반도체 레포트 PRAM RRAM 비휘발성 메모리 amk ReRAM PRAM MRAM종류

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"ReRAM" 검색결과 1-20 / 53건

산화 그래핀을 절연층으로 사용한 유연한 ReRAM과 다층 절연층 ReRAM의 제작 방법 및 결과 비교 (A Review: Comparison of Fabrication and Characteristics of Flexible ReRAM and Multi-Insulating Graphene Oxide Layer ReRAM)

대한전기학회 김동균, 김태헌, 윤태환, 박정호

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.10 | 수정일 2025.07.19

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ReRAM 실험 예비레포트

예비 레포트- 실험날짜 : 2018년 10월 08일- 예비이론• Metal Oxide를 이용한 ReRAM 종류 및 메커니즘, 그리고 다른 물질을 이용한 ReRAM과 비교하였을 때 ... 의 장단점ReRAM 소자는 하부전극은 접지되고, 상부전극에 인가되는 바이어스를 조절하여 동작하게 된다. 소자의 동 작은 크게 셋과 리셋을 동작시킬 때 사용되는 전압의 극성에 따라

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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양극 산화법에 의해 성장된 산화막(Binary Oxide)의 가역적 저항 변화 특성 연구 (Resistive switching characteristics in binary oxide films grown by anodizing technique for ReRAM applications)

한국물리학회 서홍우, 임현식, 김남빈, 김용민, 김형상, 정규호, 정웅

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.27 | 수정일 2025.05.14

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차세대 반도체 메모리 소자와 ReRAM의 메커니즘과 응용 실험 레포트

예비 레포트- 실험날짜 : 2018년 05월 22일- 실험제목 : 차세대 반도체 메모리 소자와 ReRAM의 메커니즘과 응용- 예비이론• 차세대 메모리의 종류 및 기존 메모리 ... 라고 부른다.• 저항변화 메모리 소자의 동작방식에 따른 분류ReRAM 소자는 하부전극은 접지되고, 상부전극에 인가되는 바이어스를 조절하여 동작하게 된다. 소자의 동 작은 크게 셋과 리셋 ... 브리지가 형성되게 되며, 이 과정을 ReRAM에서 포밍(or soft break-down)과정이라 부르며, 이는 소자의 상태가 고저항상태(HRS)에서 저저항상태(LRS)가 되

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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뉴로모픽 기반의 저항 변화 메모리 소자 제작 및 플라즈마 모듈 적용 공정기술에 관한 융합 연구 (Convergence Study on Fabrication and Plasma Module Process Technology of ReRAM Device for Neuromorphic Based)

한국융합학회 김근호, 신동균, 이동주, 김은도

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.26 | 수정일 2025.05.14

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ReRAM(RRAM) 리포트

정보의 집적화 현상이 심화됨에 따라, 더 많은 정보를 더욱 빠르게 처리할 수 있는능력을 가진 반도체 소자가 필요하다. 이 때문에 시스템의 성능 향상이 필수적이며 그 핵심부품인 메모리 소자의 초고속화, 초고집적화 및 초절전화가 관건이다. DRAM 공정은 1-TR/1Cap..

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.01.31

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ReRam,RRAM,저항메모리 기능과메카니즘

, NFGM, ReRAm, PoRAM, MRAM 분자전자 소자등이 있다.2. ReRAM이란?저항 메모리(Resistive RAM: RRAM 또는 ReRAM)는 차세대 비휘발성 ... 메모리의 한 종류이다.ReRAM기술은 짧은 전기 펄스를 가하여 일어나는 금속 산화물의 저항변화를 이용하여 메모리 셀 당 한 개 이상의 데이터 비트를 저장하는 원리이다. ReRAM ... Resistive Switching 현상을 이용한 ReRAM 소자를 개발하기 위해 선행연구를 진행하고 있다. 대학 연구소의 경우, 광주과학기술원, 한양대, 충남대, 동국대, 서울대 등

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.03.07

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ReRAM(Resistive Random Access Memory)의 동작 특성 및 개발 현황

Resistive Random Access Memory차세대 비휘발성 메모리ReRAM의 특성초거대 자기저항 물질을 전극사이에 삽입하여전기장에 의한 저항의 변화를 이용하는 메모리 ... 시켜서 저항의 차이가 생기게 만드는 메모리(Chalcogenide물질이용)ReRAM의 특성Phase Change Memory Chalcogenide (GeSe..) Thermally ... tates) 인가전압 크기에 따라 소자의 저항특성이 변화하여 전류의 단속(온('1'), 오프('0')) 상태를 메모리로 이용ReRAM의 장점플래시메모리의 단점인 정보의 쓰기·지우기

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.12.01 | 수정일 2021.08.12

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차세대메모리 반도체(MRAM, PRAM, RRAM) 발표자료

(PcRAM, V-ReRAM, STT-MRAM 등 ) ㆍ여러 기업의 경쟁을 통해 설계ㆍ공정 기술이 빠르게 개선 중 ㆍ차세대 메모리 시장에서의 기술우위를 점하기 위해 기술개발 , 인력양성

리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.03.08

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금속-절연층-실리콘 구조에서의 비정질 GeSe 기반Resistive Random Access Memory의 동작 특성 (Operating Characteristics of Amorphous GeSe-based Resistive Random Access Memory at Metal-Insulator-Silicon Structure)

한국전기전자재료학회 정홍배, 남기현, 김장한

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.11 | 수정일 2025.07.19

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뉴로모픽 시스템을 위한 간단한 SPICE 멤리스터 모델 (Simple SPICE memristor model for neuromorphic system)

한국센서학회 최규민, 박병준, 류기홍, 함성호

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.29 | 수정일 2025.05.15

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(A+ 컴퓨터의이해 1학년) 슈퍼컴퓨터에 대하여 설명하라 메타버스가 이용되는 사례를 하나만 선택하여 설명하라 반도체 기억장치의 발달과정에 대하여 설명하라

는 Memory)ReRAM은 핵심 소자인 저항 값을 바꾸어 데이터를 저장하는 기술이다. 2020년대 이후, ReRAM은더 높은 저장 밀도와 더 낮은 전력 소비를 제공하여, 인공지능 ... 분야에서 많은 관심을 받고 있다. ReRAM은 인공 신경망 알고리즘을 하드웨어로 구현할 수 있어서, 기존의 전력 소모가 큰 인공 신경망을 대체할 수 있는 가능성이 있다.2. 가상

방송통신대 | 9페이지 | 5,500원 | 등록일 2023.04.13

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PCB에 구현한 멤리스터 에뮬레이터 회로 및 응용 (Practical Implementation of Memristor Emulator Circuit on Printed Circuit Board)

한국전기전자학회 최준명, 신상학, 민경식

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.29 | 수정일 2025.05.15

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PMMA-HfOx 유-무기 하이브리드 저항변화 메모리 제작 (Fabrication of PMMA-HfOx Organic-Inorganic Hybrid Resistive Switching Memory)

한국전기전자재료학회 백일진, 조원주

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.18 | 수정일 2025.06.26

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빠른 회로 시뮬레이션을 위한 멤리스터의 전류-전압 및과도 동작 콤팩트 Verilog-A 모델 (Compact Verilog-A Model of Current-Voltage and Transient Behaviors of Memristors for Fast Circuit Simulation)

한국전기전자학회 조승명, 오석진, 윤리나, 민경식

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.29 | 수정일 2025.05.15

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SK하이닉스 (경력) 합격 자기소개서

, 산화물 나노소재를 기반으로 트랜지스터, 전극 회로, 센서, ReRAMs, 암호화 기술 등을 연구해왔습니다. 하지만 해당 연구들은 모두 우수성을 인정 받아 SCI 논문으로 게재 및 ... 합니다. 제가 학위기간부터 박사후연구원까지 수행한 ReRAMs 개발, 공정 (포토리소그래피 및 잉크젯 등), 트랜지스터 (FETs, TFTs) 기술, 그리고 적극적인 협업을 통해 얻은 정량 ... 습니다:[1] 메모리 소자 (ReRAMs) 개발-활용 소재: 금속 할라이드 페로브스카이트 나노입자-특성 제어: 물(H2O)을 활용한 표면 결함 (Surface defects) 제어

자기소개서 | 4페이지 | 5,400원 | 등록일 2024.08.07

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경북대학교 일반대학원 인공지능학과(인공지능대학원) 수학계획서

1. 주요 연구(관심)분야 또는 희망전공저는 사람 재식별을 위해 사전 훈련된 네트워크로 롤백하는 연구, 20nm 이상을 위한 캡슐화 프로세스를 갖춘 신뢰성 높은 ReRAM 기술

자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.06.13

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성균관대학교 기술경영전문대학원(MOT) 학업계획서

, 차세대 메모리(MRAM, ReRAM, PCM) 기술 상용화 전략 연구, 연구기관 기술이전 단계별 효율성 분석 모델 연구, 국가별 기술 경쟁력 지표 분석과 정책적 시사점 연구 등

자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2025.10.06

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중앙대학교 일반대학원 차세대반도체학과 학업계획서

에너지 및 공간 효율적인 CMOS 시냅스 및 뉴런 연구, 용량성 삼항 MAC 작동을 갖춘 변형 허용 및 낮은 R 비율의 메모리 내 컴퓨팅 ReRAM 매크로 연구, 주파수 가중 MTI

자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.03.11

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연세대학교 인공지능대학원 인공지능학과 학업계획서

기 어레이 기반 AI 가속기에 대한 테스트 및 장애 복구 전략 연구, 20nm 이상을 위한 캡슐화 프로세스를 갖춘 신뢰성 높은 ReRAM 기술 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 한국어

자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.11.23

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