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"PSPICE NPN IC VBE" 검색결과 1-20 / 54건

  • NPN PNP BJT Gummel PLOT IC VCE VBE 전류전압특성 내부커패시턴스 대역폭 반도체 소자분석 Bandwidth pspice
    .1483.4114.7096.029프로브스테이션과 소자분석기로로 구한 값IC IBIC-Vbe gummelIB-VBEIC-VBENPNModel parameters* Description ... -n capacitance farad 0.0 CN quasi-saturation temperature coefficient for hole mobility 2.42 NPN 2.20 ... PNP D quasi-saturation temperature coefficient for scattering-limited hole carrier velocity 0.87 NPN
    리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.03.08
  • 판매자 표지 자료 표지
    전자회로실험 - BJT기본특성(Pspice 모두 첨부)
    하고, PSpice를 이용하여 실험 회로 2의 IC- V _{EB}, IC- V _{BC}, IC- V _{EC} 그래프를 그리시오. Pspice를 이용하여 설계한 회로 및 IC-VBE ... } 사이의 관계를 공부하고, PSpice를 이용하여 실험 회로 1의 IC- V _{BE}, IC- V _{CB}, IC- V _{CE} 그래프를 그리시오. Pspice를 이용 ... 할 수 있다. (6) PSpice를 이용하여 실험회로 1, 2에서 IB, IC, IE 전류를 측정하고, 각 동작 영역에서 α, β를 구하시오. < 실험회로 1 > (전류의 방향
    리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.03.20 | 수정일 2025.03.25
  • [전자회로실험] BJT 기본특성
    실험의 회로 구성이다. Vcc를 12V로 고정한 후 Vsig값을 변화시키면서 전류를 측정하였다.아래는 npn BJT의 IC_VBE 그래프이다.아래는 npn형 BJT의 Vo 값 ... 로alpha _{F} I _{DE} 만큼의 전류가 흐르게 된다.그림 4-7(a)는 능동영역에서의 npn형 BJT의 전류 ? 전압 관계를 보여주고 있다. VBE전압이 0.7V보다 크 ... IcVbe 전압 사이의 그래프이다. 식(4.1)과 같이 지수 함수의 특성을 가지고, 0.5V 부근에서 전류가 흐르기 시작하고, 0.7V 부근에서 전류가 많이 흐를 수 있
    리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.02.04 | 수정일 2022.05.25
  • 판매자 표지 자료 표지
    전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 결과보고서
    동작 영역을 알 수 있다.)[표 4-3] IC-VBE 특성 확인을 위한 측정 데이터 (R_B=10kΩ,R_C=100Ω)Vsig 전압VBE 전압(V1 전압) [V]베이스 전류 (IB ... 한다.[표 4-5] IC-VCE 특성 확인을 위한 측정 데이터 (R_B=10kΩ,R_C=100Ω)VCC 전압VCE 전압[V]베이스 전류 (IB)[mA]컬렉터 전류 (IC)[A]VBE전압 ... 한 상태에서 Vsig에 6V의 DC전압을 인가하고, VO전압이 6V가 되는 RC를 구해서 [표 4-2]에 기록하시오. 예비 보고 사항에서 PSpice를 이용해서 구한 값 부근에서 Rc값
    리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.05.13 | 수정일 2024.11.15
  • 판매자 표지 자료 표지
    [실험06] 공통 이미터 증폭기 예비레포트
    [실험 05]의 바이어스 회로를 결합한 실험회로 2([그림 5-7])에서 PSpice를 이용하여 iB, iC, iE, VB, VC, VE를 구하고, 전압 이득을 구하시오 1) iB ... , iC, iE 2) VB, VC, VE 3) 전압이득 전압이득 = 8.4 V/V 7. Pspice simulation 8. 참고 문헌 (1) 단계별로 배우는 전자회로 실험 (한빛아카데미, 이강윤) (2) 강의자료 PPT (실험3, 정전압 회로와 리미터) ... 또는 폭을 적용할 수 있는 장치이다. 5) Q2N4401 (npn형 BJT) : 6) 저항: 전류의 흐름을 제어하는 장치로서 전압과 전류를 옴의 법칙 V = IR로 저항값을 알 수
    리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2025.02.27
  • 판매자 표지 자료 표지
    서강대학교 22년도 전자회로실험 5주차 결과레포트 (A+자료)
    , VBE는 다이오드의 턴온전압과 비슷한 0.7V 이상일 때 조건을 만족시킨다. 능동영역에서 IC는 VCE가 변한다 해도 큰 변화가 없이, current source처럼 동작하게 된다. ... 트랜지스터의 전압-전류 특성의 위의 사진과 같다. IC와 IB의 비를 β라고 하고, 이는 보통 100~200의 큰 값이다. 하지만 IE와 IC의 비인 α는 1에 매우 가까운 수치가 된다 ... .BJT는 VCE, VBE에 따라 동작 영역이 바뀌게 되는데, 일반적으로 가장 많이 BJT를 활용할 수 있는 영역은 능동영역으로, VCE가 VCEsat (=0.4V) 이상이고
    리포트 | 32페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.03.24
  • 판매자 표지 자료 표지
    전자공학실험 5장 BJT 바이어스 회로 A+ 예비보고서
    ]는 가장 기본적인 전압분배 바이어스 회로이다. 이 회로는 저항 RB1 또는 RB2의 변화에 따라서 VBE 전압과 Ic의 변화가 심한 단점이 있다.[그림 5-3(a)]는 [그림 5 ... 스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다.2 실험 기자재 및 부품DC파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기, Q2N4401(npn ... 보고 사항(1) 실험회로 1([그림 5-4])에서 PSpice를 이용하여V_BB=4V,I_C=I_E=1mA가 되는R_B1,R_b2,R_c 값을 결정하시오.: 실험회로 1에서V_CC
    리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.04.09
  • 판매자 표지 자료 표지
    전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 예비보고서
    _CB,I_C-V_CE 사이의 관계를 공부하고, Pspice를 이용하여 실험회로1의 IC-VBE, IC-VCB, IC-VCE 그래프를 그리시오. ... 도 및 출력 저항을 측정을 통해 확인한다.2 실험 기자재 및 부품-DC파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오슬로스코프, 함수발생기, Q2N4401(npn형 BJT)1개, 저항 ... , 커패시터3 배경 이론BJT는 p형과 n형 반도체 3개를 결합하여 만든 소자로서, 그 구성에 따라서 npn형과 pnp형으로 나뉜다. [그림 4-1(a)]는 npn형, [그림 4-1(b
    리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.04.09
  • 판매자 표지 자료 표지
    전자회로설계실습 6 예비보고서 Common Emitter Amlifier 설계
    )1. 목적Rsig = 50 Ω, RL = 5 kΩ, VCC = 12 V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 Rin이 kΩ단위이고 amplifier gain(υo/υin ... ) 적절한 수식을 사용하여 (B)의 gm을 얻기 위한 IC를 구하고 IB, IE를 구하라.IC = gmVT, IB = IC/β, IE = IB + IC 의 관계식을 이용하여 구할 수 있 ... 에 흐르는 전류 IB’는 collector에 흐르는 전류 IC의 1/10이 되도록 하는 것이 적당하다.I _{B} '`=` {I _{C}} over {10} `=`0.1`mA,R
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.29 | 수정일 2022.03.31
  • 설계실습 6. Common Emitter Amplifier 설계 예비
    전자회로 설계 및 실습6. Common Emitter Amplifier 설계 예비보고서1. 목적Rsig =50 Ω, RL =5kΩ, VCC =12 V인 경우, β=100인 NPN ... ) = 40mA/V 이다.(C) 적절한 수식을 사용하여 (b)의 gm을 얻기 위한 IC를 구하고 IB, IE를 구하라.Ic = gm Vt = 1mAIb = Ic /B = 1/100 ... mAIe = Ib + Ic = 0.01mA + 1mA = 1.01mA 가 된(D) 앞의 결과들을 사용하여 collector 바이어스전압 VC를 구하라.Vcc가 12V이므로Vc
    리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.09.14
  • 서울시립대 전자전기컴퓨터설계실험3 예비레포트 12주차
    VBE = 0.7V (cut-in Voltage), β=100, ICβIB 라고 가정한다.Figure SEQ Figure \* ARABIC 3. Base, Collector 바이어 ... 다..MODEL Q2n3904 npn+IS=1.26532e-10 BF=100 NF=1.5 VAF=1000+IKF=0.0272221 ISE=2.30771e-09 NE=3.31052 BR ... Bipolar 트랜지스터를 사용한 voltage follow 회로이다. PSPICE 등으로 증폭기 회로를 구현하시오.Figure SEQ Figure \* ARABIC 1
    리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.03.10
  • 판매자 표지 자료 표지
    전자회로실험_프로젝트
    시킬 것이다.(참고사항)이론값을 계산할 때 NPN BJT인 2QN 3904에서 β, Is와 같은 상수값은 pspice model text에 나와있는 값을 기준으로 사용하였다.(Is=6 ... 으로 설정하자. VBE=0.6794V로 가정하면 VB-VBE=3-0.6794=2.32V이므로 IE=0.00116A이다. β=416.4이므로 IC?IE로 가정하면 Ic?IE=0 ... }} 2는 전압을 분배하여 동작점인 VBE를 조절하고, RE 역시 degeneration을 만들어 동작점을 설정하지만 gain을 감소시킨다. 이를 해결하기 위해 C3를 병렬로 배치
    리포트 | 7페이지 | 5,000원 | 등록일 2024.08.31 | 수정일 2025.03.28
  • 설계실습 7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 예비
    ) : 1대DC Power Supply(2channel) : 1대DMM : 1대NPN Transistor: 2개2N3904 TO-92(Fairchild)Variable Resistor ... 에 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 입력하였을때의 출력파형을 PSPICE로 Simulation하여 제출하라. 모든 node의 전압과branch의 전류가 나타난 회로도와 이때 ... 의 출력파형을 PSPICE로Simulation하여 제출하라. 출력전압의 최대값(�턬ax ), 최소값(.m in .)은 얼마인가?max��.�턬in를 %로 구하라.PSPICE s
    리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.09.14
  • 서울시립대 전자전기컴퓨터설계실험3 예비레포트 11주차
    여 BJT의 Base, Collector 바이어스 전류를 계산하시오VBE = 0.7V (cut-in Voltage), β=100, ICβIB 라고 가정한다.Figure SEQ ... mA측정값30.33A2.218mA오차율약 7.7%약 21.3 %오차는 처음에 가정한 VBE 값과 β값의 차이 때문이라고 생각한다.[2-3] [1] 회로에 대해 PSPICE 등 ... 하고 입력에 대한 출력을 확인한다.실험 방법 및 예상 실험 결과(Simulation)다음은 실험에 사용한 q2n3904의 parameter 값이다..MODEL Q2n3904 npn
    리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.03.10
  • 트랜지스터 특성 실험
    실험 1. 클램퍼 회로(예비보고서)※실험목적1. 클램퍼의 출력 전압을 계산하고, 측정한다.2. PSpice를 이용하여 클램퍼 회로의 시간 영역(과도) 해석을 수행한다.※관련이론 ... 을 사용하여 트랜지스터의 형태 (npn, pnp), 단자, 재료를 결정한다.2. 커브 트레이서를 사용하여 트랜지스터의 컬렉터 특성곡선을 그린다.3. 트랜지스터의 α와 β 값을 결정 ... 트랜지스터와 전계 효과 트랜지스터로 구분되는데 여기 실험에서는 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)를 다룬다. BJT는 다시 NPN과 PNP로 나뉘어진다.여기서 다이오드의 PN접합에서 P
    리포트 | 11페이지 | 4,000원 | 등록일 2021.10.12
  • 판매자 표지 자료 표지
    RF 리모컨
    와 메모리 설계등 다양하게 응용될 수 있다. BJT의 기본 원리는 두 단자 사이의 전압(VBE)를 이용하여 제 3의 단자인 IC를 제어하는 것이다. 물리적인 동작모드는 활성모드, 차단모드 ... 의 작동 원리를 분석하고, RF 리모컨 송신 및 수신 회로의 저항, 바이어스 등을 계산한 후 PSpice를 이용하여 시뮬레이션으로 값을 확인한다. 이론값과 출력 결과를 비교하여 문제점 ... 접합 트랜지스터)의 줄임말이다.2개의 PN접합으로 이루어진 트랜지스터이기에 이러한 이름을 갖는다.NPN과 PNP의 2가지 형태가 있으며, 가운데 단자를 Base(베이스), 양 끝
    리포트 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.09.23 | 수정일 2023.10.10
  • (예비레포트) 전자회로 설계 및 실습 Common emitter amplifier 설계 실험6
    }=12V 인 경우,beta=100인 NPN BJT를 사용하여R _{i n}이 kΩ단위이고 amplifier gain(V _{0}/V _{i n})이 -100V/V 이며 emitter ... (2channel) 1대?DC Power Supply(2channel) 1대?DMM 1대?NPN Transistor 2N3904 TO-92(Fairchild) 2개?가변저항 100k ... IC를 구하고 IB, IE를 구하라.IC=gmVT=0.04*25mV = 1mA, IB=Ic / = 1/100 = 0.01mA, IE=IC+IB=1.01mA이다.3.1.4앞의 결과
    리포트 | 8페이지 | 3,600원 | 등록일 2020.04.13
  • 2019학년도 3학년 1학기 중앙대 전자회로설계실습 6. Common Emitter Amplifier 설계 예비
    1. 목적Rsig = 50 Ω, RL = 5 ㏀, VCC = 12 V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 Rin이 ㏀단위이고 amplifier gain(vo/vin ... Generator: 1대Oscilloscope(2channel): 1대DC Power Supply(2channel): 1대DMM: 1대NPN Transistor2N3904 TO-92 ... 기 위한 IC를 구하고 IB, IE를 구하라.- 상온에서 VT?25mV이므로I _{C} =g _{m} V _{T} =40*0.025`(mA)=1`mA,I _{B} = {I _{C
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.09.21
  • 푸시-풀 증폭기 결과보고서
    는 AB급 동작을 사용하게 된다.? 상보-대칭 증폭기(단일전원)푸시-풀 증폭기에서는 NPN과 PNP 트랜지스터를 이용하여 신호가 양일 때와 음일 때 각각의 트랜지스터가 활성화되어 선형 ... ) 최대 신호에서 Vcc와 시험점에서 직류전압 그리고 Q2, Q3에 흐르는 전류 Ic2, Ic3를 측정하여 기록한다.(5) 그때의 시험점에서 신호 전압의 Vpp를 측정하여 기록 ... Rl 양단을 단락시킨다.(14) 과정 4, 5를 반복한다.5. PSPICE 시뮬레이션그림 19-7회로Rin을 조절하여 아래와 같은 일그러짐 없는 출력을 얻었다.? 상보 대칭 증폭기
    리포트 | 7페이지 | 5,000원 | 등록일 2020.04.02
  • 전자회로실험1 5주차예보
    가 있다. VCE에 따라서는 값이 초반에는 증가하다가(포화모드) 어느 순간 이후부터는 VCE에 관계없이 일정한 값을 IC가 유지한다.(능동모드) 이때는 오로지 VBE값에만 IC가 변화 ... 가 일어나는데 Vin값이 VBE의 값을 결정하기에 때문에 각각 2V, 4V, 6V가 될 때마다 IC의 일정하게 유지되는 값이 각각 증가하게 된다. ... _{T}} ))`=` {I _{C}} over {V _{T}}3.대신호/소신호 모델- 그림 5-3은 npn형 BJT를 대신호/소신호 모델을 적용한 경우, 바이어스 점의 베이스-이미터
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.07.29
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2025년 10월 15일 수요일
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