"MOSCAP"의 검색결과 입니다.

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mosfet moscap nanohub 반도체 면접 삼성전자 면접 MOSCAP MLCC mos capacitor high k

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"MOSCAP" 검색결과 1-20 / 41건

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moscap 기술기획

MOSCAP 기술기획 및 웨이퍼 분할 보고서(HfAlO – HfBO 이중층 구조)1. 개요본 문서는 Metal – SiO₂ – Al₂O₃ – HF₀․₈Al₀․₂O – Hf₀ ... ․₈₄B₀․₁₆O – Al₂O₃ – SiO₂ – Si 로 구성되는 이중 트랩층 MOSCAP 구조(HfAlO – HfBO) 기반의 기술기획 및 웨이퍼 분할 전략을 기술한다.2. 구조 스펙

리포트 | 1페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.11.07

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moscap 기술기획

MOSCAP 기술기획 보고서 및 웨이퍼 분할 보고서1. 대상 구조메탈(TaN) / SiO2(1nm) / Al2O3(1.6nm) / SiB(z)Al(y)O(x) (x=2.2264 ... 막 기반 트랩형 MOSCAP 메모리 기획. 메모리 구조 및 공정 힌트 기반으로 기획 단계의 방향성 정의.3. 기술 핵심 포인트• 터널막 2.3nm 선택 → 누설/RTN 대비 우위

리포트 | 1페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.11.02

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저가형 moscap 제작

MOSCAP 기술기획 보고서구조: Metal(TaN) / Al2O3(1.6nm) / Al2O(2.76)(5.5nm) / SiO2(2.6nm) / Si1. 개요본 보고서는 산소결핍 ... 형 Al-O 기반 전자트랩 구조 MOSCAP의 기술 기획을 다룬다.2. 스택 설계- Gate Metal: TaN- Blocking: Al2O3 1.6nm- Trap Layer

리포트 | 2페이지 | 10,000원 | 등록일 2025.11.04

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MOSCAP 기술기획보고서

MOSCAP 기술 기획 보고서 및 웨이퍼 분할 보고서개요본 보고서는 TaN / SiO₂(1.0 nm) / Al₂O₃(1.6 nm) / SiB(0.1)Al(0.3)O(2.392 ... ) (5.5 nm) / Al₂O₃(1.6 nm) / SiO₂(2.3 nm) / Si 구조를 기반으로 한 MOSCAP 기술 기획 및 웨이퍼 분할 계획에 대한 내용이다.구조 설명해당 구조 ... 계획총 웨이퍼 수량 25ea 기준으로, 3개 조성 스윕 및 터널 산화 두께 2 옵션 조합으로 웨이퍼 분할을 진행한다.결론본 구조 기반 MOSCAP은 트랩 기반 장기 보유형 메모리 가능성을 지닌다.

리포트 | 1페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.11.03

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MOSFET, MOSCAP 측정 실험 Report

상용 Transistor 측정박OOAbstract본 실습에서는 크게 MOSFET의 I-V 및 C-V 특성 2가지를 분석하였다. 첫번째, Keithley 4200-SCS를 이용하여 MOSFET의 각 Gate, Drain에 인가한 Voltage에 따른 Current를 분석..

리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.03.28

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MOSCAP_기술기획_및_웨이퍼분할보고서

MOSCAP 기술기획 및 웨이퍼 분할 보고서작성일: 2025-10-301. 요약(Executive Summary)본 문서는 다음 스택을 기반으로 한 비휘발성 MOSCAP(트랩

리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.10.31

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MOSCAP_기술기획_및_웨이퍼분할보고서

MOSCAP 기술기획 및 웨이퍼 분할 보고서1. 프로젝트 개요프로젝트명: 고보유·저전압 MOSCAP 구조 개발개발 목표: DRAM급 판독속도(15–35ns)와 장기 보유(Et

리포트 | 2페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.10.31

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Hf기반 VO 제어형 트랩층을 적용한 MOSCAP구조안

A~F안 설계 방안 비교 기술 보고서 (Full 10-page Draft)1. 서론본 보고서는 Hf 기반 산소공공(VO) 제어형 트랩층을 적용한 MOSCAP 구조의 비휘발성

리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.11.07

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moscap 4가지 구조 스펙 제안 보고서(검토요청)

MOSCAP 공정별 실험 계획서 – 4가지 구조 (업데이트 버전)요청 반영: User MOSCAP = Al₂O₃ 1.0 nm, Et_eff = 2.4 eV1. 개요본 문서 ... 는 SiO₂–HfO₂–Al₂O₃–TaN 기반 MOSCAP에서 Turbo-RAM, Deep-Store, User MOSCAP(업데이트), Et-Optimized Hybrid의 네 가지 구조 ... 를 비교하고, 각 구조의 공정 파라미터/측정 항목/예상 성능/성공률을 제시한다. User MOSCAP의 Al₂O₃ 두께를 1.0 nm로, Et_eff를 2.4 eV로 확정하였다.2

리포트 | 2페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.10.26

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MOSCAP 전기적 특성

전자재료물성 실험 및 설계2MOSFET의 전기적 특성 관찰결과실험 1)실험 2)고찰오늘 실험에서 Gate 바이어스와 Drain 바이어스값을 변경하면서 MOFET이 동작하는 지점을 확인하는 실험을 했다. 그런데 Gate 바이어스와 Drain 바이어스값을 증가시킬 때 Dr..

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.04.21

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nanohub-moscap 2017

MOSCAP 1 Gate Voltage 에 따른 변화 2 Oxide thickness 에 따른 V Th 변화 3 Doping concentration 에 따른 특성 변화 01

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.06.06

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MOSCAP실험

1. C-V 곡선을 그리고 Substrate type이 n-type, p-type인지 규명하고 설명하시오. Graph의 방향을 볼 때 n-type substrate라고 규명할 수 있다. n-type으로 doping된 물질은 electron이 주 캐리어 이므로 +전압..

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.04.10

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전하 트랩 메모리 기술기획서 및 제작 보고서

1T-1C MOSCAP 비휘발성 메모리 기술기획서 및 웨이퍼 분할 제작 보고서Ⅰ. 기술 개요본 기획서는 비휘발성 1T-1C MOSCAP 구조를 기반으로 한 차세대 트랩형(Trap ... 이상의 보유시간이 가능할 것으로 예측된다.Ⅵ. 결론 및 향후 계획1. SiOₓ(x=1.7)와 HfOₓ(x=1.9) 기반 1T-1C MOSCAP은 모두 비휘발성 특성을 확보 가능.2

리포트 | 3페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.10.29

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High-K 물질을 적용한 반도체 기술 실험 레포트

으며, 트랜지스터나 MOSCAP, DRAM Capacitor 등에 적용되어 스케일링과 높은 Capacitance 특성을 얻도록 주로 이용되고 있다. [2]• MOSCAP 구조/동작 ... 원리MOSCAP은 Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor로 위의 그림과 같은 구조를 갖는다. 3개의 층이 적층되어 있는 구조이며, 금속-유전체 및 유전체 ... (Inversion)이라고 한다.위에서 본 것과 같이, MOSCAP은 축적, 공핍, 반전의 총 3가지 동작 상태로 구분하여 나타낼 수 있고, C-V curve를 나타내면 다음과 같

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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MOS Capacitor의 CV 특성 실험 레포트(예비,결과)

결과 레포트- 실험 결과 및 고찰이번 실험은 NMOS의 특성을 관찰하는 실험이었다. 첫번째로 VDD 값을 3V로 고정하고 VGG 값을 증가시키며 IDS 측정하면서 VTH를 찾는 실험이었고, 두번째는 VDD와 VGG 값을 변화시키면서 IDS 값이 어떻게 달라지는지를 측정..

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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삼성전자 파운드리 공정설계 직무 최종합_면접 공부 자료(반도체 면접 공부 자료)

[ 직무 ]MOSCAP(Metal Oxide Semiconduct Capacitor)1) MOSCAP 설명MOS구조는 MOSFET에서 수직 방향 전계, Channel을 형성 ... 하고, Threshold Voltage를 결정하는 역할을 하며, MOSCAP은 Gate Voltage에 따라 Accumulation(축적), Depletion(공핍), Inversion

자기소개서 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2024.03.28

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고온 데이터 저장 기술 비교

, HTDR 산업용 메모리, 그리고 제안된 SiBCN/SiAlBN/SiYBN 기반 SiC MOSCAP 계열과 함께 비교 분석한 전문 보고서이다.2. 저장 기술 요약 비교기술고온 내성 ... 한계 존재PCM150~180°C수개월빠름상용 일부셀 크기 제한HTDR260~300°C100시간~수주느림특수 산업용SiC·두꺼운 산화막 기반SiBCN MOSCAP250~300°C수 ... 개월~수년중간R&DDeep Trap 기반SiAlBN MOSCAP250~330°C수년~수십년중간~빠름R&D안정·속도 균형SiYBN MOSCAP280~350°C수년~수십년중간R&D

리포트 | 2페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.11.13

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고온 칩 로드맵(CPU,FPGA,ASIC)

상황과 연구 개발 동향을 분석한다. 특히 SiBCN, SiAlBN, SiYBN 기반의 SiC MOSCAP 구조가 초고온 환경에서 비휘발성 데이터 저장 기술의 핵심 후보임을 강조 ... 불가HTDR260~300°C수일~수주특수용저속SiBCN MOSCAP250~300°C수개월~수년Deep TrapSiAlBN 대비 보유력↓SiAlBN MOSCAP250~330°C수년 ... (?)~수십년(?)Deep Trap+속도 균형330°C 이상 제한SiYBN MOSCAP280~350°C수년(?)~수십년Ultra Deep Trap원가↑7. 초고온 MOSCAP 기술

리포트 | 3페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.11.13

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메모리 기획 보고서

1T–1C MOSCAP vs 상용 DRAM·LPDDR 기술 비교 보고서1. 개요 및 목적본 보고서는 제안된 1T–1C MOSCAP 기반 비휘발성 메모리 기술과 상용 DRAM ... (DDR5) 및 LPDDR5/5X 메모리의 구조 및 성능을 비교하여 기술적 차별성과 시장 경쟁력을 분석하기 위한 자료이다. 특히 1T–1C MOSCAP의 고속형(속도안)과 보유시간 보장 ... 형(장기보존안)을 중심으로 분석하였다.2. 각 메모리 구조 및 동작 원리① 1T–1C MOSCAP 메모리:Metal(Gate) – SiO₂ – Al₂O₃ – SiOₓ – Al₂O₃

리포트 | 2페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.10.28

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SiYBN vs SiAlBN 구조 가격 비교

1. 개요본 보고서는 SiYBN(Si–Y–B–N) 트랩층 재료의 제조 원가를 SiAlBN 및 기존 MOSCAP 대비 정량적으로 분석한다. 분석 항목에는 전구체 단가, 증착 공정 ... 비용, 장비 점유 시간, 웨이퍼 폐기율, 전체 MOSCAP 공정 대비 비중이 포함된다.2. 전구체 원가 비교전구체 종류SiAlBNSiYBN주요 금속 전구체TMA(Al), BCl3

리포트 | 2페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.11.13

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