"Laser Annealing (레이저 어닐링)"의 검색결과 입니다.

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열처리 CMOS Layout 조미니 시험 박막 트랜지스터 TFT hysteresis 실리콘카바이드

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"Laser Annealing (레이저 어닐링)" 검색결과 1-20 / 22건

엑시머 레이저 어닐링을 이용하여 플라스틱 기판에 형성한 다결정 실리콘 박막의 특성 (Polycrystalline silicon thin film fabricated on plastic substrates by excimer laser annealing)

한국진공학회 조세현, 이인규, 김영훈, 문대규, 한정인

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.09 | 수정일 2025.06.10

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레이저 어닐링 공정 시 웨이퍼 전 영역에 대한 온도 및 열 응력 분포의 수치해석 (Numerical Analysis of Temperature and Thermal Stress Distribution for Whole Wafers in the Laser Annealing Process)

대한기계학회 정승원, 신중한

논문 | 12페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.11 | 수정일 2025.06.16

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금속 나노 파티클의 레이저 플라즈모닉 어닐링을 통한 메탈메쉬 전극 형성과 이를 활용한 유연 터치 센서 (Formation of Metal Mesh Electrodes via Laser Plasmonic Annealing of Metal Nanoparticles for Application in Flexible Touch Sensors)

한국전기전자재료학회 정성민, 황윤식, 우유미, 조용준, 김찬혁, 안민기, 서호석, 양찬현, 박귀일, 박정환

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.29 | 수정일 2025.06.05

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레이저 기반 플라즈모닉 어닐링을 통한 은 나노입자 자가 생성 및 소결 공정과 이를 활용한 메탈메쉬 전극 기반 투명 웨어러블 히터 (Ag Nanoparticle Self-Generation and Agglomeration via Laser-Induced Plasmonic Annealing for Metal Mesh-Based Transparent Wearable Heater)

한국전기전자재료학회 황윤식, 남의연, 김연욱, 우유미, 허재찬, 박정환

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.29 | 수정일 2025.06.05

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LTPS TFT 응용 기술 및 다양한 형태의 AMOLED 디스플레이 논문 정리(한글)

화시켜서높은 이동도는 필수적이다. 기존의 LTPS TFT는 CVD 장비로 증착한 a-Si를 ELA와 같은 레이저 어닐링 기술로 다결정화 시키는데, 대형 기판에서 레이저 기술을 적용 ... 다결정화가 영향을 받기 때문에 Bottom-gate 구조로 만드는 것은 굉장히 어렵다. 따라서 이런 문제점을 해결할 수 있는 것이 부분 레이저 어닐링 기술을 이용한PLAS이 ... Array)를 이용하는 부분 레이저 어닐링 시스템을 이용한다. 따라서 이 시스템은 게이트 전극상의TFT채널도 선택적으로 부분 영역을 다결정화 시킬 수 있기 때문에 Bottom

리포트 | 10페이지 | 3,900원 | 등록일 2021.11.08

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반도체 및 디스플레이 산업에서의 레이저 가공 기술 (Laser Processing Technology in Semiconductor and Display Industry)

한국정밀공학회 조광우, 박홍진

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.06 | 수정일 2025.05.17

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금속 열처리

가공성 향상, 구상화 풀림을 우한 작업이다.- 방법 : 강을 오스테나이트 구역까지 가열한 후 공랭(강제 송풍 냉각)하여 표준상태로 만든다.(4) 어닐링(Annealing, 풀림 ... 을 이용하여 강의 표면층을 급속히 가열한 다음 급랭하여 표면층을 경화한다.③ 레이저 표면경화(Laser surface hardening)- 부품 중 마모가 심한 부위 등의 필요한 부분 ... 만 표면경화하는 열처리이다.- 방법 :CO _{2}레이저 빔을 이용하여 강의 표면을 매우 급속히 가열한다. 이후 자기 퀜칭(Self-quenching)에 의해 표면층이 경화

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.09.24 | 수정일 2025.04.10

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전역 최적화 알고리즘을 이용한 파이버 레이저 용접 열원 모델 구현에 관한 연구 Part I : 다층 용접 열원의 검증 (A Study for Heat Source Model for Fiber Laser Welding with Global Optimization AlgorithmPart I. Verification of Multi Layered Heat Source Model)

한국기계기술학회 표창민

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.11 | 수정일 2025.06.16

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이온주입법이란

하게 되어 활성화되어 있지 않으므로 이들을 활성화 시켜 줄 필요가 있게 됩니다. 이와 같은 목적을 위한 열처리 과정을 어닐링(annealing)이라고 합니다. 어닐링을 통하여 손상 ... ~1000DEGC 영역이며, 노열처리(furnace annealing)와 RTA(rapid thermal annealing), 레이저 열처리 등의 방법이 있습니다. 열처리 과정을 통하 ... 들을 어닐링을 이용하여 전기적으로 활성화시켜 발생된 격자 결함을 치유할 수 있으나, 화합물 반도체에 있어서의 어닐링은 아직까지 많은 문제점을 갖고 있습니다. 특히 GaAs나 다른 Ⅲ-Ⅴ

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.10.11

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열처리 예비레포트

각시켜서 펄라이트 조직을 생성시키는 특징이 있다.6. 대표적인 열처리 4가지 이상에 대하여 방법과 목적, 그리고 사용 예를 설명하시오.1) Annealing(풀림)어닐링은 탄소강 ... 을 고온에서 장시간 가열 유지하는 열처리를 말한다. 어닐링 과정에는 3단계가 있다. 첫 번째는 회복(recovery)인데, 금속의 가열을 통해 전위가 이동하고, 냉간가공에 의해 생긴 ... (grain growth)으로 성장하는 결정립이 보다 작은 결정립들을 잠식하면서 성장하는 것을 말한다. 어닐링의 목적으로는 기계적 성질인 연성과 인성의 향상, 피절삭성의 개선, 재료의 불

리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2018.06.30

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다결정 실리콘 박막 트랜지스터

시키는 직접 증착법[1,2]과 일단 비정질 실리콘 박막을 형성한 후 이를 열처리를 통하여 결정화 시키는 방법이 있다. 후자에는, 레이저 어닐링(annealing) 방법,[3-5] 고상 결정 ... (excimer laser)를 이용한 저온 공정-excimer laser annealing (ELA) 또는 excimer laser crystallization (ELC) 이라 불리는-의 도입 ... transistor, poly-Si TFT)를 활용한 액정표시장치 (liquid crystal display, LCD) 개발의 성공과 1980년대 후반 엑시머 레이저

리포트 | 39페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.05.28

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용접공학 중간고사 정리 국정한 한기대

부터 B-Butt Joint, C-Corner Joint, E-Edge Joint, L-Lap Joint, T-Tee Joint5. 레이져 용접에 사용되는 가스레이저와 고체레이저의 종류 ... 를 들고 간단히 설명하시오.->a. 가스 레이져 : 탄산가스 레이져 = 전자빔에 필적하는 출력의 연속발진이 가능하고 효율 도 10~20% 높으며 박판에ㅔ서 수 Cm판 두께의 깊 ... 은 용입 용접이 실현 되어 보통 용접에서 많이 쓰임. 루비 등에 비해 파장이 한자리 이상 길어 집광성이 다소 떨어진다.b. 고체 레이져 : 루비, Nd-유리, Nol-YAg : 펄스

리포트 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.06.12

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Jominy(조미니) 경화능 시험 _ 실험 보고서

어야 하기 때문에 로냉을 사용하게 된다.다음은 완전 어닐링(Full Annealing)이다. 이것은 기존에 설명한 어닐링(풀림)의 역할과 같은 것인데 단지 온도의 규모가 다르다. 예를 들 ... 이 닿도록 붙여주어야 올바른 시험이 가능하다.너무 심하게 닿으면 이에 따른 문제가 발생하며 시험 위치는 엄청 미세하기 때문에 예정 위치는 레이저 포인트로 지정된다. 이를 숙지 ... 영역에서 서냉시키는 처리법이 많이 사용되는데 이러한 것을 완전 어닐링이라고 한다. 다른 말로는 고온 어닐링 이라고 할 수 있겠다. 이러한 완전어닐링은 어닐링과의 공통점이 수없이 많이

리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.05.27

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금속의 열처리

된 취성을 개선하기 위하여 가열, 냉각하는 열처리기술로서 가열온도, 유지시간 냉각속도의 차에 따라 다음과 같이 분류한다.1) 어닐링(Annealing) : 부품의 연화, 가공성 향상 및 ... hardening) : 대형 구조물 용접 부분 표면경화를 위한 간이 열처리③ 레이저 표면경화(Laser surface hardening) : 부품중 마모가 심한 부위등 필요 부분만의 표면경화 ... ④ 전자빔 표면경화(Laser surface hardening) : 부품중 마모가 심한 부위등 필요 부분만의 표면경화2) 전체가열 표면경화① 침탄(Carburizing) : 부품표면

리포트 | 31페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.06

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NP-complete

algorithm), 시뮬레이티드 어닐링(simulated annealing), 타부서치(tabu search) 기법 등이 있다. 이를 위한 이론적 배경으로 경영과학(operations ... 한 일이다. 컴퓨터 칩이나 전자 회로판을 설계할 때 레이저 드릴로 65,000 개 이상의 구멍을 내야 하는 경우를 생각해 보면 좋은 알고리듬의 중요성을 실감하게 된다- 그래프

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.06.29

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열처리

는 경우도 있다.0.0. 풀림, 燒鈍(소둔), Annealing Treatment1.1.1 어닐링, Annealing적절한 온도로 가열하여 유지한 다음 적절한 속도로 냉각하여 경도 ... 를 감소시키고, 가공성을 향상시키며, 냉각가공을 용이하게 할 수 있도록 원하는 미세조직을 얻는 처리1.1.2 완전 어닐링, Full Annealing아공석강(Hypoeutectoid ... 아세틸렌, 천연가스, 프로판 등과 산소의 혼합가스에 의한 고온화염을 이용하여 강의 표면층을 급속히 가열한 다음 급랭하여 표면층을 경화하는 처리3 )레이저 표면경화, Laser

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.06

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반도체 용어 정리

Annealing ☞ 급속 열적 어닐링이 방법은 온도의 급속한 ramp-up과 급속 cool-down에 기반을 둔다. 온도가 급격히 변할 수 없는 종래의 노속에 큰 묶음의 웨이퍼를 한 번 ... 던 물질이다1992년에 일본 Nichia chemical사 Nakamura 그룹에 의해 청색LED가, 1995년에 상온에서 연속 발진하는 반도체레이저(LD, laser diode ... ) 산업에서 사용되는 기술이다. 이것은 고온 어닐링 처리된 순수 실리콘 웨이퍼 안으로 잘 정의된 깊이에 산소 이온들을 임플란트함으로써 얻어지고, 웨이퍼의 벌크 이내에서 파묻힌 실리콘

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.23

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실리콘 태양전지 (Si solar cell)

으로 교체하고, 공정을 최적 화한다.- 상기 조치를 함으로써 20 %이상의 효율을 유지할 수 있었다. 또 750℃에서 10분간 어닐링( annealing )시켜 제조된 태양전지의 효율 ... 는 어렵다. 전지의 가격을 기존 상업용 전지 수준으로 유지하면서 상업용 전지의 효율(12~14%)과 실험실 수준의 효율(22~24%) 차이를 극복한 전지가 BCSC다. 레이저

리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.12.12

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[반도체] 반도체 고직접기술 시험문제

(Annealing)하여 결함을 줄일 수 있다.Poly Silicon을 만드는 Pulsed Laser Annealing기술은 1980년대 초기부터 주목을 받은 기술로서 이후 Excimer ... 1. Amorphous Silicon에서 Ploy Silicon 증착시 B,As,P을 함유한 결정화 온도는 약 500인 저온인데 비해서 Laser를 이용한 Poly Silicon ... . 결정상에 나타난 incoherent twins 같은 defect들은 소자의 mobility에 영향을 주기도 하지만 이 특성의 극복을 위해 10-100시간 동안 어닐링

리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2005.03.02

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[반도체] VLSI 대규모 집적 회로 생산

Annealing( 어닐링)Alloy :알루미늄과 실리콘의 ohmic contact 제조450 도~550 도에서 실시Annealing :웨이퍼 표면을 가열처리한 후 장시간 저온 열 ... . 다이 분리(Die Separation, Wafer Scribe){뜻 : 웨이퍼 상의 칩을 분리하는 공정방법 : 다이아몬드, 레이저로 절단4. Packaging뜻 : 실리콘 웨이퍼

리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.24

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