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"L-P model" 검색결과 1-20 / 1,278건

  • 볼 베어링의 전동체 기반 및 응력 기반 접촉 피로수명의 비교 (Comparison of Rolling Element Loads and Stress-basedFatigue Life Predictions for Ball Bearings)
    한국트라이볼로지학회 곽재섭, 박영환, 김찬중, 김태완
    논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.13 | 수정일 2025.05.21
  • 인하대학교 전자회로1 HW5
    13 A4 11 11 NCH W=10U L=1U* MOSFET N-CHANNEL LEVEL=1 SPICE MODEL.MODEL NCH NMOS(LEVEL=1 VTO=0.5 KP ... RSH=10 CJ=2E-4 CJSW=1E-9 MJ=0.5 MJSW=0.5)** MOSFET P-CHANNEL LEVEL=1 SPICE MODEL.MODEL PCH PMOS(LEVEL ... =100U TOX=300E-10 GAMMA=0.2+ LAMBDA=0.01 LD=0.01U PHI=0.7 NSUB=1E16 CGSO=400P CGDO=400P+ CGBO=600P
    리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.07.27
  • 인하대 전자회로2 ㄱㅈㄱ교수님 설계 과제2 differential amplifier
    , LAMBDA=0.2,+CJ=3E-4, MJ=0.35, CJSW=40N, MJSW=0.3)* MOSFET P-CHANNEL LEVEL=1 SPICE MODEL.MODEL PCH ... ************************************************************************* MOSFET N-CHANNEL LEVEL=1 SPICE MODEL.MODEL NCH NMOS ... (LEVEL=1, UO=360, TOX=0.4N, VTO=0.5, LAMBDA=0.2,+CJ=3E-4, MJ=0.35, CJSW=40N, MJSW=0.3)* MOSFET P-CHANNEL
    리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.04.01
  • 판매자 표지 자료 표지
    인하대 VLSI 설계 2주차 inverter
    Silicon eq \o\ac(○,2) NMOS 구조: P Sub – N+diffusion – Oxide – Poly Silicon-각각의 Layer는 서로 층이 달라서 그리 ... VDD GND.option scale=0.09uV1 3 0 dc 1.8V2 1 0 Pulse(0 1.8 0 10p 10p 1u 2u)M1 2 1 3 3 pch_tn w = 8 l ... , Poly-Si, P+ diffusion, N+ diffusion, contact, Metal]로 총 6개의 Mask를 사용하여 그릴 수 있다.1) N well: PMOS 트랜지스터
    리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.03.15 | 수정일 2023.03.18
  • 인하대학교 아날로그회로설계 two stage OPamp 설계 (손계산, Hspice코드+결과창, layout)
    NN W=6U L=1UCC 5 6 2P.MODEL NN NMOS(LEVEL=1 VTO=0.5 KP=100U TOX=300E-10 GAMMA=0.3+LAMBDA=0.01 LD=0 ... *FREQUENCY COMPENSATIONM12 5 100 4 vss NN W=6U L=1UCC 5 6 2P.MODEL NN NMOS(LEVEL=1 VTO=0.5 KP=100U TOX=300E-10=5mV ... .1U PHI=0.7 NSUB=1E16 CGSO=400P CGDO=400P+ CGBO=600P RSH=20 CJ=2E-4 CJSW=1E-9 MJ=0.5 MJSW=0.5).MODEL
    시험자료 | 36페이지 | 4,000원 | 등록일 2021.07.04
  • 인하대학교 전자회로1 HW3
    l=1uM4 3 2 0 0 nch w=20u l=1uVDS 3 0 DC 0V.MODEL NCH NMOS(LEVEL=1 VTO=0.5 KP=100U TOX=300E-10 GAMMA ... 3 2 0 0 nch w=20u l=1uVDS 3 0 DC 0V.MODEL NCH NMOS(LEVEL=1 VTO=0.5 KP=100U TOX=300E-10 GAMMA=0.2 ... nch w=20u l=1uVDS 3 0 DC 0V.MODEL NCH NMOS(LEVEL=1 VTO=0.5 KP=100U TOX=300E-10 GAMMA=0.2+ LAMBDA=0.01
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.07.27
  • 인하대학교 아날로그회로설계 pch 차동증폭기 설계(손계산, Hspice 코드+결과창, layout)
    =600P RSH=20 CJ=2E-4 CJSW=1E-9 MJ=0.5 MJSW=0.5).MODEL PN PMOS(LEVEL=1 VTO=-0.5 KP=40U TOX=300E-10 ... 0428설계실습DC 동작점0428*DRIVER(M1 GATE:+, M2 GATE:- INPUT)M1 4 1 3 3 PN W=60U L=1UM2 6 6 3 3 PN W=60U L ... UM6 5 5 7 7 PN W=56U L=1URB 5 0 22KCL 6 0 1PVDD 7 0 DC 3V.MODEL NN NMOS(LEVEL=1 VTO=0.5 KP=100U TOX
    시험자료 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.07.04
  • 서울시립대학교 전전설3 8주차 결과레포트(설계 성공적, A+, 코로나로 인한 시뮬레이션 실험, 하지만 이론 주석 깔끔)
    CgdmCjo=50p Is=.04p mfg=Fairchild Vds=60 Ron=2 Qg=1.5n) HYPERLINK \l "주석2"[2]- PSpice.model M2n7000 ... -----------------------------*FDC6329L at Temp. Electrical Model (Complementary P-Ch)*-------------- ... 의 MOSFET 회로에서 다루는 트랜지스터는 N-Channel MOSFET으로 2N7000, P-Channel MOSFET으로 FDC 6329L를 사용한다. Web 상에서 필요
    리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.03.20
  • 인하대 전자회로2 ㄱㅈㄱ교수님 설계 과제 1(cs amplifer)
    ************************************************************************* MOSFET N-CHANNEL LEVEL=1 SPICE MODEL.MODEL NCH NMOS ... (LEVEL=1, UO=360, TOX=0.4N, VTO=0.5, LAMBDA=0.4,+CJ=3E-4, MJ=0.35, CJSW=40N, MJSW=0.3)* MOSFET P ... -CHANNEL LEVEL=1 SPICE MODEL.MODEL PCH PMOS (LEVEL=1, UO=150, TOX=0.4N, VTO=-0.55, LAMBDA=0.4,+CJ=3.5E-4
    리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.04.01
  • 판매자 표지 자료 표지
    OP-amp 아날로그회로 설계 프로젝트 ppt
    CJSW=1E-9 MJ=0.5 MJSW=0.5) *MOSFET P-CHANNEL LEVEL=1 SPICE MODEL .MODEL PCH PMOS(LEVEL=1 VTO=-0.5 KP ... Simulation 4 *MOSFET N-CHANNEL LEVEL=1 SPICE MODEL .MODEL NCH NMOS(LEVEL=1 VTO=0.5 KP=100U TOX=300E ... -10 GAMMA=0.3 +LAMBDA=0.02 LD=0.1U PHI=0.7 NSUB=1E16 CGSO=400P CGDO=400P +CGBO=600P RSH=20 CJ=2E-4
    리포트 | 34페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.02.24
  • 인하대학교 전자회로1 HW2
    DZNDZ2 10 8 DZNCL1 5 4 260UCL2 9 8 260UK1 L1 L2 0.999K2 L1 L3 0.999.MODEL DN D(IS=1E-15 RS=5 N=1 VJ=0.6 ... BV=1000 CJO=2P TT=10N).MODEL DZN D(IS=1E-15 RS=5 N=1 VJ=0.6 BV=7 IBV=1E-13 CJO=2P TT=10N).TRAN 0.1M ... voltage should be less than 10% of the DC output voltage 라는 조건을 살펴보면, 두 출력 전압의 값은 약 +-5.6V이다.위쪽 회로
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.07.27
  • 판매자 표지 자료 표지
    Design of Power Supply System[인하대 전자회로1 과제]
    SYSTEM(BRIDGE)**DIODE.MODEL DN D(IS=1E-15 RS=10 N=1 VJ=0.6 BV=1000 TT=10N CJO=2P).MODEL DZN D(IS=1E ... -15 RS=10 N=1 VJ=0.6 BV= 2.46 IBV=1E-13 CJO=2P)**netlist**VI 1 0 ac sin(0 311 60)R1 1 2 0.1L1 2 0 10mL ... : 3V, Ripple voltage: 10mV 이하• 설계 시 고려 사항- 변압기는 1, 2차 권선을 이용한 원리를 사용(311V에서 2차 권선에 걸리는 전압 정하기)- 회로도
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.08.28
  • 판매자 표지 자료 표지
    [유체역학실험]풍동 실험
    } = (radial velocity)U _{theta } = 2V _{INF }sinΘ(tangential velocity)C _{p} = (P-P _{INF })/(1/2pV ... 할 때 실험속도 측정P _{INF } + 1/2p _{air}V _{INF }^{2} = p + 1/2p _{air}V ^{2} (V _{INF }:측정값)P _{INF } - P ... = 1/2p _{air}(V ^{2}-V _{INF }^{2}) =r _{water}hV = (V _{INF }^{2} + 2×({r _{water} h} over {p _{air
    리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.03.06
  • 인하대학교 전자회로1 HW4
    1 2 3 100URg1 4 3 1MRg2 3 0 1Mm1 6 3 7 7 nch w=100u l=1uRd 5 6 2kRs 7 0 2kCc2 7 0 100u.MOSFET N ... -CHANNEL LEVEL=1 SPICE MODEL.MODEL NCH NMOS(LEVEL=1 VTO=0.5 KP=100U TOX=300E-10 GAMMA=0.2+ LAMBDA=0.01 LD ... =0.01U PHI=0.7 NSUB=1E16 CGSO=400P CGDO=400P+ CGBO=600P RSH=10 CJ=2E-4 CJSW=1E-9 MJ=0.5 MJSW=0.5).op
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.07.27
  • 판매자 표지 자료 표지
    성인학습자의 교육참여 동기유형 모형
    -70) 등이 있다.1/ 밀러(H. L. Miller)의 힘-장 모형(force-field model)참여를 설명하기 위한 초기 노력의 하나는 1967년에 밀러(H. L ... : 40-43).3/ 루벤슨(L. S. Rubenson)의 기대-유인가 모명(expectancy-valence model)루벤슨(L. S. Rubenson, 1977)은 교육 ... 인행위에 영향을 미치는 상황에 더 관심을 기울인다. 이러한 의사결정 모형에는 밀러(H. L. Miller, 1967)의 힘 -장 모형, 루벤슨(Rubenson)의 기대-유인가 모형
    리포트 | 11페이지 | 6,000원 | 등록일 2023.01.19
  • 서울시립대 전자전기컴퓨터설계실험3 예비레포트 9주차
    Phi=.6 Kp=1.073u W=.12 L=2u Rs=20m Vto=1.73+ Rd=.5489 Rds=48MEG Cgso=73.61p Cgdo=6.487p Cbd=74.46p ... =0 Kappa=0.2 Vmax=0 Xj=0+Tox=100n Uo=300 Phi=.6 Rs=.1649 Kp=9.949u W=1.2 L=2u Vto=-3.48+Rd=84.61m ... 한 IRFR9022의 문턱전압은 -3.48V이다.[실험1] CMOS Inverter[1-1] 2N7000, FDC6329L 트랜지스터를 사용하여 아래 그림과 같은 CMOS
    리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.03.10
  • 인하대 전자회로2 설계 과제3, 9장 과제 밀러 이론, 시정수 근사법
    1. HIGH-FREQUENCY RESPONSE** HIGH-FREQUENCY RESPONSE **** SPICE MODEL ... ************************************************************************* MOSFET N-CHANNEL LEVEL=1 SPICE MODEL.MODEL NCH NMOS ... (LEVEL=1, UO=360, TOX=0.4N, VTO=0.5, LAMBDA=0.4,+CJ=3E-4, MJ=0.35, CJSW=40N, MJSW=0.3)* MOSFET P
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.04.01
  • 판매자 표지 자료 표지
    포트폴리오 공모전 수상작
    1) 직무영역 - 반도체장비 연구개발 및 설계 - 신규개발 장비 TEST 2) 활동내용 - 양산장비 2D, 3D Modeling 설계 및 수정 - 고객사 요청사항 응대 (2D ... 도면 수정 및 P ID 검토 ) - 가스안전교육 자료 제작 , 환경안전 관련 안내 자료 제작 및 활용 - ERP 프로그램을 활용한 장비 BOM (Bill of material) 작성 ... S x 10Pass x 700L AL + Blygold Condenser - PCW 요구수량 : 19℃ 24.6LPM 이상 Humi Heater 18kW 12kW + 3kW
    자기소개서 | 26페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.01.30 | 수정일 2023.02.19
  • 서울시립대 전자전기컴퓨터설계실험3 예비레포트 8주차
    의 CapacitanceW=채널 폭, L=채널 길이µn= 유효 전자이동도, VTH = Threshold Voltage (문턱 전압)-Saturation 상태위의 그림에서 초록점 이후 오른쪽의 상태 ... 폭, L=채널 길이µn= 유효 전자이동도, VTH = Threshold Voltage (문턱 전압)* VDS= VGS-VTH전체적으로 정리하면,√ VGS < VTH ... ] 2010년도 1학기 전자전기컴퓨터설계실험 III의 MOSFET 회로에서 다루는트랜지스터는N-Channel MOSFET으로 2N7000P-Channel MOSFET으로 FDC
    리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.03.10
  • 판매자 표지 자료 표지
    New Business Idea_Furniture Rental & Interior Service_Strategic Management
    Business Model Canvas R S E M P Online showroom operating expenses Product registration Response s ... Designer’s Recommendation Live Reviews Feedback P 8 / 15Business Model Canvas R S E M P Key Partners Key ... Team presentation Furni - Terior Market Furniture Rental Interior Service 1 / 15Environment
    리포트 | 15페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.02.04 | 수정일 2023.02.08
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2025년 10월 14일 화요일
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