"GaN-based HEMT"의 검색결과 입니다.

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hemt AlGaN GaN 분극 mos트랜지스터

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"GaN-based HEMT" 검색결과 1-6 / 6건

고조파 제어 매칭단 기반 S-대역 GaN HEMT 전력 증폭기 (S-Band GaN HEMT Power Amplifier Based on the Harmonic Control Matching Network)

한국전자파학회 장재원, 김지수, 오준택

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.09 | 수정일 2025.05.08

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2차 고조파 기반 표적 탐지 레이다용 S-대역 GaN HEMT 전력 증폭기 (GaN HEMT Power Amplifier for S-Band 2nd Harmonic-Based Target Detection Radar)

한국전자파학회 문단아, 김지수, 이다주, 오준택

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.16 | 수정일 2025.07.20

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압전 및 자발 분극을 고려한 단채널 AlGaN/GaN HEMT의 전류-전압 특성에 관한 해석적 모델 (An Analytical Model for the I-V Characteristics of a Short Channel AlGaN/GaN HEMT with Piezoelectric and Spontaneous Polarizations)

대한전자공학회 오영해, 서정하, 지순구

논문 | 10페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.09 | 수정일 2025.05.08

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HEMT의 정의와 기술 동향 모든것[High Electron Mobility Transistor, 통신용 초고속 반도체 소자]

) Improced Long-Term Thermal Stability At 350℃ of-Based Ohmic Contacts On AlGaN/GaN HEMT3. 결론 - HEMT ... HEMT- High Electron Mobility Transistor -목 차1. 서론⑴ HEMT의 의미와 특징⑵ HEMT의 역사2. 본론⑴ HEMT 제작과정⑵ HEMT와 다른 ... device의 비교⑶ Devices of HEMT1) 통신용 초고속 반도체 소자 - GaAs 집적회로와 HEMT2) 고저로 도핑한 오믹층을 갖는 전력 PHEMT소자3

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.02.17

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GaAs P-HEMT & Material(Psuedomorphic hemt)

GaAs P HEMT Material1. GaAs P HEMT 의 특징GaAs Pseudomorphic HEMT(1): 2DEG - thin InGaAs layer ... layerGaAs Pseudomorphic HEMT(2): Strain is taken up entirely in thin InGaAs layer- Pseudomorphic : High ... nitride-based devices such as UV detectors and high-speed FETs.{nameOfApplication=Show}

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.01.25 | 수정일 2017.02.17

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MOS 트랜지스터

에서는 쓰일 수 없다. 현재는 기술적 발전을 거듭하여 소형화, 저소비, 전력화가 가능하기 때문에 소형의 통신기기 등 송·수신 장치의 일부로 실용화 되고 있다.- GaN :화합물 ... 는 산화막을 매개로 접촉한 제 3 전극(게이트)의 전압에 의해 제어된다. 게이트 부분은 금속(metal)-산화막(oxide)-반도체(semiconductor)의 3층으로 이루어지 ... 을 만들어 이를 소스와 드레인으로 하고, 그 사이에 있는 기판 표면의 산화막 위에 전극을 만들어 게이트로 한 구조이다. 게이트에 (-)전압을 걸면 기판에 있는 양공이 한 쪽 방향

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.06.09

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