"AlGaN GaN 분극"의 검색결과 입니다.

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AlGaN GaN 분극 고효율 LED

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"AlGaN GaN 분극" 검색결과 1-4 / 4건

압전 및 자발 분극을 가진 AlGaN/GaN HEMT 에서의 이차원 전자기체 (Two-dimensional Electron Gas in an AlGaN/GaN HEMT with Piezoelectric and Spontaneous Polarizations)

한국물리학회 박승환, 김종재

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.05 | 수정일 2025.06.09

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압전 및 자발 분극을 고려한 단채널 AlGaN/GaN HEMT의 전류-전압 특성에 관한 해석적 모델 (An Analytical Model for the I-V Characteristics of a Short Channel AlGaN/GaN HEMT with Piezoelectric and Spontaneous Polarizations)

대한전자공학회 오영해, 서정하, 지순구

논문 | 10페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.09 | 수정일 2025.05.08

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HFET에 대해서(AlGaN/GaN)

에서 분극은 나타나지 않는데 이는 반대전하를 띤 영역이 전체적으로 상쇄되기 때문이다. 그러나 그런 상쇄는 AlGaN/GaN 이종접합구조와 같이 GaN 결정이 갑자기 끝나는 곳 ... HFET란HFET(heterojunction field-effect transistor)는 AlGaN/GaN 나 AlGaAs/GaAs 같은 서로 다른 재료가 결합하여 만들어진 ... 의 소자 특성이 기존의 MOSFET에 비해서 개선되어졌다는 것이다. [그림1]에서 보듯이 GaN와 AlGaN층 사이에 2DEG가 유도되어 채널역할을 수행한다.[그림1] HFET

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.01.10

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고효율 LED 제조 기술 개발 동향

양자우물 구조에서 1999년 이후에는 AlInGaN계 다중 양자우물 구조로 변경되었고 2000년 이후에는 고휘도를 위한 n/p-AlGaN/GaN 초격자 클래드층이 적용되었다. 활성 ... 광선 내의 파장은 GaN를 기반으로 한 질화물 반도체의 경우 파장이 400~580nm(자색~녹색)의 범위 내에서 빛을 발하는 것이 가능하며, (Al, Ga, In)P를 축으로 하 ... 키는 문제를 발생시킨다. 따라서, 결정결함을 줄이고 캐리어 농도를 증가시킬 수 있는 원천기술 개발이 절대적으로 필요하다.저온 완충층은 기판과 GaN간의 격자상수와 열팽창계수의 불일치

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 18페이지 | 4,500원 | 등록일 2010.04.24

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