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"GaN LED" 검색결과 1-20 / 334건

GaN 마이크로 LED 구동을 위한 모놀리식 스위치 집적화 공정 (Monolithic Integration Process of Driving Switch for GaN Micro LED)

한국조명.전기설비학회 오동익, 오희재, 김현섭, 차호영, 신형식

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.21 | 수정일 2025.05.13

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특화 공정을 통한 GaN-기반 LED 칩의 성능 개선 (Improvement of Performance for GaN-Based LED Chip using Specialized Process)

여 LED 칩의 고효율화가 이루어져야 하는데, 이는 에피택셜층, 표면요철, 패턴이 있는 사파이어 기판, 칩 설계의 최적화 등의 기술이 우수해야 한다. 본 연구에서는 GaN-기반 ... 하였고, 광 출력 45.37mW, 순방향 인가전압 3.26V의 값을 얻었다. GaN-기반 LED 칩의 성능이 개선되어 의료기기 및 LCD LED TV의 후면광원으로 사용할 수 있을 것 ... of GaN-based LED TV via GaN-based LED with high performance of chip. 한국정보기술학회 한국정보기술학회논문지 류장렬, 윤석범

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.12 | 수정일 2025.07.19

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습식식각 방법으로 제작한 패턴 형성 사파이어 기판을 가지는 GaN계 청색 LED (GaN Base Blue LED on Patterned Sapphire Substrate by Wet Etching)

한국전기전자재료학회 김도형, 이용곤, 유순재

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.19 | 수정일 2025.03.28

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절단공정의 개선을 통한 GaN-기반 청색 LED 칩의 제작 (The Fabrication of GaN-Based Blue LED Chip using Improved Scribe Break Process)

기 때문이다. 최근에는 GaN에 기반한 화합물 재료가 반도체에서 중요한 역할을 하고 있다. 이러한 GaN에 기반한 청색, 녹색, UV파장 대역의 LED가 연구되고 있으며 이 청색 ... 에서는 선별적인 MOCVD 기술을 이용하여 사파이어 에피 웨이퍼 위에 GaN-기반 청색 LED 칩을 제작하였다. LED 칩의 성능을 개선하기 위한 최적화 설계와 laser scribe ... 후면광원으로 사용되고 있는 LED 칩의 출력이 45.07mW에 비하여 칩 면적을 줄였음에도 45.37mW을 얻어 GaN-기반 LED 칩의 성능이 개선되었으며, 의료기기 및 LCD

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.12 | 수정일 2025.07.19

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병렬 플라즈마 소스를 이용한 마이크로 LED 소자 제작용 GaN 식각 공정 시스템 개발 (GaN Etch Process System using Parallel Plasma Source for Micro LED Chip Fabrication)

한국반도체디스플레이기술학회 손보성, 공대영, 이영웅, 김희진, 박시현

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.26 | 수정일 2025.05.14

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Side Etching 공정을 통한 GaN⁃기반 백색 LED 칩의 성능 개선 (The Improvement for Performance of GaN-based White LED chip using Side Etching Process)

GaN에 기반한 청색, 녹색, UV파장 대역의 LED가 개발되고 있는데, 이 청색 LED를 통한 백색 LED는 교통신호, 옥외 디스플레이, LCD 후면광, 조명 등의 응용 제품 ... 에 의한 Al2O3 에피 웨이퍼 위에 GaN-기반 백색 LED 칩을 제작하여 그 성능의 개선 여부를 조사하였다. LED 칩의 성능을 개선하기 위한 최적화 설계와 측면 에칭(side ... 으로 기대된다. Recently, GaN and its alloys have emerged as important LED chip materials. GaN-based LED in

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.12 | 수정일 2025.07.19

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InGaN/GaN Micro-LED구조를 위한 그래핀 양자점 기반의 산화막 기판 특성 (Characteristics of Graphene Quantum Dot-Based Oxide Substrate for InGaN/GaN Micro-LED Structure)

한국반도체디스플레이기술학회 황성원

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.27 | 수정일 2025.05.14

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Characterizations of GaN polarity controlled by substrate using the hydride vapor phase epitaxy (HVPE)technique (Characterizations of GaN polarity controlled by substrate using the hydride vapor phase epitaxy (HVPE)technique)

한국결정성장학회 오동근, 최봉근, 심광보, 이성철, 정진현, 이성국, Van Thi Ha Lai

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.09 | 수정일 2025.05.17

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칩 면적에 따른 GaN-기반 청색 LED 칩의 조도 및 배광분포의 특성 분석 (The Characteristics Analysis about Light Distribution and Intensity of Illumination according to Chip Size of GaN-Based Blue LED Chip)

조도와 배광분포가 우수해야 한다. 본 연구에서는 GaN-기반 청색 LED 칩의 특성을 향상하기 위하여 칩 크기와 인가전압에 따른 복사조도[W/m2]의 스펙트럼과 배광 분포 등 ... LED는 저 전력, 긴 수명, 고 휘도, 빠른 응답, 친환경적인 특성의 장점을 갖고 있는데, LED가 여러 분야에 사용되기 위하여 LED 칩(chip)의 고효율화와 더불어 복사 ... 과 수평에서 발광하는 배광면적이 크게 나타났다. The interest for LEDs display and illumination applications has been

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.12 | 수정일 2025.07.19

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코스퍼터링법을 이용한 GaN LED 투명접촉전극용 NiO-AZO 박막의 제조 및 물성평가 (Fabrication and Characteristics of NiO-AZO Thin Films Deposited by Co-sputtering System for GaN LED Transparent Contact Electrode)

한국표면공학회 박희우, 방준호, Kwon Nam Hui, 송풍근

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.26 | 수정일 2025.05.14

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나노 구조의 패턴을 갖는 n-type GaN 기판을 이용한 380 nm UV-LED의 광 추출 효율 개선 (Improvement in Light Extraction Efficiency of 380 nm UV-LED Using Nano-patterned n-type Gan Substrate)

한국재료학회 백광선, 조민성, Karthikeyan Giri Sadasivam, 송영호, 김승환, 김재관, 전성란, 이준기

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.13 | 수정일 2025.03.28

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적색 InP/ZnS 양자점을 적용한 고연색성 및 고효율 GaN 기반 백색 발광다이오드 (Highly Color Rendering and Efficient GaN-based White LEDs with Red InP/ZnS Quantum Dots)

한국화상학회 김태훈, 유영문

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.20 | 수정일 2025.03.28

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선택성장영역 크기에 따른 InGaN/GaN 다중양자우물 청색 MOCVD-발광다이오 드 소자의 특성 (The characteristic of InGaN/GaN MQW LED by different diameter in selective area growth method)

한국결정성장학회 배선민, 전헌수, 이강석, 정세교, 윤위일, 김경화, 양민, 이삼녕, 안형수, 김석환, 유영문, 하홍주

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.15 | 수정일 2025.05.09

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갈륨나이트라이드기반 발광다이오드의 정전기방전 피해 방지에 대한 연구 (Studies on improvement scheme of Electro-Static Discharge protection of GaN based LEDs)

GaN-based materials grown on sapphire substrates in recent years. Although these LEDs are already c ... influencing reliability of the light emitting devices. We investigated mass production of GaN-based LEDs s ... 의 적정한 사용과 공정 환경 개선을 통해서 제어되었다. High performance light emitting diodes(LEDs) have been developed using

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.28 | 수정일 2025.07.04

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무분극 a-plane 질화물계 발광다이오드에서 SiO2 전류 제한 층을 통한 발광 효율 증가 (Improvement of the Light Emission Efficiency on Nonpolar a-plane GaN LEDs with SiO2 Current Blocking Layer)

한국전기전자재료학회 황성주, 곽준섭

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.03 | 수정일 2025.05.16

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[A+레포트] Chemical Vapor Deposition을 이용한 GaN LED 반응기 설계 - 열전달 및 물질전달

Chemical Vapor Deposition을 이용한GaN LED 증착속도 및 반응기 설계목 차1. 서론 12. GaN 공정 Mechanism 및 반응조건 33. GaN 반응기 ... 구조 설명 53-1. Horizontal Reactor 53-2. Vertical Reactor 63-3. Simplified GaN CVD Reactor 74. 반응증착속도식 ... 다. 그 결과, 백열전구보다 효율성이 높은 형광등이 개발되었고, 거듭된 연구 끝에 백열전구보다 등 수명이 최대 1000배나 높은 LED 개발에 성공하였다.LED는 Light

리포트 | 19페이지 | 3,500원 | 등록일 2021.01.12 | 수정일 2021.01.17

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GaN LED&GaN epitaxy growth

GaN LED GaN e pitaxy g rowth - GaN LED efficiency - GaN epitaxy growth OUTLINE GaN LED efficiency ... LED efficiency (lm/W) ＝ η injection × η internal × η extraction × η phosphor × η package LED 의 효율 ... 은 carrier injection , 내부양자 , 광추출 , phosphor, package 에 의한 각각의 효율들의 곱으로 나타냄 보통 각 단계의 효율을 정확히 따지기보다 LED

리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.03.22

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Transparent Phosphorus Doped ZnO Ohmic Contact to GaN Based LED

한국재료학회 Lim, Jae-Hong, Park, Seong-Ju

논문 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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나노크기 표면 요철을 이용한 GaN LED의 광추출효율 향상

한국재료학회 정재우, 김사라, 정준호, 정종율

논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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RF스퍼터링법으로 성장시킨 n-ZnO 박막과 n-ZnO/p-GaN 이종접합 LED의 특성

한국재료학회 신동휘, 변창섭, 김선태

논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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