"ECR ion source"의 검색결과 입니다.

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Ebeam evaporator Etching

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"ECR ion source" 검색결과 1-9 / 9건

전자 맴돌이 공명 이온원을 이용한 고속 중성자 빔라인 이용연구 (Fast neutron production from p(7Li,n)7Be reaction using the ECR ion source)

한국물리학회 박진용, 안정근

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.17 | 수정일 2025.05.22

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ECR 이온원 6극자석의 최적설계 (The Optimized Design of a Hexapole Magnet for the ECR Ion Source)

한국물리학회 오병훈

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.16 | 수정일 2025.06.26

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ETCHING

에 의한 self bias 가 생성된다 . 27 6. Reactive Ion Etch (RIE) RF generator Wafer Powered electrode (cathode ... reet for accepting a first gas mixture to be energized by the first plasma source . •The second ... plasma source is connected to the first plasma source •The second plasma source has a second plasma

리포트 | 56페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.12.24 | 수정일 2013.11.17

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E-Beam Evaporator를 이용한 박막 증착 원리 이해(결과보고서)

로써, 반도체 공정 및 MEMS 공정에 필요한 전극 제작에 주로 사용되는 공정이다. E-beam source인 hot filament에 전류를 공급하여 나오는 전자 beam을 전자석에 의한 ... 속으로 흡입되는 이온 주입(ion implantation)등이 발생한다. 스퍼터 증착한 타겟 물질을 기판 위에 침착시켜서 박막을 형성하는 것을 스퍼터 증착(sputter ... puttering)라고 한다. 이온원을 열음극형 카우프만 이온원을 사용하는 이온빔 스퍼터(ion beam sputter), 전자 사이클로트론 공명(electron cyclotron

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.05.20

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연소 화학 기상 증착법(Combustion Chemical Vapor Deposition)

이나 ECR (Electron Cyclotron Resonance)을 이용한 Sputter로 해결 Ion-plating – 대형제품, 복잡한 형상의 제품에 박막을 입힐때 효과적 증발된 입자 ... 융점의 filament, basket, boat 등의 열 source가 필요 용융점이 낮은 재료(Al,Cu,Ag,Au..)의 증착에 유리하며 증착속도는 열 source에 공급 ... system : gas source, bubbling - Liquid delivery system : liquid pump or LMFC+FLASH VAPORIZERAPCVD

리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.17

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플라즈마 코팅

(Carbon source) - Radio Frequency/DC Plasma Enhanced CVD ECR 방법 - 플라즈마의 glow 영역에서 이온생성, 가속하여 증착 시킴 - 장비 ... - Magnetron Sputtering, Arc sputtering, Laser abliation 등의 PVD법 - PE-CVD, ECR-CVD, ICP-CVD, Thermal CVD ... Like Carbon)IV플라즈마를 이용한 코팅DLC 합성 원리 1. 합성 원리 » 탄소원(Carbon source)으로부터 탄소원자를 증착하고자 하는 곳에 가속, 충돌시켜 성장면

리포트 | 26페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.06.03

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[반도체공정] 플라즈마 에칭 장비의 구조

supply gas for process Plasma source to breed plasma for process RF System to supply energy in ... plasma source and chuckPlasma source's KindsAdvantage of anisotropic etching of physical etching way ... Coupled Plasma) - ICP (Inductively Coupled Plasma) - RIE (Reactive Ion Etch Plasma) - ECR (Electron

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.09

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반도체 집적소자 제조 단위공정 ( 금속박막공정, 사진공정, 식각공정 )

의 방다. 또한 step coverage가 좋아서 균일한 성막이 가능하다. sputter 방법이 갖는 단점인 낮은 성막 속도는 magnetron 이나 ECR (Electron ... 등에 의해 가열된 source의 재료에서 생성된다. 보통 진공관 안에서(일반적으로 10-5 ~ 10-6 torr) 진공증착되는 원자들이 기판위의 응축물로 충돌없이 일직선 ... , 우리는 PVD의 방법 중에서 sputtering을 사용한다. 이 기계는 학교 박막 실험실 내에 비치되어 있는 기계와 같다.Thin film deposition이라 함은 증착

리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.06

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[물리학] 이온주입공정

로 만든 후 이온을 인출하는 부분으로 이온화 하는 방식에 따라 Hot-cathode sources, RF sources, ECR sources, Penning sources 등이 있 ... Ⅰ. 서론이온주입(Ion Implantation) 기술은 임의의 원소를 이온화하여 빔(beam)을 형성한 후 고에너지로 가속하여 각종 소재에 이온을 주입함으로써 소재 표면의 화학 ... 적 조성, 결정구조, 조직 등을 변형시켜 소재 표면의 물리적, 화학적, 기계적 성질을 조절하는 표면개질(surface modification)기술이다.고분자 재료는 성형과 가공

리포트 | 25페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.12.19

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