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ITO Scribing 반도체 공정 실험 ALD 공정 ITO patter lift off 공정
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"DI rinse" 검색결과 1-20 / 51건

  • 자료 표지
    반도체 노광 공정의 DI 세정과 Oxide의 HF 식각 과정이 실리콘 표면에 미치는 영향 (Effects of DI Rinse and Oxide HF Wet Etch Processes on Silicon Substrate During Photolithography)
    한국재료학회 박형호, 백정헌, 최선규
    논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.07 | 수정일 2025.05.17
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  • 판매자 표지 자료 표지
    정보디스플레이학과 광전자공학 3차 준비 보고서 리소그라피 장비 종류 및 구동 방법
    에 올고, 기판 회전을 멈춘 후 현상액이 기판 표면에 있는 상태로 유지된 뒤, 일정시간 후 기판을 회전시키면서 DI water를 rinse 하고 dry하는 과정을 거친다.Half ... shower 을 통한 wettability를 향상시킴)-린스(rinse uniformity를 확보, 입구와 출구 쪽 aqua knife를 설치, spray shower)-건조(건조 ... , pipe hole, nozzle spray, C/J 고압 shower, stripper 순도 관리)-chemical rinse(IPA, IEC, ECA, Chemical
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.01.30
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  • 자료 표지
    [고분자재료]ITO scribing & cleaning-예비레포트(만점)
    기판의 전처리 방법ITO를 전처리 하는 방법은 다양하지만 아래 설명한 두가지 방법중 한가지 방법을 이용하여 전처리 과정을 연습해 본다.Toluene(20분)→ DI rinse(10 ... 분)→ IPA(20분)→ DI rinse(10분)→ MeOH(10분)→ DI rinse(10분)→질소로 물기제거→ Oven 건조(100℃, 15분)→UVO Clean(10분 ... )Detergent(Alconoxⓡ) Acetone(20분)→DI rinse(10분)→IPA(20분)→DI rinse(10분)→질소로 물기제거→Hot plate 건조(110℃, 10분
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.01.21
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  • 자료 표지
    [고분자재료실험] ITO scribing & cleaning 결과레포트 (만점)
    )를 이용하여 유리 가루 등의 이물질을 불어낸다.2) ITO 기판의 전처리Detergent(Alconoxⓡ) Acetone(20분)→DI rinse(10분)→IPA(20분)→DI ... 이나 particle을 제거하기 위하여 ITO glass를 알칼리 또는 중성세제를 사용하여 puddling이나 ultra sonic처리를 해준 다음 DI water로 세척하고 IR/UV광원을 조사 ... rinse(10분)→질소로 물기제거→Hot plate 건조(110℃, 10분)→UVO Cleaning(10분)4. 실험 결과 및 고찰patterning까지 완료한 후 전류가 흐르
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.01.21
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  • 자료 표지
    [성균관대][반도체공정실험][A+] 반도체공정실험 최종발표 ppt 자료입니다. 많은 도움 되었으면 좋겠습니다.
    Drain Rinse) - Di shower - Bubbling 3. Spin Dryer Spin RPM : 700 rpm 10min Wafer cleaning Oxidation 6
    Non-Ai HUMAN
    | 시험자료 | 31페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.02.06
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  • 자료 표지
    반도체공학실험 보고서(Circular Transmission line model)
    에서 남은 solution들을 제거하기 위해서 DI rinsing을 한다. DI를 채운 비커에 sample을 고정시킨 holder를 넣고, 비커에 DI를 지속적으로 흘려주는 과정이 ... 다. DI rinsing이 끝난 후, N2 gun을 사용하여 sample을 dry한다.2) Lithography (image reversal photolithography, PR ... 게 된다. Ultrasonic bath에서 아세톤에 5분, IPA에 5분 동안 wafer를 넣어서 PR을 제거하고, DI rinsing을 5분간 한다. 마지막으로 N2 gun
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.01.12
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  • 자료 표지
    숭실대 Metal strain sensor 제작 및 성능 분석 결과레포트
    적으로 보지 않는다.5. 실험 방법① Surface preparation2.5 × 2.5 cm Glass를 준비한 뒤, Acetone(5 min), IPS(5 min), Di ... & RinsingAcetone으로 하부에 남아 있는 PR을 녹인 후 샘플을 탈이온수로 rinsing후에, N2 gun으로 blow한다. (5 min)⑧ StrippingEcoflex
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 4페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.10.05
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  • 판매자 표지 자료 표지
    [반도체공정실험]Cleaning & Oxidation, Photolithography, Dry etching, Metal Deposition, Annealing(Silcidation)
    temperatureOxidation timeSi (100)p-type, 1~10 Ω㎝1000℃2 hours4 hours6 hours나. 실험 재료1) BOE, DI water ... _{4} F`:`H _{20} :계면활성제)Wafer를 BOE 용액(NH _{4} F`:`H _{20}:계면활성제)에 30분 동안 담근다.2) QDR (Quick Drain Rinse ... ) - DI 용액을 이용하여 헹군다.3) Spin Dryer - 30분 동안 700rpm 속도로 회전시켜 Wafer 표면의 물기를 완전히 제거한다.4) 세정 용액의 웨이퍼 표면
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 19페이지 | 5,500원 | 등록일 2022.09.17
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  • 판매자 표지 자료 표지
    (LCD) Manufacturing Processes (제조 공정)
    하게 형성될 가능성 有 – E/R 및 Etching Profile 을 적절하게 고려하여 공정을 설계함 TFT GLS Wet 前 세정 Etch 실 Rinse 실 DI 세정 상부 분사 ... – 4Mask 기준 (TN Mode) 1) 초기세정 : DI (De-ionized) Water 를 이용하여 , GLS 증착면을 세정함 2) Gate Sputtering ... : Gate 증착 前 DI 를 이용하여 세정 진행한 後 Sputtering 장비에서 GLS 를 90 ˚ 세워서 상온 , 상압에서 Target 을 이용하여 GLS 증착 전면을 Metal
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.03.21 | 수정일 2022.03.25
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  • 자료 표지
    반도체공학실험 보고서(MOSFET 제작 및 특성 측정)
    의 단계 사이에는 DI rinsing을 한다.1. MOCVD 합성의 원리RCA cleaning이 끝난 wafer에 MoS2를 증착하는 단계로서, MOCVD(metalorganic
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.01.13
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  • 자료 표지
    분석화학 실험 CE(Capillary electrophoresis)
    was rinsed three times in order of 1M NaOH, DI water and run buffer solution. Then sample solution
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.12.14
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  • 자료 표지
    실리콘 웨이퍼 표준 세정, Cr증착, photolithography 공정 최종보고서
    어내기 위해 DI water로 rinse와 건조가 요구된다. 건식 세정법은 가스 상태에서 웨이퍼 표면의 오염믈 제거하는 방식이다. 과거에 여러 가지 기법이 시도되었지만 완전 건식 ... 고 70℃가 되도록 유지하였다.③ wafer를 용액에 넣고 10분가량 기다렸다.④ 꺼낸 웨이퍼는 차가운 DI water로 rinse 하였다.⑤ 마찬가지로 위와 같이 HCl, H2O2 ... 는 용액에 담가 녹여 내는 과정으로 패턴이 보이는 과정이다. 포지티브 PR의 경우 현상액은 물에 희석된 알칼리용액을 사용하며 보통 NaOH용액이며 세척제는 DI water 이다. 최근
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.04.01 | 수정일 2020.08.17
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  • 판매자 표지 자료 표지
    LG,삼성,외국계대기업합격한 어마한 PT자기소개서, 경력기술서 입니다 . 이거 하나면 끝입니다. 잘 참고 하시면됩니다.
    leaning  HOT DI rinse공정 추가로 mask crack 방지 ⓑ Mask 건조에 IPA 사용  Mask 전용 SRD 사용 (Mask 전용 carrier 개발)(2 ... 화 (ing일원화  Chemical 변경을 통한 유기 Cleaning 공정수(6ea) 삭제 -. Recipe Tuning : Chemical/DI 최적화를 통한 Tack Time ... 적용 ( Chemical/DI 모두 ) ⓒ Chamber(Process/Dry) : Recipe 최적화 진행 (3) Dry Etcher  장비 Type 및 구조적 변경을 통한
    Non-Ai HUMAN
    | 자기소개서 | 15페이지 | 6,000원 | 등록일 2020.03.22 | 수정일 2023.02.09
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  • 자료 표지
    ITO Pattering 공정 예비레포트
    ℃, 10분 동안 Baking 하여 마지막 수분과 불순물을 제거 한다.·기판 전처리 과정①Cleaning○Toluene (20min)→ DI rinse(10min)→ IPA(20 ... min)→ DI rinse(10min)→ MeOH(10min)→DI rinse(10min)→ 질소로 물기제거→ Oven 건조(100℃, 15min)→ UVO Clean(10min ... )○Acetone(20min)→ DI rinse(10min)→ IPA(20min)→ DI rinse(10min)→ 질소로 물기제거→ Oven 건조(100℃, 15 min)→ UVO
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.07.15
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  • 자료 표지
    반도체 노광 공정의 DI 세정과 Oxide의 HF 식각 과정이 실리콘 표면에 미치는 영향
    한국재료학회 백정헌, 최선규, 박형호
    Non-Ai HUMAN
    | 논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
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  • 자료 표지
    6. ITO scribing & cleaning(예비)
    ubstrate 를 제외한 wafer?DI rinse & Spin dry-Shower rinse times : 5 회-spin dry : 1000rpm/240~360s?Cleaning ... ,?Cleaning, DI water-DI water 만을 사용하여 Wafer 세척 공정-목표 : Wafer 표면의 오염 물질 제거-대상 및 범위 : PR, Metal s ... , SC1-SC1(NH _{4} OH/H _{2} O _{2} /DI=1:1:10)을이용한 Wafer 세척 공정-목표 : Wafer 표면의 오염 물질 제거-대상 및 범위 : 실리콘
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    | 리포트 | 22페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.04.06 | 수정일 2016.04.11
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  • 자료 표지
    [고분자재료실험] 6. ITO Patterning - 예비
    (20분)→ DI rinse(10분)→ IPA(20분)→ DI rinse(10분)→ MeOH(10분)→ DI rinse(10분)→질소로 물기제거→Oven 건조(100℃, 15분 ... )→UVO Clean(10분)② Detergent(Alconoxⓡ) Acetone(20분)→DI rinse(10분)→IPA(20분)→DI rinse(10분)→질소로 물기제거→Hot
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.12.26
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  • 자료 표지
    Microfluidic channel 제작 및 Diffusion 실험
    184A(PDMS), Sylgard 184B, 4 inch Si wafer, SU-8 developer, DI water, Rhodamine(푸른 형광빛이 나는 노란빛을 띤 붉은 ... Bake(PEB) – Develop – Rinse&Dry – Hard Bake(optional) – Imaged Material – Remove 순서로 제작한다. 채널이 완성
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.11.28
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  • 판매자 표지 자료 표지
    정도관리&총론 요약 정리
    ) : TC(to contain) - 마이크로피펫(wash/rinse out), 용량 플라스크, 눈금실린더TD(to deliver) - 혈청학용피펫(blow out), 용량 피펫(정확 ... ). 전도도↓저항↑일수록 좋다.※제조과정 : 증류(prefilter) → 역삼투(RO;오염제거최대) → 이온교환(DI)⑨ 표준물질 : 순도 95.95% 이상의 물질, 제조시 표준온도
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.10.08
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  • 자료 표지
    PLED 소자제작 (논문)
    ⓡ) Acetone(20분)→DI rinse(10분)→IPA(20분)→ DI rinse(10분)→질소로 물기제거→Hot plate 건조(110℃, 10분)→ UVO Cleaning
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    | 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.06.27
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2025년 10월 19일 일요일
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