"AlN buffer layer"의 검색결과 입니다.

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mocvd sic epi 화학식 GaN GaN on si 질화갈륨

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"AlN buffer layer" 검색결과 1-13 / 13건

Si (111) 기판위에 성장한 GaN 박막층에 대한 AlN 버퍼층의 영향 (Influence of an AlN Buffer Layer on a GaN Layer on Si (111))

한국물리학회 김덕규

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.10 | 수정일 2025.07.19

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Si (111) 기판위에 AlN 버퍼층을 이용하여 성장한 GaN 박막층의 광학적인 특성 (The optical properties of GaN layers on Si (111) substrate with an AlN buffer layers)

한국물리학회 김덕규

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.10 | 수정일 2025.07.19

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AlN 버퍼층위에 증착된 다결정 3C-SiC 박막의 라만 산란 특성 (Raman Scattering Characteristics of Polycrystalline 3C-SiC Thin Films deposited on AlN Buffer Layer)

한국전기전자재료학회 정귀상, 김강산

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.11 | 수정일 2025.07.19

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패턴화된 사파이어 기판 위에 증착된 AlN 버퍼층 박막의 에피층 구조의 광학적 특성에 대한 영향 (Effects of AlN buffer layer on optical properties of epitaxial layer structure deposited on patterned sapphire substrate)

한국결정성장학회 박경욱, 윤영훈

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.11 | 수정일 2025.07.19

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실리콘 기판위에 금속 완충층을 이용한 GaN 성장과 특성분석 (Effect of metal buffer layers on the growth of GaN on Si substrates)

한국결정성장학회 이준형, 유연수, 안형수, 유영문, 양민

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.10 | 수정일 2025.07.19

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GaN on Si LEDs 기술동향 ppt

학회 from KOPTI 백종협2. Current Development : IMECSpecificationCrack free T (buffer 포함)5 ㎛XRD (002)/(102 ... . Current Development : LumiLeds (美)SpecificationCrack free T (buffer 포함)XRD (002)/(102) (arcsec)TDD (cm-2 ... Superlattice bufferGaN/AlN superlatticeSi (111)…From Sanken社 (www.sanken-ele.co.jp)2. Current

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 19페이지 | 20,000원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2022.11.21

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Nanowire 기술동향 및 AlN nanowire by HVPE

buffer layer 등 벌크나 박막에 대한 연구에 매우 편중되어 있다. 이에 대한 기존 문제점은 다음과 같다.- 고순도 AlN 합성 및 성장에 있어서 고온(1700℃ 이상 ... 팁 끝에 액적이 없는 것과 buffer layer의 생성을 확인할 수 있었다. 뿐만 아니라 나노구조체의 형상은 AlN의 기본구조인 wurtzite 구조를 가짐에 따라 육각기둥 모양 ... REPORTNanowire 기술동향 및 AlN nanowire by HVPECONTENTS1. 서

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.05.01

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GaN의 특성과 성장 방법

GaN buffer layer를 증착시키고 그 위에 GaN 를 성장하고 있는데 1000℃ 이상의 고온이 필요하여 박막의 질 저하와 소자의 효율 감소 등의 문제가 대두되고 있 ... 성으로 인해 양질의 GaN 박막을 얻기 힘든 실정이다. Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체의 근간이 되는 GaN 박막을 성장하는 데는 현재 sapphire 기판 위에 500～600℃로 AlN 또는

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.02.28

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OLED 보조물질(저분자&고분자)

anode of Devices fabrication.For inserting the LiF buffer layer at the cathode/organic interface, the 0 ... device2. Improved performance of OLED with HfOx anode buffer layer3. Improved performance of OLED with ... plot (a) without LiF (b) with LiF buffer layer, between cathode and organic interface. The curve in c

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 46페이지 | 3,500원 | 등록일 2008.06.03

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GaN MOCVD Growth 성장특성 (MOCVD를 이용한 GaN 질화갈륨 성장특성)

층과 기판 간 격자상수 및 열팽창계수의 차이 Strain 발생 버퍼층은 Stain을 완화 MOCVD 성장에 적합한 Buffer물질 Ex.) GaN, AlN, AlGaN, etc ... .Buffer 조건7. 결과고품위 GaN 성장을 위한 개선책저가 및 대면적 기판 GaN 박막과의 높은 격자정합성 저결함 구조 기판 고 내열성, 높은 열전도성 기판 Ex.) GaN ... , Sapphire, SiC, Si, etc.Substrate조건7. GaN 성장결과고품위 GaN 성장을 위한 개선책☆ 구조적 특성 Layer층, Barrier층 두께의 변화 ☆ 이론

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 27페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.28

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금속유기화학증착법(MOCVD)

apphire기판 위에 GaN 완충층(buffer layer)을 성장하고 다시 그 위에 GaN 에피층을 성장시키는 2단 성장법이 사용된다.2단 성장법은 에피층 성장온도 이상(1100 ... )Δa/aΔc/cSapphire(0001)7.5 × 10-68.5 × 10-6WurtziteGaN5.59 × 10-63.17 × 10-6√ 해결책AlN의 저온 버퍼층의 형성기술

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.29

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[Nano] Growth of GaN nanorods by chemical vapor deposition

source800CSubstrate3. ResultFig 2. SEM images of GaN nanostructuresLeft (buffer layer) : A-5cm, B-8 ... cm, C-10cm, Right (No buffer layer) : A’-1cm, B’-7cm, C’-10cmAlphabet - sample name, Number - 튜브내 ... , AlN 등을 사용하여 조성을 조절하면 자유롭게 광원의 파장을 조절할 수 있는 이점을 가지고 있어서 현재 청색표시 및 발광소자재료로서 가장 각광 받고 있는 물질이다. 보통 박막 성장

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| 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.22

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[반도체] Investigation of GaN (질화 갈륨의 특성 조사)

도 휘도가 더욱 향상되어야 하므로 이를 위해 GaN, AlN, ZnO 등 다양한 buffer 층, compliant substrate, porous substrate 등 다양 ... ]).figure 6. Photoluminescence spectrum of GaN epitaxial layer (from [4]).figure 5. Depth profile for c ... oncentration Nd-Na in GaN epitaxial layer (from [4]).b. GaN on SiCThickness of GaN epilayer0.1 ~ 0.3 μ

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.09.21

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