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홍익대 실험3 리사쥬도형 홍익대학교 실험3 홍익대 전자회로 젠틀몬스터 뮤지션 기획 JFET 증폭기 KIAF 고체추출
EasyAI “홍익대학교 실험3” 관련 자료
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"홍익대학교 실험3" 검색결과 1-20 / 587건

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    전자회로실험_홍익대_실험3
    된다.실험과정 미리보기실험 2-11. 위의 그림과 같이 회로를 연결한다2. 회로가 단락되었는지 접촉 불량이 있는지 등 회로를 점검한다3. 전원을 on하고 정현파 출력모드로 설정 ... 이 500mV가 되도록 설정하고 입력전압의 진폭에 따른 출력전압을 관찰한다.6. 다이오드의 애노드와 캐소드의 위치를 바꾸고 위의 방법대로 실험하여 음의 반주기 정류회로를 측정한다.
    리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.08.31 | 수정일 2025.04.01
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    기계공학실험 - 3점밴딩 실험보고서 (홍익대, 홍익대학교)
    3-Point Bending Test □ 실험 목적 3점 벤딩 시험은 보에 굽힘을 가하여 각 면에서의 압축력과 인장력을 확인하며 재료의 굽힘에 대한 저항, 파단 강도, 탄성계수 ... 버튼을 눌러 실험을 시작한다. □ 실험 결과 Task1. Perform two trials of 3-point bending tests with two specimens ... allowance를 측정할 수 있다. □ 실험 장비 UTM(Universal Test Machine), 횡(transverse) 방향 결의 AL6061시편, 종(longitudinal) 방향
    리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.03.24 | 수정일 2023.06.27
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    홍익대 실험3 3주차결과보고서
    전자회로실험 및 설계3주차 결과보고서제출일: 2024.04.11.(목)실습파트결과파트실험 5-1) NPN형 BJT의 IC-VCE특성 측정하기표 1 :NPN형 BJT의 IC-VCE ... -2.3-2.363-1004m-4-4.02-4.14-2.03-5.68-5.72-5.845-2.44-7.255-7.42-7.53실험 5-2) NPN형 BJT의 IC-VBE특성 측정 ... 특성 측정 결과IC [mA]VCE[V]0.10.40.82.0VBB[V]0.5-1.9m-2.15m-2.14m-2.4m1-215.3m-619m-620.7m-635m2-867m-2.3
    리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.03.28
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    홍익대학교 전기회로실험및설계 3주차 예비보고서 A+
    리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.06.19 | 수정일 2023.06.26
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    홍익대학교 전기회로실험및설계 3주차 결과보고서 A+
    리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.06.19 | 수정일 2023.06.26
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    홍익대학교 디지털논리실험및설계 3주차 예비보고서 A+
    는지 확인할 수 있습니다. 기본 실험 (1) 회로의 경우 (00, 01, 10, 11)에 대한 디코딩 게이트는 각각 (Y0, Y1, Y2, Y3)이고, 어떤 input 이냐에 따라서
    리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.03.21 | 수정일 2023.04.03
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    홍익대 실험3 4주차결과보고서
    전자회로실험 및 설계4주차 결과보고서제출일: 2024.05.02.(목)실습파트그림 1 :실험 6-1 실습사진그림 2 : 실험 6-3 실습사진결과파트실험 6-1) NPN형 BJT ... .330.641forward active2.724.099m3.66151.870.6860.17-0.516saturation실험 6-1에서 사용한 저항의 실제값R1 : 148.5kΩ, R2 ... 의 오차, power supply가 VCC=10V를 인가했음에도 자동적으로 voltage가 바뀌는 이상한 오류 등이 있다.실험 6-3) NPN형 BJT의 자기 바이어스 회로의 동작점
    리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.03.28
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    홍익대 실험3 6주차예비보고서
    전자회로실험 및 설계6주차 예비보고서제출일: 2024.05.09.(목)이론파트공통컬렉터 증폭기 이해하기회로 구성NPN형 BJT 공통컬렉터 증폭기: 컬렉터가 양의 전원 Vcc ... 므로, 공통 컬렉터 증폭기의 전압이득은 Av?1[V/V]이 된다.공통컬렉터 증폭기는 전압이득이 근사적으로 1이고, 큰 입력저항과 작은 출력저항을 가지므로 전압버퍼로 사용된다.실험파트 ... ](시뮬레이션 입력)1.981v _{O}의 첨두-첨두값[V](시뮬레이션 결과)1.9419그림3를 참조하면 vs가 증가할 때 vo가 비슷한 기울기로 증가하고 감소하므로 동일위상임을 알 수
    리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.03.28
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    홍익대 실험3 10주차예비보고서
    전자회로실험 및 설계10주차 예비보고서제출일: 2024.05.23.(목)이론 파트게이트 동작점 전압N-MOSFET의 전압분배 바이어스 회로는 [그림 10-1(a)]와 같이 구성 ... 된다.부하선드레인 저항 RD와 소스 저항 RS에 따라 직류 부하선의 기울기가 달라지며, [그림 10-2(b)]의 예와 같이 동작점의 위치도 달라진다.실험 파트시뮬레이션 10-1: N
    리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.03.28
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    홍익대 실험3 10주차결과보고서
    Ω: 0.74kΩ, 1kΩ: 0.99kΩ, 1.3kΩ: 1.28kΩ, 1.5kΩ: 1.48kΩ,1.8kΩ: 1.78kΩ, 110kΩ: 109.7kΩ, 820kΩ: 818kΩ실험 ... 전자회로실험 및 설계10주차 결과보고서(실험10)제출일: 2024.05.30.(목)실습파트그림 1 : 실험 10-1 실습사진결과파트실제 저항값0.51kΩ :0.5kΩ, 0.75k
    리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.03.28
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    홍익대 실험3 4주차예비보고서
    전자회로실험 및 설계4주차 예비보고서제출일: 2024.04.11.(목)이론파트NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로회로구성NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로는 [그림 6 ... 에 저항 RE를 추가함으로써 ICQ가 βDC와 VBE의 변화에 덜 민감해진다.베이스 동작점 전류베이스 바이어스 전류는 [그림 3]으로 결정된다.태브냉 등가전압 VTH와 등가저항 ... RTH는 앞의 NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로에서 구한 것과 동일한 방식으로 구한다.그림 3컬렉터 동작점 전류, 전압컬렉터 바이어스 전류는 [그림 4]의 식에 의해 결정
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    홍익대 실험3 5주차결과보고서
    전자회로실험 및 설계5주차 결과보고서제출일: 2024.05.09.(목)실습파트그림 1 ; 실험 7-1 실습사진결과파트저항의 실제 측정값120kΩ: 119.5kΩ, 0.51k ... Ω: 2.38kΩ, 3.0kΩ: 2.9kΩ, 3.6kΩ: 3.56kΩ표 1 :NPN형 BJT 공통이머터 증폭기의 동작 특성 측정 결과동작점 전류, 전압(시뮬레이션 결과)I _{BQ ... 된 점, 실제 저항값의 오차, 오실로스코프의 내부저항 등이 있다.그림 2 :NPN형 BJT 공통이미터 증폭기의 vs와 vo의 측정결과 파형그림 3 :NPN형 BJT 공통이미터 증폭기
    리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.03.28
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    홍익대 실험3 5주차예비보고서
    전자회로실험 및 설계5주차 예비보고서제출일: 2024.05.02.(목)이론파트공통이미터 증폭기 이해하기회로 구성[그림 7-1(a)]: NPN형 BJT 공통이미터 증폭기이미터 ... 하고, BJT의 컬렉터 출력저항 r0를 무시할 수 있다고 가정하면, 공통이미터 증폭기의 소신호 전압이득은 다음과 같다.실험파트시뮬레이션 7-1) NPN형 BJT 공통이미터 증폭기 ... } +r _{pi }} 이므로 전압이득의 부호는 음수이므로 반전위상 관계임을 알 수 있다.그림 3 :NPN형 BJT 공통이미터 증폭기의 시뮬레이션 결과 파형(vs)그림 4 :NPN
    리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.03.28
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    홍익대 실험3 7주차예비보고서
    전자회로실험 및 설계7주차 예비보고서제출일: 2024.05.09.(목)이론파트증가형 MOSFET의 전류-전압 특성 이해하기구조MOSFET은 소스와 드레인의 도핑 형태에 따라 N ... -MOSFET, P-MOSFET으로 구분된다.MOSFET 소자는 게이트, 소스, 드레인 3개의 단자를 갖는다. 게이트는 BJT의 베이스, 소스는 BJT의 이미터, 드레인은 BJT ... 는 산화막으로 절연되어 있으므로 게이트 단자에는 전류가 흐르지 않는다.N-MOSFET과 P-MOSFET의 전류방향은 [그림9-2]와 같다.그림9-2(c)에서 단자1에서부터 단자3
    리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.03.28
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    홍익대 실험3 8주차결과보고서
    전자회로실험 및 설계8주차 결과보고서제출일: 2024.05.23.(목)실습파트그림 1 :NPN형 BJT 공통컬렉터 증폭기의 회로구성 사진결과파트실제 저항값1KΩ=0.987K ... Ω , 82KΩ: 81KΩ, 100KΩ: 99.1KΩ실험 8-1: NPN형 BJT 공통컬렉터 증폭기의 동작 특성 측정하기동작점 전류, 전압(시뮬레이션 결과)I _{BQ} [mA]0 ... 이 소수점 값으로 작기 때문으로 볼 수 있다.그림 2 :NPN형 BJT 공통컬렉터 증폭기의 vs와 vo 측정 결과 파형그림 3 : vo만 측정한 결과파형고찰[1]시뮬레이션 결과Av,s
    리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.03.28
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    홍익대 실험3 9주차결과보고서
    전자회로실험 및 설계9주차 결과보고서(실험9)제출일: 2024.05.30.(목)실습파트그림 1 : 실험9-2 실습사진결과파트실험 9-2 :N-채널 MOSFET의 ID-VGS 특성 ... 0.001m0.319m3.43.814.124.454.865고찰[2]-[표 9-5]의 측정결과로부터 ID-VGS특성 곡선을 [그림 9-14]의 모눈종이에 그린 후, [그림 2 ... 으로 볼 수 있다.-[그림 2]의 시뮬레이션 결과와 [그림 3]의 측정 결과로부터, 2N7000 증가형 MOSFET의 문턱전압 VTh이 얼마인지 구하라.그림 2 :N-채널 MOSFET
    리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.03.28
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    홍익대_디지털논리회로실험_3주차 예비보고서_A+
    디지털 논리실험 및 설계 3주차 예비보고서실험 준비1.1 기본 실험 (1)의 회로가 2-bit 복호기인 이유를 설명하시오.기본 실험 (1)의 회로는 입력 A,B를 받아 Y0, Y ... 에 대응하는 출력 단자의 조합에 신호가 나타나는 것. 위 회로는 부호기의 정의에 들어맞는다.1.3 기본 실험 (3)에서 7을 표시하기 위한 입력 ABCD가 무엇인지 설명하시오.7 ... 0 즉 Low가 입력으로 들어올 때 동작하는 것을 Active LOW라 한다.실험 결과2.1 기본실험 (1)Y0, Y1, Y2, Y3의 AND 게이트에 입력되는 신호가 순서
    리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.05.15
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    홍익대학교 실험3 1.반도체다이오드 예비보고서
    1. 실험목적제너 다이오드의 직류특성을 조사한다.2. 실험내용- 제너 다이오드의 순방향 및 역방향 바이어스(1) 그림 2 7( a 의 회로를 결선한다.[그림 2 7(a)]책대 ... 한다.3. 결론우리는 다이오드의 한방향 특성을 이용하는데 순방향과 역방향 모두 이용가치가 있다.그중 역 방향 특성을 이용하는 활용 이 제너 다이오드이다 다이오드는 역전압시
    리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.01.06
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  • 자료 표지
    홍익대학교 전자회로실험 실험3 트랜스의 직류 특성 예비보고서
    1.실험목적트랜지스터의 입력 및 출력 특성 곡선을 조사한다.2.실험내용-회로시험기를 사용한 트랜지스터의 검사 (1)회로시험기로 트랜지스터의 베이스-에미터 사이의 저항을 각각 순 ... 은 위가 3.544k옴 아래가 6.456k옴임을 알 수 있다. 이제 찾은 저항값에 대하여 VBB=1.6V일때의 저항치를 찾는다.
    리포트 | 11페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.01.06
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    홍익대학교 전자회로실험 실험3 반파정류회로 예비보고서
    1. 실험목적반파정류회로의 특성을 조사한다.2. 실험내용-필터 회로가 없는 경우(1)그림 4-10의 회로를 결선한다.(2)트랜스 2차측에서i) Vrms를 전압계로 측정한다.24 ... )=24V(3) i)부하저항 RL양단 전압의 최대값 VP를 계산한다.VP=VP.P/2=33.95Viii) 최대전류 IP를 계산한다.IP=VP/RL=33.95mA3.결론
    리포트 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.01.06
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2025년 07월 31일 목요일
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