홍익대학교 전자회로실험 실험3 트랜스의 직류 특성 예비보고서

최초 등록일
2020.01.06
최종 저작일
2019.04
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소개글

2019년 2학기 실험3
7.트랜스의 직류 특성 예비보고서 입니다.
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목차

1.실험목적
2.실험내용
3.결론

본문내용

1.실험목적

트랜지스터의 입력 및 출력 특성 곡선을 조사한다.

2.실험내용

-회로시험기를 사용한 트랜지스터의 검사
(1)회로시험기로 트랜지스터의 베이스-에미터 사이의 저항을 각각 순방향 및 역방향 바이어스 상 태로 하여 측정한다.
Npn 트랜지스터의 경우 베이스는 p-type이고 에미터는 n-type이다.
순방향 바이어스시 다이오드가 도통되므로 저항이 작다.
역방향 바이어스시 전류가 잘 흐르지 못하므로 저항이 크다.
(2)트랜지스터의 컬렉터-베이스 사이 및 컬렉터-에미터 사이의 저항을 위와 같은 방법으로 측정한 다.

-출력특성곡선
(1)그림 7-11의 회로를 결선한다.
(2)VBB를 1.6V, VCE를 12V에 놓고 VB와 VCC를 측정한후 IC, IB를 계산한다.
우리는 10k옴 가변저항을 두개 사용하여 VBB와 VCC를 컨트롤 할것이다.
Bjt는 비선형 소자이므로 예측하기란 쉽지가 않다. 두개의 가변저항은 24V에 병렬로 연결되어있다.
따라서 VBB=1.6V를 맞추고 이에 해당하는 저항치를 구하고, VCE=12V를 맞추고 이에 해당하는 저항치는 구할 수 있다.
VBB=1.6V로 맞추고 오른쪽 10K가변저항을 스윕하여 VCE=12V일때의 저항치를 찾는다.
각각의 저항은 위가 3.544k옴 아래가 6.456k옴임을 알 수 있다. 이제 찾은 저항값에 대하여 VBB=1.6V일때의 저항치를 찾는다.

참고 자료

없음

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