특성이 실험은 Vgs값을 3, 4, 5V로 고정한 후 각각에 대한 ID-VD그래프를 그리고 이로부터 Vt, k, ro값을 추정해 보았다. 이는 피스파이스 실험과 거의 비슷한 값 ... 해서 MOS의 여러 특성에 대해 알아본다.실험결과1.피스파이스 결과- 소자 문턱 전압의 측정I _{D}V _{A}V _{tp}128.74A0V약 1.9V- 소자 전도도 변수의 측정 ... 의 Vth = 1.6V, NMOS의 Vth = 1.0V 임을 알 수 있다.2) 소자 전도도 변수의 측정 : iD = K(vGS-Vt)2의 식으로부터 각각 K값을 유추하면 된다
므로 게이트 전압V _{GG}는 7.5V가 되는 것을 볼 수 있고, 현재 피스파이스 시뮬레이션을 하면 게이트 소스 전압이 VGS=3.35V가 된다. 따라서 소스 전압V _{SS}를 구해보 ... 출력신호 잘릴 경우(클리핑) 실패●소자 : MOSFET (2N7000), R, C●파라미터 : 2N7000 파라미터.MODEL 2N7000 NMOS (LEVEL=3 RS=0.205 ... -2)model M2n7000 NMOS(Level=3 Gamma=0 Delta=0 Eta=0 Theta=0 Kappa=0.2 Vmax=0 Xj=0+ Tox=2u Uo=600 Phi
_{S} )로 두었다. 이것이 MOSFET의 I-V특성 그래프이고 사실 피스파이스에서 구지 이렇게 시뮬레이션 할 필요는 없다. 다만 실험전 미리 해보는 예비실험이라는 점에서 일부러 ... 은 MOSFET 소자 변수들과 전류 소스에 의해 구동되는 부하 저항 크기에 대해 전혀 영향을 받지 않는다. 가장 기본적인 전류 소스는 전류 미러로써 과 같이 구성된다.여기서 NMOS ... 는 현실적이지 않은데 그 이유는 NMOS의 기판(body)은 공통으로써 회로의 가장 낮은 전위에 연결되어 있고, PMOS의 기판도 공통으로 회로의 가장 높은 전위에 연결되어 있기 때문이