전자회로실험1 8주차 결보
- 최초 등록일
- 2020.07.29
- 최종 저작일
- 2016.04
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목차
1. 실험제목
2. 실험목표
3. 실험결과
4. 토의
본문내용
실험제목
MOSFET의 특성
실험목표
① 소자 문턱 전압과 소자 전도도 변수를 측정해 본다.
② MOS 소자의 특성 곡선을 측정해 보고, 이를 통해서 MOS의 여러 특성에 대해 알아본다.
실험결과
1.피스파이스 결과
- 소자 문턱 전압의 측정
- 소자 전도도 변수의 측정
- 출력 특성
2.실험결과
- 소자문턱 전압의 측정 및 소자 전도도 변수의 측정
1) 소자 문턱 전압 : 그래프로부터 PMOS의 Vth = 1.6V, NMOS의 Vth = 1.0V 임을 알 수 있다.
2) 소자 전도도 변수의 측정 : iD = K(vGS-Vt)2의 식으로부터 각각 K값을 유추하면 된다.
PMOS의 경우 0.43, 0.41, 0.37, 0.36, 0.48, 0.40, 0.35, 0.35의 각각 K 추정 값으로부터 평균값인 0.395로 추정할 수 있고, NMOS의 경우 각각 0.23, 0.26, 0.28, 0.28, 0.28, 0.31, 0.30, 0.29, 0.28 추정 값으로부터 평균값인 0.270으로 추정할 수 있다.
참고 자료
없음