"직접 에너지 증착"의 검색결과 입니다.

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증착 무기공업화학 진공 증착 mos capacitor 제작 RF-magnetron sputtering t-5 28w 사용시간 ITO Scribing OLED OLED합성및제작

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"직접 에너지 증착" 검색결과 1-20 / 801건

DED 공정에 의해 피복된 Mo 층의 결정립 미세조직과 석출물 분석 (Microstructural Analysis of Grain Morphology and Precipitations on Molybdenum Cladding Layers Fabricated by the Direct Energy Deposition Process)

대한기계학회 이수민, 배재윤, 노상훈

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.26 | 수정일 2025.05.14

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[박막공학실험]이온스퍼터링과 탄소코팅

’한다는 점이다. 진공증착에서는 소스가 가열되면 열에너지에 의해 원자가 결합을 끊고 이탈하며, 이순간의 에너지만으로 기판까지 직진하며 날아가게 된다. 때문에 중간에 다른기체나 불순 ... 물 등에 충돌하게 되면 그 에너지를 잃고 기판이 아닌 다른 곳으로 가서 증착될 수 있다. 그래서 추가로 다른에너지를 가하여주는 다른 PVD법들에 비하여 가장 높은 진공도를 요구 ... . 그러나 바닥에 위치하게 되면 증발입자는 직진하므로 더 가까운 곳에 더 많은 수의 증착이 이루어지므로 불균일한 증착 두께가 나올 수 있다.다. 이온스퍼터링고에너지입자를 이온화된 아르곤

리포트 | 9페이지 | 3,500원 | 등록일 2023.03.07

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Influence of Angle of Corner Deposition on Temperature and Residual Stress Distributions in the Vicinity of the Deposited Region by a Ti-6Al-5V Wire-Feeding Type of Direct Energy Deposition Process (Influence of Angle of Corner Deposition on Temperature and Residual Stress Distributions in the Vicinity of the Deposited Region by a Ti-6Al-5V Wire-Feeding Type of Direct Energy Deposition Process)

한국정밀공학회 빗리 츄아, 이호진, 안동규, 김재구

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.30 | 수정일 2025.05.15

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photolithography 및 etching 공정 레포트

한다.Evaporation에서 증착은 충분한 열에너지가 공급되어야 하는데 만약 증착하고자 하는 물질이 여러 가지의 소스 원소를 가지고 있다면, 각 원소별로 Evaporation에 필요한 에너지 ... 의 장비 사용 - 고온공정- 증발일 경우 증착 속도 느림 - 불순물 오염정도 높음Deposited the channel layer3.1 process- 소자를 DC sputter에 넣 ... 는다- Chamber내를 고진공으로 맞춰놓고 증착을 진행 한다(그렇기에 메인벨브 닫고 벤트벨브 열어준다)- 대기압으로 다시 낮춰서 넣어줘야 하기 때문에 벤트벨브에서 질소를 넣어준다.

리포트 | 11페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.10.27 | 수정일 2024.11.08

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숭실대학교 신소재공학실험2 Oxidation 공정 예비보고서

적 증착으로 나뉜다.물리적 증착은 증착 Source로부터 원자나 분자를 기체 상태로 만들어서 직접적으로 반도체 웨이퍼 표면에 증착하는 방식이다. 이온화된 입자를 사용하여 증착 과정 ... 을 제어하는 Ion Beam 증착, 고에너지 입자를 이용하여 웨이퍼 표면 원자를 제거하여 박막을 형성하는 Sputtering이 주로 사용된다.화학적 증착은 증착 Source ... 1. 실험 제목Oxidation 공정2. 배경 및 이론1) 반도체 8대 공정반도체 8대 공정은 다음의 8단계 과정을 거쳐 진행된다.① 웨이퍼 공정반도체 직접 회로는 웨이퍼라고

리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.08.26

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전기를 이용한 표면장력 제어 실험 결과레포트1,2(기공실)

하는 이유 : 표면의 조도, 및 기계적 성질이 우수하기 때문)(2)Metal depositionmetal을 증착한다.(진공안에 아르곤 가스를 넣어준다. 이 진공 안에 강한 에너지 ... 는 전압을 주기가 힘들다. 이러한 이유로 오차가 발생할 수 있다.3. 접촉각 Saturation 현상이 발생하는 이유에 대한 자신의 생각을 적으시오.이러한 이유는 에너지 관점 ... 에서 생각할 수 있다. 기본적으로 물질은 에너지를 받게 되면, 에너지를 잃게 하기위해 격자가 진동을 한다. 이러한 진동을하게 되면 wave function 파동함수가 밖으로 방출을 하

시험자료 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.09.20

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2021 반도체공정1 중간&기말고사 보고서

>>대해 서술하시오. Al 배선을 증착하면 직접적인 Si-Al junction이 생기고 고온 공정으로 Si가 Al로 확산되면서 빈공간을 만든다. 이 빈공간에 Al이 침투하면서 발생 ... 과 contact hole을 PVD Al로 증착 시 발생하는 void를 막기 위해 사용하는 공정기술이다. Void는 contact hole의 aspect ratio가 높을 때 발생 ... tungsten plug process는 contact hole 부분을 W CVD로 증착하고 그 위에 Al 배선을 증착한다. Copper dual damascene process

시험자료 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2025.04.21

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진공증착레포트

하고, 진공상태에서 저항 열이나 전자 beam, laser beam 또는 plasma를 이용하여 고체상태의 물질을 기체 상태로 만들어 기판에 직접 증착시키는 박막 제조 방식입니다 ... 로 에너지가 들떠있기 때문에, 웨이퍼와의 반응이 쉬워 쉽게 증착됩니다. 이로 인해 저온(450도)에서도 반응이 가능하기 때문에 알루미늄같이 녹는점이 낮은 물질이 증착되어 있는 경우 ... EvaporationThermal Evaporation와 동일한 방식으로 물질을 가열하여 증발시킨 후 기판에 증착하는 방법입니다. 차이점은 직접적인 가열이 아니라 전자빔(electron beam

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.11

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(기출) 나노시스템 과학 기말고사 기출문제 [25문항]

에 유리하다. 하지만 반응 부산물이나 용매가 남아 후처리가 필요할 수 있다는 단점이 있다. 반면, 물리적 방법은 기계적 분쇄, 진공 증착, 레이저 분쇄 등 물리적인 힘이나 기법 ... 고, 장비 비용과 에너지 소모가 크다.2. 나노입자의 크기와 형태가 물리적·화학적 특성에 미치는 영향을 설명하시오.나노입자의 크기가 작아지면 표면적 대비 부피 비율이 급격히 증가 ... 적 특성이 뛰어나며, 구형 입자는 안정성이 크다. 따라서 크기와 형태의 변화는 물리적 성질뿐 아니라 화학적 반응성에도 직접적인 영향을 끼친다.3. Quantum Dot의 구조와 광학

시험자료 | 8페이지 | 3,500원 | 등록일 2025.06.07

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[신소재공학실험]박막 실험

되고 있다.라. Sputter1) sputter물리 기상증착법은 원하는 박막 물질의 기판이나 덩어리에 에너지를 가하 여 운동에너지를 가지는 해당 물질이 물리적으로 분리되어 다른 기판 ... puttering : 고 에너지의 입자를 원하는 박막과 동질인 물질로 이루어진 기판에 충돌시켜 그곳으로부터 원자와 분자가 떨어져 나와 박막을 만드는 방법을 말한다. VLSI의 금속 박막 증착 ... 에 대한 수치해석에 주안점을 두고 아울러 bulk plasma영역에서 target으로 입사하는 이온들의 입사에너지 및 입사각도 등을 Monte Carlo 방법으로 추적하여 s

리포트 | 9페이지 | 3,600원 | 등록일 2022.08.28

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금형 재제조를 위한 공구강 소재 적층 공정 설계 최적화 및 시스템 개발 (Design and Optimization of Tool Steel Material Deposition Process for Remanufacturing of Dies and Moulds and System Development)

한국기계가공학회 양성문, 유재현, 박상율

논문 | 10페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.13 | 수정일 2025.03.28

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[신소재공학실험]진공 및 박막 실험

에 진 공증착에서는 소스가 가열되면 열에너지에 의해 뭔자가 결합을 끊 고 이탈하며, 이 순간의 에너지만으로 기판까지 직진으로 날아간 다. 때문에 중간에 다른 기체나 불순물등에 충돌 ... 하였다.③ 이온 플레이팅이온 플레이팅은 생성된 증착 원자 또는 분자의 일부를 이온화시키 고 전기장 속에서 가속하여 고 에너지를 만들고 이를 진공중에 놓 여진 기판에 흡착시켜 박막 ... 하여, 진공 속에서 물질을 증발시켜 그 속에 놓아 둔 물체 표면에 균일한 막을 입히는 진공증착법(眞空蒸着法)이 개발되어 렌즈의 반사방 지막이나 반사경 제조 등 광학공업에 획기적인 기술

리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.08.28

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MOS Capacitor 제작 및 분석 실험

으로부터 튀어나온 원자를 기판으로 이동시켜 증착 되는 방식열원 공급방식Boat 직접 가열E-beam을 통한 source 표면 가열증착 속도빠름매우 빠름느림증착 제어어려움쉬움쉬움Step ... 화 될 수 있게 되었다. 직접회로는 DRAM, Computer, Display 등 많은 분야에서 발전을 이루고 있다. 시작은 미국의 bell 연구소에서 이루어진 최초의 Ge를 이용 ... 하여 줄 수 있다. 본 실험에서는 MOS Capacitor를 직접 제작하고, 다양한 측정기구를 이용하여 제작된 소자를 측정한다. 또한, C-V 특성 곡선을 확인함으로써 소자의 전기

리포트 | 22페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.24

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PLED소자제작 A+ 레포트 건국대학교 고분자재료과학

단점을 가지고 있다. 고분자는 스핀코팅에 의한 습식 박막 증착을 하기 때문에 1차 박막 증착 후 2차 박막을 코팅할 때 떨어뜨리는 용액에 의해 1차 박막이 손상을 입는 경우가 많 ... 벤젠이 파라(para) 위치에 무한히 연결되면 PPP라는 고분자가 되고 분자궤도는 중첩되어 에너지밴드를 형성하게 된다.π 결합을 가진 분자단으로 구성된 공액 이중 결합형 고분자 ... 는 자외선 및 가시광선 정도의 에너지를 흡수하면 π-π* 전이에 의해 전자가 여기되고 곧 이어서 중성 엑시톤이 된 후 흡수한 에너지를 주로 열로 발산하지만 물질에 따라서는 흡수 에너지

리포트 | 28페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.06.03

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[고분자재료]OLED 소자제작 결과레포트

장점이 있기 때문에 유기전기 발광 소자와 같이 초박막을 이용하는 전자 및 광학 소자에 가장 적합한 재료중의 하나이다.고분자는 스핀코팅에 의한 습식 박막 증착을 하기 때문에 1차 ... 박막 증착 후 2차 박막을 코팅할 때 떨어뜨리는 용액에 의해 1차 박막이 손상을 입는 경우가 많기 때문에 고효율을 위한 다층막의 형성이 어렵다.1) 고분자의 구조고분자를 형성 ... 되어 에너지밴드를 형성하게 된다.π 결합을 가진 분자단으로 구성된 공액 이중 결합형 고분자는 자외선 및 가시광선 정도의 에너지를 흡수하면 π-π* 전이에 의해 전자가 여기되고 곧 이어

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.01.21

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[A+레포트] Chemical Vapor Deposition을 이용한 GaN LED 반응기 설계 - 열전달 및 물질전달

)와 같이 분해될 수 있다. 이 반응은 Ga-N 사이의 결합과 직접적으로 연관이 있으며 분해될 때의 활성화 에너지는 18.5kcal/mol이다. Sywe et al. 는 저온에서 TMG ... Chemical Vapor Deposition을 이용한GaN LED 증착속도 및 반응기 설계목 차1. 서론 12. GaN 공정 Mechanism 및 반응조건 33. GaN 반응기 ... 구조 설명 53-1. Horizontal Reactor 53-2. Vertical Reactor 63-3. Simplified GaN CVD Reactor 74. 반응증착속도식

리포트 | 19페이지 | 3,500원 | 등록일 2021.01.12 | 수정일 2021.01.17

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서울과학기술대학교 무기공업화학 중간고사 요약자료 및 예상문제 (30제, 직접 제작한 문제입니다)

에너지로 나타나지 못하고 물질 내에서 소모됨-화합물 반도체는 직접 에너지 대역을 가짐-> 전자가 금지대를 통해 전이하면서 에너지가 빛 에너지로 전환-> 광소자를 위한 물질로 사용 ... : 높은 에너지를 갖는 이온의 충돌에 의해 표적의 표면에서 원자들이 떨어져 나오는 현상-전도성을 가진 금속 박막의 증착에 주로 이용 (이온이 증착됨)-종류? 직류 인가 스퍼터링 ... (콤비나트)의 형성, 공정의 연속화 및 자동화(회분식에서 연속화로 대형화에 따른 자동화로 발전함)02. 무기공업화학의 원료와 자원 ① 개요-화학공업의 발전에 따라 에너지, 원료의 관리

시험자료 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.07.08

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광전자 분광기술

electron)와, 화학결합에 직접 참여하지 않으면서 개별 원자에 속박되어 있는 코어전자(core electron)가 존재한다. 가전자들은 밴드를 이루면서 일정한 에너지 폭을 가지고 존재 ... 1. 광전자 분광기술1.1 원리광전자 분광기술은 단일 파장의 빛을 시료에 쪼여서 시료 표면 근처에서 광전효과에 의해서 튀어나오는 전자의 세기를 운동에너지에 따라 분석하여 시료 ... 로 이루어져 있다. 이들 원자에는 화학결합에 직접 참여하며 결정상태의 고체인 경우 밴드를 이루면서 개별 원자에 속박되지 않고 고체 전체에 퍼져있는 가전자(valence

리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.01.26

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기상측정을 통한 DED 출력물의 유연 후가공 (Flexible Post-Process Machining of the Directed Energy Deposition (DED) Printed Part through the On-Machine Measurement)

한국정밀공학회 이훈희, 박민석, 이동목, 양승한

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.04 | 수정일 2025.05.16

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8대공정 요약

Deposition과 Chemical Vapor Deposition 두 가지로 나뉩니다. PVD는 증착할 물질에 직접 에너지를 인가하여 증착하는 방식으로 evaporation ... 8대공정은 웨이퍼제조,산화,포토,식각,증착및이온주입,금속배선,EDS,패키징공정으로 나눌수있습니다.1) 웨이퍼 제조반도체 집적회로는 웨이퍼라는 얇은 기판 위에 다수의 회로가 만들 ... 균일도 유지와 etch rate, selectivity 등의 인자 요인을 조절하여 칩의 불량률을 낮추고, 수율을 높이는 것이 중요합니다.5) 증착 및 이온주입 공정반도체 칩의 미세

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.11

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