"아르곤 플라스마 빔"의 검색결과 입니다.

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제올라이트 결과 cvd 용접기능사 5면보양용접 icp 분석 카드뮴분석법 레이저 용접

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"아르곤 플라스마 빔" 검색결과 1-20 / 36건

코카콜라 내시경적 주입법과 아르곤 플라스마 빔을 이용한 위석의 치료 1예 (A case of a huge gastric bezoar treated with an endoscopic Coca-cola injection and an Argon plasma beam)

대한내과학회 신혜영, 김민정, 송은훈, 태재웅, 고봉진, 박장원, 장우진

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.26 | 수정일 2025.05.14

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용접기능사 필기

아크용접(arc)-전자빔-MIG-일렉트로●한쪽또는 양쪽에 돌기를 만들어 압접: ㅍ로젝션 용접●열적 핀치V 용접: 플라스마 용접●볼트, 환봉 용접: 스터드 용접●냉간가공x: 가공경화 ... (저수소계)●DCRP ?●용접법-기밀,수밀 용접법: 심용접-물에 1배, 아세톤 25배 용해-높은 진공속에서 충격열이용 용접: 전자빔 용접1)높은 진공속에서 충격열이용 용접법?①펄스 ... 용접 ②퍼커션 용접 ③전자빔 용접 ④고주파 용접2)전자빔 용접: 용입이 깊다, 열영향부가적다, 장치가 고가이다.12)탈탄층, 얇게, 표면을 깍아내는 것: 스카핑=스카프●피복 배합

시험자료 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.11.02

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광선치료 레이저치료

}레이저10,600nm의 파장원위적외선 레이저용접, 절단, 열처리에 사용피부과 영역: 점, 사마귀, 주름살 제거, 여드름 흉터 등의 의료 부분에 사용(3) 아르곤 레이저488nm 파장 ... -유리레이저크세논 등으로 펌핑하여 발진결정 레이저보다 효율은 떨어지지만 모양이나 크기를 자유롭게 선택대형 출력으로 플라스마나 핵융합 등에 사용하는 레이저(4) 반도체 레이저반도체 ... ~15J /수식입니다.CM ^{2}, 5~10분(3) 점조사법 point프로브(탐침전극)를 환부에 접촉, 접촉법에 해당10J /수식입니다.CM ^{2}, 6~10분3) 레이저빔

시험자료 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.12.21

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인하대 패터닝 예비보고서

시킨다. 여기서 웨이퍼는 화학적, 물리적 식각을 모두 실행할 수 있다.IBM(이온 빔 밀링, Ion Beam Milling)전자기가 플라스마 공정실을 둘러싸고, 자기장은 전자의 궤도 순환 ... 한 상태가 전기적으로 중성을 띄는 플라스마 상태이다.반도체 제조 공정과 정의Lithography : 반도체 전체 공정의 약 1/3을 차지하는 단위 공정으로, 패턴의 표면을 이동 ... 결합 플라스마)웨이퍼로부터 분리된 플라스마를 갖는 고밀도, 저압 식각 반응기이며, 그림처럼 석영튜브나 절연판에서 플라스마로부터 분리된 나선코일 중앙에서 플라스마를 발생

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.09.15

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레이저 용접

, 정밀 드릴링, 열변형이 문제되는 정밀 용접 분야- 브레이징할 때 전체 공작물의 가열 시 물성 변화가 있는 부품- CO₂, 아르곤 용접할 때 열변형과 깨끗하게 용접되지 않은 부품 ... - 기타(우주통신, 로켓트 추적, 광학, 계측기, 사진술분야)- 다이아몬드 구멍 뚫기, 의학(성형수술, 점빼기 등)3. 레이저 용접 장단점[장점]- 레이저 빔의 높은 에너지 밀도(10 ... (Cu, Al 등)는 반사율이 높아 용접이 어렵다.- 금속 증기 및 실드 가스의 플라스마화에 의해 용입 깊이가 저하할 수 있다.4. 레이저-하이브리드(Hybrid) 용접이 용접법

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.12.18

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제올라이트 A 의 합성 및 분석 결과, 제올라이트 A를 이용한 이온교환 결과

27.13MHZ 영역에서 유도코일에 의하여 플라스마를 발생시킨다. ICP의 토오치(Torch)는 3중으로 된 석영관이 이용되며 제일 안쪽으로는 시료가 운반가스(아르곤, 0.4～2 ... L/min)와 함께 흐르며, 가운데 관으로는 보조가스(아르곤, 플라스마가스, 0.58～2L/min), 제일 바깥쪽 관에는 냉각가스(아르곤, 10～20L/min)가 도입되는데 토오치 ... 의 아르곤가스와 충돌하여 이온화되고 새로운 전자와 아르곤이온을 생성한다. 이와 같이 생성된 전자는 다시 아르곤가스를 전리하여 전자의 증식작용을 함으로서 전자밀도가 대단히 큰 플라스마 상태

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.03.31

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[기계제작]용접총론 및 개요

(미국)서브머지드아크용접케네디(미국)1948~1958년고주파용접구로호드 라트(미국)이산화탄소아크용접소와(미국)초음파용접비튼 파워스(미국)전자빔용접스틀(프랑스)1-1-9 용접열원의 종류 ... 보호없음 진 공피복금속아크용접 전기저항용접 전자빔용접전자파에너지고 주 파 열보호없음고주파용접기계적에너지기계적압력 마찰저항열 진동에너지보호없음 보호없음 보호없음냉간압접 마찰용접 ... 사용되지만, 산소와 아세틸렌의 혼합비를 조절할 수도 있다. 발생하는 온도는 3,000℃ 정도로 아크용접의 6,000℃보다 낮다. 그밖에 아르곤·질소·헬륨·수소 등이 쓰인다1-1

리포트 | 47페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.03.14

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GaN의 식각

Plasma)는 RF(Radio Frequency)가 흐르는 코일에 의해 유도된 전자장이 결합된 플라스마를 이르는데 플라스마는 이온화된 뜨거운 기체 즉, 아르곤이 약 1% 정도 ... 의 순간적 방전에 의해 생성된 아르곤 이온과 전자에 계속적인 에너지를 공급하게 되는데 이때 이온과 전자들이 플라스마 전체에 확산되어 ICP가 유지되게 된다.② ICP의 구성유도결합 ... 플라스마 분광 분석기는 고주파 전원, 광원, 기체공급장치 , 시료도입 장치, 검출기, 증폭기 등으로 구성되어 있다.③ 광원광원은 원자화 된 시료를 탈 용매(Desolvation

리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.05.22

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제올라이트A의 합성 및 분석, 이온교환 결과 레포트

주파유도코일에 의하여 형성된 아르곤 플라스마에 도입하여 6,000～8,000。K에서 여기된 원자가 바닥상태로 이동할 때 방출하는 발광선 및 발광강도를 측정하여 원소의 정성 및 정량 ... 분석에 이용하는 방법이다. [2]?SEM-목적주사형 전자현미경(Scanning Electron Microscope: SEM)은 가느다란 전자빔을 시료 표면에 주사시켜 2차 전자 ... (결상부)과 시료로부터 나오는 전자(2차전자)를 검출하여 현미경상을 만드는 부분(방사부)으로 나눌 수 있다. 시료에는 직경 10nm이하의 전자빔이 주사된다. 결상부는 시료

리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.04.01

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[무기분석실험] 8.제올라이트_A를 이용한 이온교환-예비

아르곤 등의 불활성 기체와 분무 시료의 혼합물을 흘림으로써 전자적(電磁的)으로 플라스마 상태를 생성시켜, 이에 의한 발광을 광원으로 사용하는 것. 원래는 이렇게 획득한 광원의 호칭이 ... ], [8]마. ICP : inductively coupled plasma(고주파 유도 결합 플라스마)주로 석영 등의 유전체 반응기 외부에 코일을 감아 이고주파 코일의 축을 따라 ... 다. 또한 낮은 전자빔 전류로도 분석 가능하며 검출 가능한 모든 원소를 한번에 검출가능하다. 검출기의 위치상의 제약이 크지 않고 분석이 빠르다. (약 5분) EDS의 단점

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.08.21 | 수정일 2014.09.14

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12DryEtching

) → chemical/physical플라즈마가 채워진 공간에 기판을 담그는 방식아르곤(Ar)과 같은 가스로 기판 표면에 충격을 가해 불필요한 부분을 깎아내는 방식화학적 반응과 물리적 반응을 혼합 ... 하여 사용Plasma제 4의 물질 상태: 고체 – 액체 – 기체 - 플라스마 전기적으로 준 중성 상태 유지 다수의 전자(-)와 이온(+)들의 집합체 집단운동 일반적으로는 플라스마내 ... 으로의 에칭속도가 빠 른 경우이며 주로 건식에칭에서 나 타난다.Sputter Etching이온빔 식각RF 스퍼터 식각물리적 식각 방법으로 상당량의 에너지를 가진 이온, 중성원자

리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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미량원소분석기기 ICP, AAS의 이해

적으로 음과 양의 전하수가 같은 중성의 입자 집단 플라즈마를 만들려면 흔히 직류, 초고주파, 전자빔 등 전기적 방법을 가해 플라스마를 생성한 다음 자기장 등을 사용해 이런 상태 ... 이 방해를 받게 되고 방출선의 세기에 영향을 주게 됨 그러나 플라즈마에서는 불활성기체인 아르곤을 사용하고 또한 높은 온도의 광원은 시료용액을 완전하게 해리시켜 주므로 비교적 방해가 적

리포트 | 23페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.02.11

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[무기분석실험] 9.그래핀(Graphene) 합성 및 분석 예비

결합 플라스마)주로 석영 등의 유전체 반응기 외부에 코일을 감아 이고주파 코일의 축을 따라 아르곤 등의 불활성 기체와 분무 시료의 혼합물을 흘림으로써 전자적(電磁的)으로 플라스마 ... 를 사용한다. 정성분석에 널리 쓰이는 기기 이다.EDS는 조작이 간단하고 분석 시 이동부가 없어 안정적이다. 또한 낮은 전자빔 전류로도 분석 가능하며 검출 가능한 모든 원소를 한번

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.08.21 | 수정일 2014.09.14

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나노소재분석기기

Frequency)가 흐르는 코일에 의해 유도된 전자장이 결합된 플라스마를 이르는데 플라스마는 이온화된뜨거운 기체 즉, 아르곤이 약 1% 정도 이온화 되어있고 분석지역의 온도가 약 6000도 ... 바깥을 통과하는 냉각기체가 테슬라(Tesla) 코일의 순간적 방전에 의해 생성된 아르곤 이온과 전자에 계속적인 에너지를 공급하게 되는데 이때 이온과 전자들이 플라스마 전체에 확산 ... ◎RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction)RHEED는 수(10~50KeV)KeV 정도의 고에너지 전자빔을 시료의 표면에 저각

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.23

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박막 에칭

하는 방법의 하나. 습식에칭과 건식에칭의 차이점 종전에 주로 사용되어 온 화학에칭이 액체 화학약품을 사용하는 습식에칭인 데 비하여, 화학약품을 사용하지 않는 플라스마에칭 ... (plasma etching)·이온에칭(ion etching)·스퍼터에칭(sputter etching)을 총칭해서 건식에칭 이라고 한다.플라스마 에칭 - 화학적으로 활성인 가스플라스마(주로 ... 불소화합물)와 시료 표면을 화학반응 시키는 방법이다. 이온에칭 - 플라스마실(室)에서 만들어진 불활성가스이온(주로 아르곤)을 전계(電界)에서 가속시켜 시료 표면에 충돌시켜 표면원자

리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.05.13

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Ion plating(이온플레이팅)

TiN을 코팅시키고자 할 때는 Ti를 전자빔으로 이온화시켜 플라스마를 형성시킨 후 반응성 가스를 진공실내에 불어넣어 피처리물 표면에서 반응을 하게 한다.즉 Ti(g) + CH4(g ... 1. ION - PLATING2. ION-PLATING의 특징3. ION-PLATING 원리(1) DC-diode 아르곤 방전1) negative glow2) The sheath ... region3) 기본적인 메카니즘(2) 아르곤 방전에서 음극에서의 충돌1) 이온과 중성입자의 에너지 분포4. Ion Plating 과정5. ION-PLATING 종류6. Ion

리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.10.05

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ITO Glass에 대한 소개와 쓰임

, 아면에 아르곤 이온이 충돌하는 이온폭격을 일으켜 표적재료 원자가 증기상으로 방출되게 된다. 물론 이온빔을 이용하여 스퍼터링을 행할 수도 있다. 이 방법은 화학적 혹은 열적 반응과정 ... .ITO 필름의 제조● ITO 필름은 거의 대부분 PVD, 전자빔 진공증착 또는 스퍼터링법으로 표면에 흡착시켜 만든다.● 박막을 형성시키는 방법에는 크게 PVD(Physical ... 는 아르곤 가스를 진공실 압력이 약 10000torr될 때까지 불어넣고, 표적재료에 높은 부전압(-500 ~ -5000V)를 걸어 음극으로 만든다. 이때 비정규 글로우 방전에 의해 발생

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.14

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Chip Fabrication Process

으로 나뉜 석영용기에 수직으로 담겨져 노의 중앙부로 넣어진다. 건식산화과정에서는 산소기체가 관의 뒤로 공급된다. 습식산화는 가열된 플라스크 내부에 담겨진 물을 통해 아르곤이나 질소 ... 속으로 가속된다. 결과적으로 이온 빔은 미리 맞추어진 동작전위로 가속되고, 초점이 맞추어져 최종적으로 웨이퍼의 표면 위로 주사된다. 주사는 웨이퍼를 기계적으로 움직이거나 정전 ... 는 벗겨진다. 이것은 asher라고 부르는 산소 플라스마체계에서의 레지스트를 산화시키는 것에 의하여 레지스트를 부풀리거나 들어올리는 화학적작용에 의해서 이루어진다. 방금 설명된 자외선이다.

리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.02.11

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진공증착과 음극스퍼터링

원으로부터 불순물이 혼입되는 일이 있다.(전자빔증착에서는 적다.)9. 증발할때에 조성이 변화할수 있다.10. 스팟타와 같은 플라즈마에 의한 시료의 파손이 없다.오래 된 형광등을 보 ... 면 관 끝 쪽이 거뭇하게 되어 있는데 이는 플라스마로부터 음극에 들어가는 이온에 의한 스퍼터링 현상이며 음극 재료인 원자가 튕겨 나갔기 때문이다. 이러한 현상을 응용한 것 ... 으로부터 표면 원자가 공간으로 튕겨지는 현상이다. 이것을 성막에 이용하는 데는 플라스마에서 꺼낸 이온을 사용한다. 그런 의미에서 스퍼터 증착은 플라스마 프로세스이다.스퍼터 증착

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.10.11

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제올라이트, 기기분석

의 증식작용을 함으로서 전자밀도가 대단히 큰 플라스마 상태를 유지하게 된다. 아르곤플라스마는 토오치 위에 불꽃형태(직경 12～15㎜, 높이 약 30㎜)로 생성되지만 전자 밀도 ... 의 역할을 한다. 일반적인 전자총에서 나오는 전자빔의 크기는 약 10∼50마이크로미터로, 보통 두 개의 수렴렌즈와 한 개의 대물렌즈를 이용하고, 시편에 주사되는 크기는 전자빔의 크기 ... 의 약 1/10000인 5∼200nm정도이다. 수렴렌즈는 전자총을 빠져나온 전자빔을 모아주는 역할을 하며 전자빔의 세기를 결정하는 2차 인자가 된다. 시료에 조사되는 빔의 크기를 결정

리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.12.02

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