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"LED의 I-V곡선" 검색결과 161-177 / 177건

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  • [led-ld-lcd-pdp] led-ld-lcd-pdp
    은 에너지 준위(energy level)로 떨어질 때 에너지가 방출된다. 보통의 다이오드에서는 에너지가 열의 형태로 방출된다. 그러나 LED(발광 다이오드, light-emitting ... diode)에서는 에너지가 빛으로 방출된다. LED는 낮은 전압, 긴 수명, 빠른 점멸 스위칭 속도 등의 장점이 있으므로 많은 응용에서 전구를 대체하고 있다.? 1.5V 10mA ... □ 발광다이오드 (LED)순방향 바이어스된 다이오드에서 자유 전자(free electron)는 접합부를 통하여 전공(holes) 속으로 떨어진다. 전자가 높은 에너지에서 낮
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.17
  • 유기태양전지
    로 성 곡선의 모습이다. 그러나, 빛을 쬐었을 때는 I-V 곡선이 빛을 쬐지 않았을 때와는 달리 아래쪽으로내려가 있다는 사실을 발견할 수 있다. 이는 즉, 전압을 걸지 않 ... c over {P_inc ~lambda}여기서 Isc는 단락 전류, Pinc는 입사되는 빛의 일률, λ는 입사되는 빛의 파장을 나타낸다.그림 3. 태양전지의 I-V 특성 곡선여기 ... 서부터는 태양전지에서 가장 중요한 에너지 전환 효율에 대하여 이야기하겠다. 에너지 전환 효율은 빛을 쬐었을 때의 I-V 특성 곡선에서 정의된다. 그림 2-3을 보면 그래프의 제 4
    리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2003.02.25
  • [전자회로] 전자회로
    처럼 작용2.5 Zener Diode. 애벌런치 (Avalanche)나 항복 (Breakdown) 전압 특성이 낮은 전압에서 이루어지도록 도핑한 소자이다.. V - I 특성곡선에서 3상한 ... 을 한다.. 이때 입력값과 저항을 맞춰야만 일정한 전압을 유지할 수 있다.< 제너 다이오드 >< 정류용 다이오드와 제너 다이오드의 V-I 특성 >< 제너 다이오드의 특성곡선 ... 되므로 역방향으로 다이오드가 도통되는 파괴 현상이 나타난다.2.3 Characteristic of PN JunctionV - I 특성곡선2.4 Diodes.다이오드- 오직 한방향
    리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.12.06
  • [물리학] 다이오드의 특성과 응용
    그 값을 연결한 선< 순방향 역방향에서 전류-전압의 관계 곡선 >[4] 이상적인 다이오드의 특성* 순방향시 저항값 "0"* 역방향시 저항값 "∞"(3) 정류회로* 정류회로 ... output V 는 1.0 V 까지의 amplitude를 가지고 - 0.4 V에서 그 이하의 파장이 나타나지 않고 평행한 모습의 파형을 관찰하였다. 이 경우에도 마찬가지로 저항 ... 기초 물리 실험 리포트Diode 특성과 그 응용I. Introduction다이오드는 일반적으로 양쪽에 두 개의 고체 상태 반도체를 연결한 소자이다. 다이오드는 한 방향으로는 작
    리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.04.05
  • [회로이론] 다이리스터(SCR)의 특성실험
    의 A - K간 순방향 전압을 걸어주고 게이트에 (+)트리거를 가하면 전류가 흐르게 된다. (IG가 증가 할수록 그래프는 일반 다이오드 곡선에 가가워 진다.)SCR은 일단 도통 되 ... 와 직렬로 연결된R_3에 가해진 전압을 조정한다.R_3양단전압은 SCR의 캐소드 전압에 가해서 게이트 전류(I_G)를 흐르게 한다.④ 애노드 캐소드간의 전압(V_F)을 측정하고 도표 ... 는 전류를 계산하라. 이 전류의 값은 SCR이 차단상태일 때 순방향 전류(I_F)이다.도표 8-1에 차단의 란에 있는 빈칸에 이I_F의 값을 기록하라.⑦ 다시 SCR의 양단에 전압계
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.10.03
  • [물리학, 물리 실험] 요요의 역학
    만을 고려한다.(7) 위의 식들로부터mg-(I/R)d^2 theta /dt^2 =md^2 h/dt^2이다.또 Rθ = h 이므로, 추의 낙하 속력 v = dh/dt = Rdθ/dt ... 질pha } -R)로 변형되고 각각의 수를 대입하면I=0.00797Kg*m²이 된다.두 가지의 계산에서 실험한 값들로 계산했을 때 관성 모멘트가 더 크게 나왔다.이 것은 실제 실험 ... ..........㉠또 추의 힘과 가속도의 관계를 보면 mg-T=ma가 되고 따라서 a=g-T/m 이 된다여기서 T에 ㉠을 대입하면a=g- { I alpha } over { R m
    리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.02
  • [공학] 센서
    다.[그림 2.21] 광전관의 구조[그림 2.22] 광전관의 V-I 특성2) 가스 봉입형광물질에 수십 토르의 아르곤(Ar)가스를 봉입한 구조로, 광전자가 가속되어 가스분자와 충돌해서 ... 목 차1. 개 요1_1. 센서의 정의2. 본 론2_1. 광센서의 기본 지식2_2. 반도체의 기본 내용2_3. 광센서의 종류2_4. 광센서의 설치 방법과 LED2_5. 광도전 효과 ... 전력에 대하여 알아보면, p형 반도체와 n형 반도체를 접합하면, 각각의 페르미 준위가 일정하게 접속되므로 이 에너지 곡선은 [그림 2.6]과 같이 되므로 접합면 부근에는 n
    리포트 | 39페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.05.19
  • [생명공학] 광합성 생물의 배양 / 광합성 생물의 특성 분석
    hlorophyl의 양 측정, PAM fluorometer를 이용한 광합성 량의 측정을 통하여 광합성량과 생장량과의 관계를 분석하여 본다.4.실험원리I. *PHOTOSYNTHESIS ... +를 각각 ATP와 NADPH로 전환시키는 데에 사용ADP + Pi + NADP+ -> ATP +NADPH +H+※ 명반응의 생성물은 암반응의 반응물로 사용된다.② 암반응(dark ... 이온(Cl-)을 끌어 당겨 루멘에 HCl(염산)이 농축?스트로마의 양성자가 루멘으로 방출되면 스트로마는 알칼리성 혹은 염기성을 띠게됨→ 화학 삼투계는 농축된 산성용액(pH4-5
    리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.03.31
  • [전자회로실험] (실험)접합 FET의 직류 특성, JFET의 바이어스 특성
    _D는 더 이상 증가되지 않으며i_D `-` v_DS특성곡선은 완전한 수평을 유지한다.2. JFET의 게이트-소스 전압의 변동앞 절에서v_GS `=`0일 때i_D `-` v_DS특성 ... 곡선을 살펴보았다. 이 절에서는 파라미터v_GS의 여러 가지 값에 따른 완전한i_D `-` v_DS특성을 고찰하도록 한다. BJT의 경우에는 특성 곡선이i_B를 파라미터로 하 ... 에 무관 일단 FET가 핀치오프에 도달하면i_D는v_DS가 증가하여도 일정한 값을 유지하기 때문이다. 이러한 사실이 그림 1-4의i_D `-` v_DS곡선에서 보이고 있으며v_DS
    리포트 | 27페이지 | 1,000원 | 등록일 2000.10.05
  • [전기회로실험] 파워서플라이제작예비레포트
    과 같이 구할 수 있다.P = VI = I2 R = V2/R즉, 저항에서 소모되는 전력은 저항을 통과하여 흐르는 전류의 제곱에 비례하거나, 전압의 제곱에 비례한다.직류와 교류직류직류 ... 을 익힌다.4.실험 장비오실로스코프, 테스테, 트랜스, 브레드보드, 다이오드(4개), 전해콘덴서, 세라믹콘덴서(104), 레귤레이터(7805), 스위치, 저항(330), LED5 ... .실험 이론(원리)power supply의 원리전원 트랜스는 교류 100v를 원하는 전압으로 변화시키는 것인데 트랜지스터용 전원 전압은 높아도 50v정도이므로 2차 전압은 1차 전압
    리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.11.06
  • 라인 트래이서
    다. 우선 주행 기록에서 프로그램 측면에서 다음과 같은 사항이 고려될 수 있다.- 빠른 직선 가속 및 직선 고속 주행- 정확한 탐색 주행 능력- 정확한 곡선 보정 능력- 안정된 곡선 ... 고 전압 V를 나눈 값이 된다. 때문에 수광소자의 저항이 Rt라 하면 양단에 걸리는 전압은 Rt×i가 되고 저항 R의 양단에 걸리는 전압은 R×i 가 되어서 회로상의 Vcc=i(Rt ... 주행 능력그리고 이것 외에도 다음과 같은 사항이 고려될 수 있는데- 프로세서의 빠른 인터럽트 처리 루틴- 풍부한 인터럽트 벡터 테이블- 프로그램 언어의 이식성- 기술적인 문제
    리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.11.24
  • [제어실험] Inverted Pendulum 제어 실험
    {w^2}_x I _Gx - w_x w_y I_Gxy(2)여기서 각각의 속도 성분을 와 의 관계식으로 나타내면{v^2}_G = r^2 dot phi ^2w_x = dot thetaw_xy ... 계단함수이면, 제어기의 출력 u(t)는 그림 3(c)와 같이 주어진다.E(s) U(s) e(t)+{ K_p (1+T_i s) } over {T_i s }- 단위계단10 t그림 3 ... 한다} over {T_i s } +T_d s)여기서K_p는 비례이득,T_i는 적분시간,T_d는 미분시간이다. 비례-적분-미분 제어기의 블록 선도를 그리면 그림 5(a)와 같다. e
    리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.09.30
  • tft-lcdf란..?
    에 따라 일정한 관계를 가지고 변화하게 된 다. 따라서, 액정 양단의 전압과 액정이 빛을 통과시키는 능력, 즉 투과율 사이에는 과같은 관계가 존재하게 되며 이러한 곡선을 V-T ... 곡선이라 하고, 이러한 액정의 특성을 액정의 V-T 특성이라 한다. 투과율 곡선을 보면 대략 2부분으로 나누 어 생각할 수 있는데 처음 전압을 인가하기 시작할때(white)와 매우 ... I. 원리TFT-LCD는 Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display의 약어로 전자팔목시계·전자계산 기 및 기타 문자도형표시장치 등에 사용
    리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.06.08
  • [산업공학] 벡터제어기술
    SPIRIT-30-ATEPLD 인터페이스 회로EPLD 인터페이스 회로에서 EPLD는 Altera사의 84핀 EPM7128모델을 사용하였으며, {i_a``, {i_b``전류와 {V ... --------------------------------------------- V기호 설명 ----------------------------------------------- ... - 목 차 -[국문요약] -----------------------------------------------------Ⅰ목 차 ---------------------------
    리포트 | 62페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.06.06
  • [광통신] 광케이블 전송 특성
    ) sin (i )전송 광선은 수직선에서 먼 쪽으로 굴절하여 진행 t높은 굴절율에서 낮은 굴절율은 수직선에서 멀어지게꺾인다.i n1 n22.전자기파-광은 약 1014 Hz 정도 ... 상수 k=/v v = c/nZ= 진행 방향(Z)로 인한 위상변이위식에서t = 0 일때 E = E0 sin (- kz ) = -E0 sin kzz = 0 (고정) E = E0 sin ... )= 2(MMF Cable)= 1(DSF Cable)-r -a 0 +a +r (core내의 굴절율 분포)= 2 굴절율분포계수를 적용시킨 2승분포 곡선이라고 하며 1/2 파장의 렌즈
    리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.03.07
  • [물리]서울대학교 비오샤바르의 법칙과 앙페르의 법칙의 실험 보고서
    . 비오-샤바르(Biot-Savart)의 법칙에 관하여① 전류 i가 흐르는 도선으로부터 r만큼 떨어진 지점 P에서의 자기마당의 크기는 다음의 식으로 표시되며 이를 비오-샤바르의 법칙이 ... )에 연결한 후, 전원을 켜고 약 1A의 전류가 흐르도록 조절한다.(이 때 CC LED에 불이 들어올 수 있도록 전압과 전류를 적절히 조정한다.)② 9V 아뎁터와 직류증폭기, 홀 ... 마당- 그래프는 대략적인 비례관계를 나타냄.- 20G의 자기마당을 가지는 전류의 크기 I=0.381A로 측정- 원래의 자기마당 값을 구하기 위해 이하에서 센서로 측정된 값에을 곱하
    리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.05.08
  • 반도체
    에서는르는 전류는 커진다. 그림 4는 p-n 접합 정류기에서 I가 V에 대해 어떻게 변화하는지를 나타낸 것이다.위에서는 전하 운반자로서 전자에 대해서만 논의하였다. 물론 실제로 구멍 ... 에 가해준 전압이 커도 알짜 전류 ig-ir은 매우 작다(관례상의 전류 I는 +에서 -로 흐르며 전자의 흐{< 그림 4 > p-n 반도체 다이오 드의 전압-전류 특 성름 I ... 때 광자가 방출된다. 이것에 의해 발광 다이오드(light-emitting diode(LED))가 만들어진다. 고체 상태의 반도체 레이저도 이러한 현상을 이용하여 만들 수 있
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.05.10
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2025년 05월 30일 금요일
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