"웨이퍼 정렬"의 검색결과 입니다.

기간
- 전체
- 3개월
- 6개월
- 1년
- 2년
- 3년
- 5년
직접입력

적용
연관순
- 연관순
- 최신순
영역
- 전체
- 제목
- 본문
- 태그
페이지 수
- 전체페이지
- 1 페이지 ~ 5 페이지
- 6 페이지 ~ 10 페이지
- 직접입력 페이지 ~ 페이지 적용
확장자
- 전체
- 한글
- PDF
- MS워드
- MS엑셀
- MS파워포인트
- 압축파일
- 기타
할인자료 보기

연관검색어

photolithography 반도체 4-point probe PR두께

판매자 표지는 다운로드시 포함되지 않습니다.

"웨이퍼 정렬" 검색결과 161-180 / 239건

화합물 반도체(Compound Semiconductor)

다. 이러한 단위공정들은 대부분이 화학공학적인 원리와 밀접하게 관련되어 있고 이 외에도 반도체 칩 제조에 있어 기판으로 사용되는 단결정 웨이퍼(wafer)의 제조, 단결정의 원료인 고순 ... 반도체와 대항할 정도로 큰 생산규모가 될 가능성을 내포하고 있다. 화합물반도체는 그 구성원소를 서로 규칙 바르게 정렬한 반도체결정으로 만들 수 있어 Si처럼 불순물을 첨가하면 P ... 갈륨비소는 큰 원형의 단면적을 가진 결정을 얻기 어렵다는 문제가 발생한다. 단면적이 작으면 웨이퍼 면적도 작아서 조금밖에 칩을 만들 수 없다는 경제성의 문제도 있다.현재는 화합물

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.29

다운로드 장바구니
[발광디스플레이 실험] TCF의 전기적광학적특성

다. Wafer, LCD, 태양전지, OLED 등의 생산과정에서 박막의 전도성을 검사하기 위해 쓰인다. 면저항 Rs는 수식적으로 다음과 같이 표현된다. ( 비저항, R 저항, 4.53 보정 ... 는 방법으로 probe가 4개가 달린 표면저항측정용으로 사용하는 probe를 말한다. 보통은 1mm간격으로 일렬로 probe를 정렬 시킨 것을 이용하고 이 외에 probe를 정방향

리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.12.28

다운로드 장바구니
실리콘 산화막의 용도 및 성장 방법

산화막 층은 반도체 소자에 있어 게이트 산화층(gate oxide), 필드 산화층(field oxide), 축전기 산화층(capacitor oxide), 자동정렬 마스크(self ... 한다. 석영관은 분리된 세 개의 저항코일(resistance coil) 내부에 있으며, 코일에 전류를 흘리면 석영관의 온도는 상승한다. 따라서 석영관 내부의 웨이퍼는 고온으로 가열 ... 시키기 이전에 예비세척(precleaning)을 해야한다. 웨이퍼의 표면이 오염되지 않아야 하기 때문이다. 표면 오염은 산화막의 성장을 방해할 뿐만 아니라 결정결함 및 소자의 특성

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.29

다운로드 장바구니
4pp

가 달린 표면저항측정용으로 사용하는 probe를 일컫는 말로 보통은 1mm간격이며 일렬(Linear type)로 탐침을 정렬시킨 것을 이용한다. 이외에는 탐침을 정방형으로 나열 ... 후, 표면저항 단위인 ohm/sq로 계산하기 위해 보정계수(C.F)를 적용한다. 표면 저항값은 Wafer, LCD, 태양전지, 연료전지, OLED 등 박막증착 후 박막의 전도

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.28

다운로드 장바구니
[A+] LCD 디스플레이 개념, 특성, 분류, 형대, 구동방식 및 동작방식, 제조공정 방법 구조 분석

22Photo mask 를 유리기판의 align key 에 맞추어 정렬하고 광원을 조사하는 과정 빛을 조사하여 평행선을 마춰줌 해상도가 낮기 때문에 BM 형성과 주사선이나 신호선 ... 위에 박막트랜지스터를 배열하여 제작하는 공정이다 . Wafer 대신에 유리를 사용한다는 점에서 반도체와 다르며 , 반도체 공정은 1,000℃ 정도의 공정온도를 갖는 반면 TFT

리포트 | 33페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.26

다운로드 장바구니
[재료공학실험]리쏘그래피 (lithography)

해야 하는데 스탬프에 의해 눌려 원 형태를 이룬 레지스트의 직경이 차이를 보이는 원인은 주로 dispending한 액적 양의 편차 때문이다. 스탬프와 웨이퍼 사이의 정렬오차, 스탬프 ... -patterning)공정으로 많은 기대가 모아지고 있으나, 몇 가지 문제점을 갖고 있다. 다층(multi-layer)작업시 열변형에 의해 다층정렬이 어렵다는 점과, 점도가 큰 레지스트 ... )는 다층화 정렬작업에 불리하게 작용한다. 이러한 문제점들을 해결할 수 있는 방법으로는 상온저압 프린팅 공정기술인 UV나노임프린트 리소그래피(ultraviolet

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.24

다운로드 장바구니
Layer by layer-polyaniline(LbL) 을 이용한 HCN가스 검출 기체 센서의 개발

, 회전시간, 용액의 농도에 의해 결정 • 안경, 반도체 웨이퍼 제조 공정에 사용Dip CoatingCoating 법 - Coasting할 재료를 액체에 담군 후에 정해진 온도 ... 와 기압조건에서 계 산된 속도로 다시 빼내는 방법 Coating 의 두께 -퇴출속도, 재료의 성분 , 액체의 점성도로 좌우Langmuir Blodgett Film- 정렬된 단분자 막 ... 하여 주어진 기질 의 표면에 일정하게 정렬된 분자막을 만드는 기술 – 대표적인 botttom-up 방식의 나노 제작기술 – 원하는 위치에 다양한 기능을 가지고 있는 분자를 강한 결합력

리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.04.04

다운로드 장바구니
리소그래피

Alignment Exposure - 마스크의 상을 웨이퍼 표면에 정확히 맞추어 정렬한 다음, 마스크를 통하여 도포된 감광막을 적절히 노광하는 공정 * 노광 장치 광 노광 장치 : 접촉 ... 하여 웨이퍼 상의 불필요한 부분을 제거하는 공정감광막 프로세스 Photoresist process식각 프로세스 Etching processLithography감광막 프로세스 ... Photoresist process감광막 도포 (PR coating)연화 건조 (soft bake)마스크 정렬 (mask alignment)노광 (exposure)현상 (develop)경화

리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.05.30

다운로드 장바구니
나노로드 및 나노튜브 정렬에 대한 제조

외부전압을 가한 수성 용액 내에서 일어나는 산화아연 나노로드 및 나노튜브 정렬에 대한 제조금속공학과 김상우♧ 목 차♧1. 서 론 2. 실 험 방 법 3. 결 과 4. 결 론 5 ... 촉매제에 대한 배제2. 실 험 방 법질산아연(0.945g) + HMT(500ml) 용액준비 Silicon wafers 2개 초음파로 세정 120 ml 비커에 평행하게 고정 후 ... 나노튜브에 대한 XRD4. 결 론외부 압력을 받은 ZnO 나노로드는 더 나은 정렬 형태를 보였고, 기판에 대한 더 강한 접착력을 보였다 외부전압을 통해서 용액 속에 형성된 전기장

리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.04

다운로드 장바구니
웅진 그룹의 다각화 레포트 A+

들이 나름대로의 분야별로 정렬이 되어 있는데, 이 사업부 사이에는 과연 어떠한 관련이 있을까?웅진 그룹의 다각화 정도 및 다각화 가치(V) 파악전체적 웅진 그룹에서 다각화(유사한 비 ... 은 웅진 에너지와 폴리 실리콘의 다각화 관계에 대한 표이다웅진에너지폴리실리콘분류고중저제품번들폴리 실리콘은 잉곳(실리콘덩어리)를 생산함WAFER, CELL과정으로 가공하여 태양열 발전태 >

리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.06.22

다운로드 장바구니
포토리소그라피(Photolithography)

함으로서 mask상에 형성된 미세회로 형상(pattern)을 coating된 PR에 전사하는 과정 마스크에 들어있는 패턴을 감광막 위에 전사시키는 공정으로 마스크를 웨이퍼 위에 정렬시킨 후 ... Photolithography란?Photolithography? 감광물질을 이용하여 마스크의 영상을 웨이퍼로 옮기는 과정포토리소그라피공정1. 기판 및 표면처리세정은 리소그래피를 처음하는 각 ... 과 공정 전반에 사용 세척 후 웨이퍼에 도포(가장일반적으로 SiO2 사용)2. PR (Photo Resister)PR coating 분사된(dispense) liquid(액상) PR

리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.11.09

다운로드 장바구니
반도체공정기술

기 때문에 수명이 김 필름 포트마스크:필름을 프린트하는 기법, 분해능력이 낮고 웨이퍼와의 정확한 정렬 및 접촉이 어려움, 가격이 매우 쌈, 실시간으로 포토마스크 제작 가능 에멀젼 포토 ... .PhotolithographyPhotolithography (사진공정)는 마스크 상에 설계된 패턴을 공정제어 규격 하에 웨이퍼 상에 구현하는 기술이다. 공정 순서 PR coating Soft ... 시키기 위함인데 Soft Bake, Hard Bake, Post Bake가 있다. Soft Bake : Wafer에 Photo Resist를 도포하고 나서 115˚C로 굽는 것 Hard

리포트 | 19페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.03.02

다운로드 장바구니
Evaporation으로 제조된 Al박막의 두께 및 비저항 측정과 미세조직 관찰 실험

이다. 이 밖에 페인트, 알루미늄박에 의한 포장이나 건축재료 및 원자로재 등 현재까지 매우 많은 용도가 알려져 있다.EvaporatorWafer 집게실리콘 웨이퍼Rotary Oil ... tip이 일정한 간격으로 떨어져서 일렬로 정렬되어 있다는 것이다. 물론 다른 형태도 가능하지만 대부분 Fig2-4와 같이 정렬되어 있다. 4-point probe의 기본적인 개념 ... -Point Probe(3) 실험방법 및 공정 조건실리콘 웨이퍼에 SiO2(산화막)을 1000Å 증착시킨 후 웨이퍼를 질소가스로 웨이퍼 표면의 이물질을 제거시킨 후(하지만 과정 생략

리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.02.24

다운로드 장바구니
신소재개론 기말

: 을 증가시키기 위함인데 Soft Bake, Hard Bake, Post Bake가 있다.Soft Bake : Wafer에 Photo Resist를 도포하고 나서 115°C로 굽 ... 는 것Hard Bake : Etch 공정 이전에 130~140°C로 Bake Oven에서 굽는 것Post Bake : Photo Resist가 도포된 Wafer를 Aligner ... 로 노광(Exposure)한 다음 110°C로 굽는것CoatingWafer위에 감광제(Photo Resist)를 도포하는 것.Develop정렬(Align) 및 노광(Exposure)후

리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.10.29

다운로드 장바구니
photo resist

했다. 반도체 산업은 1950년대에 웨이퍼공정에 이 기술을 적용시켰다. 반도체에 쓰이는 PR은 Eastman Kodak 회사에서 최초로 개발되었다.50년대 말, KPR과 KMER ... (Sensitizer)노광되었을 때 PR의 광 화학적 반응을 조절하고 수정한다.첨가물특별한 용도 PR의 주요 성분과 기능- 감광액(점착성의 유기용액)을 웨이퍼 기판 위에 필요한 양 ... 막이 PR인데, 이 막은 빛에 노출되면 그 물리적 특성이 변화되는 성질을 이용하여 마스크) 패턴을 실리콘 웨이퍼 위에 옮길 수 있는 것이다.(2) Photoresist의 종류 및

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.10.07

다운로드 장바구니
lithography

으로 마스크를 웨이퍼 위에 정렬시킨 후 자외선을 사용하여 Pattern이 define 되도록 마스크를 통해 노출 시키는 것.Develop photoresist현상? 노광 과정을 통해 ... 이 [110]방향 ◈ 100 방향의 웨이퍼의 경우에는 p형은 시계방향 90도에 secondary flat을 만들고, n형은 180도 방향 ◈ 111 웨이퍼의 경우 p형은 secondary ... flat이 없고, n형은 45도 방향Clean wafers세정은 리소그래피를 처음 하는 각 공정에서 반드시 행하여 하는 것으로, 표면 청정화를 위한 공정 표면의 불순물 제거, 감광

리포트 | 39페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.01.18

다운로드 장바구니
lithography

에 전압을가해 산화막을 형성하는 기술.1.목적:마스크 패턴을 웨이퍼로 옮기는 과정2.종류: 광사진식각, E-beam사진식각, X-선사진식각①광사진식각:광을 이용하여 회로 패턴을 웨이퍼 ... 으로 마스크 제작이 어렵다.3.공정순서: 표면처리->PR코팅->소프트베이크->정렬,노출->현상->하드베이크->식각->PR제거4.감광제① 용제: 감광막을 용해시킬 때 쓰이는용액② 다중체 ... )산소와의 반응음성 감광막은 산소와의 반응을 막기 위해서 질소 기체가 있는 분위기에서 노출 되어야 한다. 그 반면에 양성 감광막은 산소와 반응하지 않으므로 마스크와 웨이퍼가 직접 닿

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.07

다운로드 장바구니
재료의 산화실험

있는 SiO2 산화물 층을 만들 수 있는 것이다.많은 제조공정 단계들은 화학반응을 가속시키기위해 웨이퍼를 가열하는 과정을 포함한다. 이러한 공정중 중요한 예가 될 수 있는 공정 ... 한 실리카(석영)관에 한 단위의 웨이퍼들을 배치시키는 과정을 포함한다. 건식 O2나 H2O와 같이 산소를 포함하는 가스는 대기압에서 관 속으로 흘려지고, 다른쪽 끝으로 흘러나가게 된다 ... . 전통적으로 수평로(horizontal furnace)가 사용된다. 하지만 최근에서 수직로(vertical furnace)를 사용하는 것이 일반화되었다. 한 단위의 Si 웨이퍼

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.26

다운로드 장바구니
mram동작원리

형 transistor등은 그 일례다. 종래의 DRAM에서는 transistor의 channel을 실리콘 Wafer에 대하여 수평방향으로 형성했지만, 세로형 transistor에서는 이것 ... 에 전류가 흐르면 선주위로 자기장이 형성되고 자기소자의 스핀을 특정방향으로 정렬시킨 다음 y방향의 전류에 의해 스핀은 쉽게 왼쪽 또는 오른쪽으로 정렬된다. 따라서 앞서 설명한 바와 같이 ... 자기소자의 저항은 자기모멘트의 방향에 의존함으로 디지털 정보 ("0"과 "1")는 자기모멘트의 정렬로 저장되고 저장된 정보는 자기소자의 저항을 판별해서 읽게 된다.비트선과 워드선

리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.31

다운로드 장바구니
[공학]반도체 박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거

시킴.b. 규소봉 절단 - 성장된 규소봉을 균일한 두께의 얇은 웨이퍼로 잘라낸다. 웨이퍼의 크기는 규소봉의 구경에 따라 3", 4", 6", 8"로 만들어지며 생산성 향상을 위해 ... 점점들어줌. 이러한 불순물주입은 고온의 전기로 속에서 불순물입자를 웨이퍼 내부로 확산시켜 주입하는 DIFFUSION(확산) 공정에 의해서도 이루어짐.l. 화학기상증착 (CVD ... ; Chemical Vapor Deposition)공정 - GAS간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 증착하여 절연막이나 전도성 막을 형성시키는 공정.m. 금속배선

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.15

다운로드 장바구니

이전10개 3 4 5 6 7 8910 11 12 다음10개

파워링크

신청하기