4pp
- 최초 등록일
- 2011.06.28
- 최종 저작일
- 2011.06
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소개글
반도체 저항 측정을 위한 4pp 실험의 원리로 구성되어있습니다.
목차
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Theory
Ⅲ. 참고문헌
본문내용
4-Point Probe
Ⅰ. Introduction
반도체(半導體)는 열 등의 에너지를 통해 전도성을 급격하게 변화시킬 수 있는 고체물질이다. 일반적으로 많이 사용되는 것은 실리콘(14족 원소)의 결정에 불순물을 넣어서 만든다.
이렇게 반도체에 첨가된 불순물은 그 자체가 전류의 흐름에 기여를 하는 것이 아니라 불순물이 음이온 또는 양이온이 되면서 정공 또는 전자를 방출하게 되는데 이 정공 또는 전자가 전류의 흐름에 기여를 하게 되는 것이다. 일반적으로 부도체인 Si기판에 주로 정공을 발생시키는 불순물을 첨가하면 P-type 반도체, 전자를 발생시키는 불순물을 첨가하면 N-type 반도체가 된다.
참고 자료
http://midaslab.cnu.ac.kr/lecture/2003/전기응용실험1/반도체
http://ceramic-powders.kicet.re.kr/downfile/4point%20probe