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"reactive plasma etching" 검색결과 141-152 / 152건

  • 반도체 공정실험
    면 이해하기가 쉬울 것이다.이중 공업적으로 이용이 활발한 플라즈마는 저온 글로우 방전 플라즈마로서 반도체 공정에서 플라즈마 식각(Plasma Etch) 및 증착(PECVD: Plasma ... 게 되(chemical etching)②plasma etching③ion beam milling④반응성 이온 에칭(reactive ion etch ; RIE)(1)습식식각습식식각 ... 1. 플라즈마란(1)플라즈마란 무엇인가?①플라즈마라는 말을 물리학 용어로 처음 사용한 사람은 미국의 물리학자 'Langmuir'(랑뮈어)로서, 전 기적인 방전으로 인해 생기
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.11.09
  • [반도체(Plasma)] 플라즈마 기술에 대한 보고서
    을 만족 할 때 전자는 공명현상에 의해 에너지를 얻고 PLASMA를 발생한다. 2.MERIE(magnetically enhanced reactive ion etching) - 13 ... .R.C) K. 스미스 차트(Smith chart)기초 플라즈마 물리*PLASMA의 개념 - 물질의 상태 : 고체, 액체, 기체, PLASMA 상태(제4의 상태) - PLASMA ... voltage를 형성. DC glow discharge의 조건을 만족한다.DC방전에 의한 플라즈마의 생성ABCDF. PLASMA SHEATH 의미1.PLASMA 중 가장 가벼운 전자
    리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.01.21
  • [디스플레이]전자종이
    용 스탬프는 quartz, Cr/quartz 두 종류를 e-beam writing 및 plasma etching 방법을 이용하여 제작가능 하다. Photo-lithography ... 되는 residual layer가 존재하며. 대부분의 경우는 이 residual layer를 제거하여야 하는데 이를 위해서는 추가적인 RIE (reactive ion etching) 공정이 필요
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.12
  • 식각 공정
    , 표면 색깔과 패턴 관찰 ----------- 광학현미경 관찰(5) 마스크 패턴의 제거(O2 plasma aching) ----------------------------플라즈마 애 ... 고, 플라즈마 내부의 전기적 평형 상태가 깨지게 되어 수 초 내에 플라즈마가 없어지게 된다.이러한 현상 때문에 부도체를 sputtering, etching 등을 할 때는 교류전원을 사용 ... (plasma etch) 및 증착 (PECVD : Plasma Enhanceed Chemical Vapor Deposition), 금속이나 고분자의 표면 처리, 신물질의 합성 등에서 이용
    리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.07.03
  • [화학공학]각막의 처리 - 박막 재료의 표면처리 및 식각 실험
    . 실험내용 : 가장 널리 사용되는 실리콘 산화막 (silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택하여 반응성 이온식각장치(reactive ion etcher ... 하여 적절한 식각가스와 파워를 선택하여 식각 실험을 진행한다.식각된 산화막의 표면의 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용마스크 패턴의 제거 (O2 plasma ashing) ... - 플라즈마 애슁장치를 이용하여 산소플라즈마를 발생시켜서 적절한 조건에서 마스크 패턴을 제거한다.마스크 패턴을 제거한 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용5
    리포트 | 20페이지 | 10,000원 | 등록일 2005.10.31
  • 박막증착
    이 가능, 큰 target 사용가능하다.-. 기판의 sputter etching으로 pre-cleaning이가능하다.-. O2, N2등의 reactive sputter로 산화물, 질화물 박막의 형성이 가능하다.(단점)-. 성막속도가 낮다.( ... ( Plasma Enhanced CVD )- 0.1 - 5.0 torr, 200 C - 500 C , 50 - 13.56 MHz 의 r.f.frequency 사용- 낮은 온도에서 동작 ... plasma를 이용하여 고체상태의 물질을 기체상태로 만들어 기판에 직접증착시키는 박막제조방식이다.PVD방식은 공정방법에 따라 다음과 같이 분류된다.위와같은 PVD방식으로 제조할 수
    리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.10.24 | 수정일 2017.07.17
  • [고체및재료실험]표면관찰
    가지 반응생성물중 전하를 띤 이온이 가속되어 시료에 수직으로 부딪혀서 에칭이 진행된다. 따라서 후자의 장치를 반응성 이온장치(reactive ion etching, RIE) 라 ... 가지 관찰에 용이하다. 이 실험은 steel의 annealing 유무에 따라 etching 시에 그 정도를 관찰하여 비교, 고찰 해 보고자 하는 실험이다.2. 기본 관련 이론1 ... alt method, thermal method, 전해부식, plasma 부식 방법 등이 있다.철강 및 주철용 중 화학부식액에는 2~5% Nital, 5% 피크린산 알코올, Fe3
    리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.10.06
  • TFT-LCD 제작공정
    Electron 을 격리시키며, Plasma 조정을 용이하게 하여 증착 효율을 높일 수 있다. Reactive Sputtering은 증착 중에 Chamber내에 Reactive Gas를 주입 ... (deposition) 및 사진식각공정(Photolithography), 식각공정(Etching)을 반복하여 유리 기판 위에 박막트랜지스터를배열하여 제작하는 공정이다.Wafer 대신에 유리를 사용 ... 를 이용하여 주입된 gas를 Plasma 상태로 분해하여 기판위에 증착하는 공정이다. 증착에 필요한 조건은 진공상태, RF power, 기판온도, 반응 gas, 반응 압력 등이다. 증착
    리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.06.01
  • [재료공학과] 유도결합형 플라즈마를 이용한 사파이어 식각
    전압에 의존하게 된다.Fig 2-1. Ilustration of plasma etching integrating chemical and physical etching2.3 플라즈마 ... plasma) 식각 장비3.2 공정 변수에 따른 사파이어의 식각3.3 유도결합형 플라즈마의 특성 분석과 식각 후 표면분석3.4 소자분리를 위한 사파이어 식각4. 실험 결과 및 ... 는 플라즈마를 이용한 dry-etching시 식각 물질의 end-point를 관찰하는데 가장 널리 쓰이고 있으며, OES를 통하여 플라즈마의 gas-phase를 관찰함으로써 공정
    리포트 | 49페이지 | 3,000원 | 등록일 2002.12.07
  • [반도체공정] NMOS 공정
    며, Eeactive IonEtching)이 많이 쓰임.(플라즈마식각 과 Ionmilling 장점을 살림.)화학적 식각 방법인 플라즈마(plasma etch)와 물리적 식 각 방법인 ... 이 PR막으로 보호된 상태에서 PR이 현상된 필드 영역의 질화막을 제거하는 공정. 이때 사용되는 장비는 RIE(reactive ion etching)Nitride Etcher 이 ... (Photolithography Etching )NMOS공정에서 맨 처음 사용되는 사진식각 과정으로 액티브 마스크를 이용, 실제로 트랜지스터가 만들어지는 액티브 영역과 소자간의 전기
    리포트 | 30페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.11.11
  • [박막] 박막(thin film)
    시키는 데는 열, Plasma 에너지, 레이저 등의 에너지가 이용되며 기판의 가열에 의하여 분해된 원자나 분자의 반응을 촉진하거나 형성된 박막의 물리적 성질을 조절하기도 한다. CVD ... cold trap에 의한 제거, 흡수나 가스세정기(scrabber) 등을 통해서 수세, 중화 등을 하게 된다.4) CVD의 종류① PECVD(Plasma Enhanced ... Chemical Vapor Deposition)PECVD는 chemical vapor를 진공상태의 chamber에 주입하고, 전장을 형성하여 플라즈마를 유도하는 장치로 구성되는데 전장
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.05.27
  • [증착법] 증착법
    putter etching으로 pre-cleaning이 가능하다.- {{ O}_{2 } , { N}_{2 }등의 reactive sputter로 산화물, 질화물 박막의 형성이 가능 ... puttering, LPCVD : low pressure chemical vapor deposition), 플라즈마 공정, 네온사인 등이 이 영역의 진공대에서 운용되고 있다.2) 고진공(high ... }Torr- Ar 기체 압력 결정- Input power 결정- Reflected power를 0 으로 setting- 기판과 target사이 거리 결정- Reactive s
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.10.07
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