식각 공정

*종*
최초 등록일
2004.07.03
최종 저작일
2004.07
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목차

1. 실험제목

2. 실험목적

3. 실험내용

4. 실험절차

5. 실험이론
1. 플라즈마란?
2. 플라즈마의 생성 / 구조와 그에 따른 성질
3. DC에서의 플라즈마 / RF에서의 플라즈마
4. 플라즈마의 application

본문내용

1. 실험제목
박막재료의 표면 처리 및 식각 공정

2. 실험목적
여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 (1)증착공정, (2) 마스크의 패턴형성 그리고 (3) 식각공정으로 구분된다. 이러한 공정 들 가운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각하는 것이다. 본 실험에서는 마스크에 의하여 형성된 패턴을 증착된 박막위로 전달하는 식각공정에 대하여 이해하고 그에 따른 박막의 표면과 두께의 변화등에 대하여 고찰하고자 한다.

3. 실험내용
가장 널리 사용되는 실리콘 산화막 (silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택하여 반응성 이온 식각장치 (reactive ion etcher; RIE)를 이용하여 식각한다. 식각 전후의 산화막의 색깔 변화를 관찰하여 식각된 두께를 측정하고 식각에 의하여 형성된 패턴의 모양을 관찰한다.

참고 자료

http://ksia.or.kr/new_korean/ (한국반도체산업협회)
http://100.daum.net/DIC/detail?id=1375530&sname=%B9%DD%B5%B5%C3%BC
http://myhome.naver.com/bluelogic/
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