"상압 플라즈마"의 검색결과 입니다.

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"상압 플라즈마" 검색결과 141-160 / 164건

[반도체공학] 박막증착의 방법

함으로써 반응물의 퇴적에 의한 박막형성을 얻으며, 대기압하에서 반응시킨 상압 CVD와 대량생산성 및 적용 범위를 향상시키기 위해 감압 (0.1 ... ~ 1 torr)하에서 막형성을 행한 감압 CVD로 대별한다. ● Plasma CVD : RF Glow Discharge에서 전기 에너지에 의해

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.05.08

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[공학]화학적 기상 증착(CVD) 방법을 통한 Co 박막 형성 및 증착 온도에 따른 Co 성장률 거동 분석

는 에너지원에 따라 아래 와 같이 분류할 수 있다.㉠ 열 CVD- 기판을 가열함으로써 반응물의 퇴적에 의한 박막형성을 얻으며, 대기압하에서반응시킨 상압 CVD와 대량생산성 및 적용범위 ... 를 향상시키기 위해 감압하에서막형성을 행한 감압 CVD로 대별한다.㉡ 플라즈마 CVD- RF글로우 방전하에서 전기에너지에 의해 반응을 촉진시켜 박막형성을 하는데,이 과정에서는 열

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.04.10

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나노입자 제조방법

◆ 나노입자의 제조방법1980년대 이후 전자현미경 등의 측정장비의 발달과 함께 나노입자의 형상 및 물리적 특성에 대한 연구가 급속히 발달하고 있으며 진공 기술, 플라즈마 기술 ... 시켜, 증발시킨 증기를 이들 가스 중에서 응축시킴으로서 각종 나노분말을 제조하는 방법이다. 이는 가열방법에 따라 저항가열법, 플라즈마가열법, 유도가열법, 레이저가열법 등으로 나눌 수 있 ... 다. 저항가열법은 실험실규모의 나노입자 제작장치에서 1회의 증발로 수십∼수백 mg의 나노입자밖에 제조할 수 없지만 플라즈마 가열법에서는 평균 입경 20∼30nm의 Ni 등의 나노분말

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.03.31

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[공업화학실험] 박막재료의 표면 처리 및 식각 공정

plasma aching) ---플라즈마 애슁장치를 이용하여 산소 플라즈마를 발생시켜서 적절한 조건에서 마스크 패턴을 제거한다.(6) 산화막의 표면, 표면 색깔과 패턴 관찰 -- ... -광학현미경 관찰◎플라즈마1.플라즈마 상태일반적으로 물질은 고체, 액체, 기체의 여러 가지 상태가 있으며 그들 상태의 기본적인 구성요소는 원자 혹은 원자가 여러 개 모인 분자 또는 ... 화합물이다. 플라즈마는 원자 및 분자 또는 화합물을 구성하는 전자가 핵의 속박에서 벗어나 자유롭게 움직이며 돌아 다니는 상태이다. 즉 플라즈마는 음전하를 띤 전자와 양전하를 띤

리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.01.20

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수분정량과 조회분정량

으로는 상압가열 건조법을 이용하였는데, 먼저 칭량병을 항량이 되도록 가열하였다. 다음으로 칭량병에 시료인 대두분말을 넣고 무게를 잰 후 dry oven에서 항량이 될 때까지 시료를 가열 ... F 전기적 측정법이 있다. 건조법에는 상압가열 건조법(Air oven Method)과 감압가열 건조법(Vacuum oven method) 그리고 적외선 수분 측정법이 있는데 상압 ... 회화법과 초산마그네슘 첨가 신속회화법, Low-temperature plasma ashing의 3가지 방법이 있다. 우선 직접회화법은 시료를 도가니에 넣고 전기로에서 직접 550

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.05.09

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PVD, CVD 그리고 Nucleation

에 대해 실리콘 질화 막이 훨씬효과적인 장벽을 만들기 때문이다.1) CVD에서의 Plasma의 사용플라즈마 몰리나 플라즈마 화학은 고압영역으로 부터 글로우 방전, 불꽃방전, 태양 ... 고 Gas를 공급하여 열, 플라즈마, 빛(UVor LASER), 또는 임의의 에너지에 의하여 열분해를 일으켜(Si 기판과 공급된 O2와 반응하여 산화막을 형성 시키는 Diffusion ... 으로 coating된 향상된 음향성질의 speaker diaphragm Plasma CVD② 향상된 마모 저항성을 지닌 bushings(관내에 끼우는 물질)과 textile 구성

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.05.23

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수소에너지의 필요성과 전망 ppt 발표 자료

이 현실 ▶ 상온, 상압(끓는점 -253℃)에서 기체로 존재하기 때문에 체적당 에너지 밀도가 매우 낮아 저장, 운반이 용이하지 않음 ▶ 원유에서 추출되는 납사 등 탄소성분이 담당 ... ·간접, 협기발효, 광합성 발효 등)화석연료로부터 수소제조수증기 개질 (상용화 되어 있음)플라즈마 개질 (반응기, 플랜트 건설) → 미국 상용화고온열분해 (이론정립, 촉매, 반응기

리포트 | 31페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.28

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[디스플레이 산업] PDP업종동향과 시장전망 분석

(인 구성요소는 원자 혹은 원자가 몇 개씩 모인 분자 또는 화합물이다. 플라즈마는 원자 및 분자 또는 화합물을 구성하는 전자가 핵의 속박에서 벗어나 자유롭게 움직이며 돌아 다니 ... 는 상태이다.보통의 상온, 상압에서는 고체 상태의 물질에 에너지를 주어 고온으로 만들면 융해되어 액체 상태가 되고, 더욱 에너지를 주어 고온으로 만들면 증발하여 기체가 상태가 되 ... 고 기체에 더욱 에너지를 주면 다음 단계로 물질의 제 4의 상태(the fourth state of matter)라 불리는 보다 높은 에너지 상태를 갖는 플라즈마 상태가 된다.3

리포트 | 25페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.02.21

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[환경기술]실내 대기오염 방지와 최신 공기청정기술

개발어 특수한 방전시스템을 형성시켜 플라즈마를 발생시키고, 이때 발생되는 플라즈마의 온도는 낮지만(상온~1,000K), 전자에너지를 1~10eV로 높게 유지시킴으로써 입자상 및 가스 ... 상 물질의 동시 저감이 가능하다. 보통 상압에서 한 쌍의 전극에서 한쪽 또는 양쪽 전극의 표면을 유리 등의 절연체로 감싸고 전극간의 간격은 수mm 이내로 구성된다. 이때 교류 전압 ... 와 플라즈마 방전에 의해 냄새를 제거하는 장치를 사용하는 것도 있다. 또한 필터표면에 항균가공을 하여 곰팡이나 세균이 번식할 수 없도록 항균처리된 재료를 사용한 항균필터도 있다. 그리고

리포트 | 22페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.10.16

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[반도체]열CVD 와 플라즈마CVD

)상압(760)PSG막BPSG막ㆍ연속형[저항가열]ㆍ회전형[저항가열]저압(~0.1)WSi2막ㆍ단엽형[램프가열]ㆍ콜드월형[램프가열]플라즈마CVD저온(~350)저압(~0.1)p-SiNp ... 을 형성하는 것이다. 반응온도는 100~200 범위로 광범위하게 사용되고 유입된 반응가스를 분해시키는데 열, RF전력에 의한 Plasma 에너지, 레이저 또는 자외선 광에너지 ... 되는 온도 영역도 분명히 존재한다. 또한 기상의 온도는 라디칼의 종류나 농도를 변화시키게 되어 막의 질에도 영향을 미친다. 플라즈마CVD, 광CVD에 있어서는 반응이 각각 전자 및 광

리포트 | 35페이지 | 4,000원 | 등록일 2003.01.10

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질화물

① 상압소결- BN + B2O3, SiC, AlPO4 (10wt%)-> CIP 성형-> 1500oC 이상에서 소결-> h-BN 소결체- 이론밀도의 70% 소결체 (난 소결성)② hot ... 원료, 내열재, 브라운관 유리제조용 치구④ MHD 발전로재, Plasma Jet로에 이용⑤ 원자료 材料⑥ Si3N4, AlN, ZrO2 + 10～40% h-BN

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.06

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[반도체 박막]E-beam Evaporator

된 모재 표면에서 화학적 반응을 통하여 생성물을 모재 표면에 증착시키는 방법-Plasma CVD-Laser CVD-MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor ... Deposition)화학적 증착의 특징-출발물질의 화학적 변화에 기인-대기압 조건하에서도 증착이 가능-장점 -단점1. 박막의 대량생산이 가능 1. 높은 반응온도2. 저 진공상태나 상압

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.26

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[공학]수소의 제조 및 저장

는 플라즈마 개질은 탄화수소 연료(pyrolytic reforming), 물(steam reforming) 그리고 공기(partial oxidation reforming)를 이용 ... 등과 같은 저장 방법은 안전을 위한 부대장치가 필요하지만 화학수소화물은 반응에 의한 열량이 많지 않기 때문에 상온과 상압에서 필요한 양의 수소를 저장/공급 할 수 있는 시스템

리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.14

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[나노기술] 나노의 특성과 공정

에서 응축시킴으로서 각종 나노분말을 제조할 수 있다. 제조방법은 가열방법에 따라 저항가열법, 플라즈마가열법, 유도가열법, 레이저가열법 등으로 나눌 수 있다.*저항가열증발방법:여러 증발 ... 원료인 금속들을 각기 다른 용기나 필라멘트 위에 올려놓고 증발을 시킴.특징: 실험실적으로 수 나노의 초미립분말의 제조가 가능하나, 대량생산에는 문제점이 있다*플라즈마제트방법 ... : 플라즈마 제트에 의한 플라즈마 열원에 의해 증발원료를 가열 증발시킴특징:저항가열에 의해 제조된 분말보다는 약간 입자크기(30㎚)가 크지만 대량생산이 가능하며(20∼30kg/batch

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.15

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플라즈마-기본개념

한다.3. 플라즈마의 양극확산 (Ambipolar Diffusion in Plasma)1) 비자화 (non-magnetized) 플라즈마의 유체방정식{mn& LEFT ... CH 1. 플라즈마의 정의 및 응용 분야제 1 부 플라즈마의 정의1. 플라즈마 상태일반적으로 물질은 고체, 액체, 기체의 여러 가지 상태가 있으며 그들 상태의 기본적인 구성요소 ... 는 원자 혹은 원자가 여러 개 모인 분자 또는 화합물이다. 플라즈마는 원자 및 분자 또는 화합물을 구성하는 전자가 핵의 속박에서 벗어나 자유롭게 움직이며 돌아 다니는 상태이다. 즉

리포트 | 61페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.09.24

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[재료공학] [재료공학]전자재료실험

-Atmospheric Pressure CVD감압 CVD법(LPCVD)-Low Pressure CVD플라즈마 여기 CVD법(PECVD)-Plasma Enchanced CVD광여기 ... 에 의해 좌우된다·절연막, 금속·도체막, 반도체막 등 모든 것에 적용·플라즈마 CVD, 강압 CVD의 경우는 진공을 이용·막은 퇴적 및 표면 반응에 의해 형성·밀착성은 파라미터 ... 에 따라 변한다·막의 치밀성은 온도에 따라 정해지고 스트레스는 제어가능하다·단차 피복성은 PVD보다 우수하다·조성의 제어는 가스의 제거에 의해 가능하다종류:상압 CVD법(APCVD)

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.05.23

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[유기학] 초임계유체

초e)에 금속이나 금속 산화물 전구체를 초임계 이산화탄소로 함침시킨 후 소성(calcination)시키거나 산소플라즈마(oxygen plasma) 처리로 활성탄 template ... 상al Extraction) 공정으로 이는 상압 또는 진공 증류에서 나오는 잔사유로부터 펜탄을 이용하여 윤활유나 cat-cracker 원료를 추출하는 공정으로 석유 값 파동이 있 ... 시킨다. 산소 플라즈마 처리나 소성법으로 물질로 코팅된 샘플 속에서 활성탄을 제거한 후에 매크로 모양(섬유, 분말, 가루)뿐만 아니라 나노 크기의 pore 구조를 갖는 것이 얻어졌

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.10.20

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[환경] VOC

VOC [휘발성유기화합물]VOC란?휘발성유기화합물 [揮發性有機化合物, Volatile Organic Compounds; VOC] 상온·상압에서는 액체상이나 고체상으로 존재 할 수 ... 적이고 불쾌한 냄새를 함유하고 있어서 생활환경에 막대한 영향을 미치게 된다.4. 영향5. 대책고정 연소 오염원에 사용, 저농도 대기오염물질 제어에 유리고중중비열 플라즈마법연료

리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.24

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질화규소

-Si3N4(5) 기타- Laser , Plasma을 이용한 미 분말 합성4. Bulk 제조법(1) 상압소결법 (Pressureless sintering :PLS법)1) 기본공정- S 소결체

리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.05.19

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Ozone의 반도체

가공을 하게 되었다. 현재 plasma나 ion beam 등의 높은 에너지 process가 고 정밀 가공을 위해서 많이 쓰이게 되었지만, 그 반면 Device 특성에 미치 ... 의 청정화 (세정)· 저온에서의 산화 피막의 형성 (산화)· plasma 방전 등의 에너지를 사용하지 않는 저온의 CVD 산화막 형성 (CVD)의 3가지를 생각할 수 있다. 표 1 ... 은 저압 수은등을 외부 발생 ozone 하에서 실온에서 쬐는 처리 법이며, plasma의 생산을 동반하지 않기 때문에 하전 입자의 발생이 없고, Device에 입히는 damage

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2000.10.14

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