"박막접합"의 검색결과 입니다.

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ALD 태양전지 dssc 반도체 면접 OLED electron acceptor MEMS 금오공대 반도체 화학공학과

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"박막접합" 검색결과 761-780 / 1,076건

생체계측시스템의 구성

.지지물을 갖는 금속 미세 전극 : 유리로 모양을 형성, 금속박막을 입히고 절연Glass Micropipet 전극 : 유리를 가열하여 신장시켜 가늘게 만든 후 내부를 3M KCl ... 하는 모든 부분을 동일한 재료로 사용.용접, 꼬임 등 기계적 접합이 바람직.생체접촉시 충분히 긴 전선을 사용, 장력을 최소화해야 함.사용하는 전선의 절연층을 충분히 두껍게 하여 상호

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.12.08

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기사-그린기업(지멘스, 수즈론등)

생성’ 단계로 흡수된 빛을 이용하여 실리콘 내부 전화를 생성하여 한 쌍의 전자와 정공을 만들고 ‘전하 분리’단계에서 실리콘의 한 P-N접합에서 만들어진 전위차에 의하여 분리 ... 에는 효율성이 매우 좋고 가격적인 측면에서도 매우 절약할 수 있는 박막 태양전지도 개발되고 있는 추세이다.하지만 현재까지는 실리콘 반도체를 재료로 하는 태양광 발전 시스템이 대부분이

리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.11.29

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전도성고분자최종

목 차1. 서론 3가. 개발동기 3나. 종이처럼 접어도 가동되는 박막 태양 전지 3다. SKC, 터치패널용 투명전극필름 상용화 42. 기술 분석5가. 전도성 고분자의 개요 51 ... 라, 낮은 온도에서 접합이 가능하며 가공성 또한 우수하게 된다. RFID용 태그의 안테나(antenna)는 이와 같이 전원과 칩 사이의 전도 통로 역할을 할 뿐 아니라, 리더와 태그

리포트 | 43페이지 | 4,800원 | 등록일 2011.06.30

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태양전지 (solar cell)

% 이상의 고효율을 기록하고 있다.③ CuInSe2태양전지 (CIS Cells)다결정 박막 CuInSe2 전지는 p-n이종접합 구조를 기본으로 하며 약 1eV의 밴드갭을 가지고 있 ... 된 바 있다.② 비정질 실리콘 태양전지(Amorphous Silicon Cells)비정질 실리콘 태양전지(a-Si) 는 가장 상업적으로 성공한 최초의 박막 형태의 태양전지이다. 그러나 ... 가 a-Si의 효율을 안정화 시키는 관건이 된다. 다중접합 (multijunction) 을 이용하는 디바이스(복합셀 내에서 더욱더 얇은 흡수층을 가능케 한다.) 와 빛을 잡아두

리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.12

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반도체공정순서 및 박막 증착법

에피탁시는 특별한 종류의 박막 증착법입니다. 에피탁시란 고온에서 단결정 실리콘위에 수증기로부터 단결정 실리콘 층을 성장시키는 것이죠, 3가 염화물 혹은 4가 염화물(SiCl4 ... 얇은(Shallow)접합, 더 낮은 프로세싱 온도, 그리고 더 정확한 조절등이 필요한 곳에 사용되어 있습니다. 더우기 이온주입과정은 불순물이온의 생성, 5eV에서 1MeV의 높 ... 됩니다과 패터닝이 요구되는데, 복잡한 IC는 전기적으로 고립된 3개 때로는 4개의 금속화된 층을 가지고 있습니다. 금속층의 성장시 유전층과 점착성이 좋아야 합니다. 박막은 물질의 상호

리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.09.25

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[공학]세라믹 초전도체

에서 줄열(Joule heat)로 변하므로 마그네트의 온도상승을 막는데 대량의 냉각수가 필요하게 된다. 또 박막상의 초전도체를 접합시킨 소자를 사용하면 그 접점의 전자기 현상을 이용 ... , 초전도추진선박 등 교통분야의 응용 등이 있다. 박막 응용의 경우에는, 박막의 저전류손실 특성을 이용한 수동소자와 조셉슨접합 등 초전도접합을 이용한 능동소자가 있는데, 수동소자 ... 가 미비하나, 머지않아 상당한 발전을 할 것이다.(2) 미래의 응용-무한한 가능성: 응용물질의 형태에 따라 나눈다면 선재 응용과 박막 응용으로 나눌 수 있다. 선재 응용에는 손실

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.07

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LED 기술과 특성

LED(Light Emitting Diode)1. 서론LED(Light-Emitting Diode)는 p-n접합 다이오드의 일종으로, 순방향으로 전압이 걸릴 때 단파장광 ... 회로와 R/G/B 색상제어가 용이하다는 장점이 있다.박막(InGaN,AlGaN,AlInGaN 등)물질 개발 및 낮은 결함,GaN기판 성장 기술과 QD(양자점)형성 및 도핑 기술 ... 는 에너지의 양이 25% 이상으로 효율이 높고 최대 1만 6천시간 이상으로 수명도 길다.3.LED발광다이오드(Light Emitting Diode)는 기본적으로 반도체 PN 접합

리포트 | 26페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.04.26

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태양전지

%), 저가. 박막형 실리콘 태양전지 - 다결정 실리콘을 박막으로 얇게 입힘, 저효율(16%), 굽힘성결정질 실리콘 태양전지의 구조CellArrayModule구조동작원리 1전류 ... 원리 2PN접합에 의한 전계 형성밴드갭 이상의 태양광이 입사 – 광전효과를 일으킴- 2차 정공,전자가 생성/확산생성된 전자/정공 쌍이 농도차와 전위차에 의해 전자=N형,정공=P

리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.01.18

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기계실험-[실험 5] PWM 방식의 모터 Driver

의 트랜지스터들은 접합(接合)들을 가지고 있으므로 접합트랜지스터 또는 쌍극성트랜지스터(bipolar transistor)라고 하지만, 이들과 동작원리가 전혀 다른 전기장효과(電氣場效果 ... 게 된다. 따라서 광전다이오드(photo diode)는 pn 접합면 가까이 또는 점접촉형에서는 접촉점 가까이에 빛을 조사시키고 있다. 이들은 원리로 보아서는 pnp 트랜지스터나 점접촉 ... 형 트랜지스터에 상당하는 것이며, 단지 빛의 에너지를 전기에너지로 변환하는 것뿐만 아니고 변환된 에너지를 트랜지스터 작용에 의해서 증폭을 하게 된다. 또 npn(또는 pnp) 접합

리포트 | 23페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.09.19

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FET특성 및 증폭기

을 변화시켜 다수 캐리어의 흐름을 제어하는 것이다.실효단면적을 변화시키는 것과(접합형 FET) 채널캐리어의 농도를 변화시키는 방법(MOS FET)으로 나눌 수 있다. W.쇼클레이 ... 등이 트랜지스터를 발명한 동기는 FET를 만들기 위해서였는데, 실제로는 프랑스의 S.테츠너가 테크네트론으로서 실현하였다. 그 후 황화카드뮴 박막(薄膜)을 사용하는 것과, 또 실리콘 ... 에는 각변이 5 mm 정도의 웨이퍼에 수백 개의 FET를 형성할 수 있었으며, 점차 집적도가 높아져 갔다.- FET의 종류① FET는 접합형과 절연 게이트형(MOS형)이 있고, 다시

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.06.23

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[기계제작공정] 표면특성 및 품질검사 (표면구조와 성질, 표면조직, Tribology( 마찰, 마멸, 윤활 ))

TribologyTribology마찰계수 F = τAr = τ N = σAr = σ µ : 마찰계수 F : 수평력 (접합부를 전단시키는데 필요한 힘) N : 수직하중 τ : 접합부의 전단강도 σ : 돌출부 ... 에 작용하는 수직응력 Ar : 실제 접촉면적µ =Tribology소성상태에 있는 돌출부들 사이의 상호작용에 나타나는 현상1인장력에 의해 접합부가 파단 될 때 실제 결합면이 아니라 이 ... 보다 위나 아래쪽에서 파단 되기 쉽다.2접합부에서 하중을 받으면서 접선방향의 상대운동이 있으면 접합부의 성장을 가져온다.Tribology마찰력(F)과 수직력(N) 사이의 관계 고착

리포트 | 54페이지 | 4,000원 | 등록일 2008.05.12

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[공학]스핀트로닉스의 이해

를 이용한 박막 트랜지스터(thin film transistor)가 개발되어 여러 논리회로를 고분자 박막으로 만들 수 있다는 것을 증명함으로써 분자 수준의 조작을 통한 다양한 분자전자 ... 었기 때문이었다. 그러나 '90년대에 들어오면서 고진공증착기술과 표면과학의 급속한 발전으로 나노미터 두께의 자성박막 제조가 가능하게 되었고, 또한, 이들 인위적 제조물질에서 기존 ... 진 진보는 상온에서 자성체/절연체/자성체 박막구조에서 관찰된 스핀분극된 전자의 터널링 현상인 TMR 현상이다. 저온에서 이 현상이 1975년 줄리에[그림 3](M

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.01.29

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고효율, 저비용 청색 LED 제작설계

추이(도표) 국내 LED 시장 규모 변화 추이(막대그래프) 에피성장 기술에 따른 방법과 특징Ⅰ 서론기본적인 PN 접합 다이오드를 이용하여 전자와 정공이 충돌할 때의 에너지를 빛 ... 여러 방법이 있다. 여기서 GaN 박막증착과 관련하여, 가장 큰 문제점은 호모에피탁시 성장을 위한 양질의 단결정 기판의 부재로 이로 인한 박막 내 결함이 소자 개발에 큰 장애 ... 의 영역으로 주입된 정공과 전자는 그 즉시 충돌하여 빛 에너지가 되어 소멸한다. 전하가 이동하면 전류가 되므로 PN접합을 통하여 반도체 내부에 전류가 흐르게 된다. 발광 다이오드의 원리

리포트 | 26페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.10.04

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연료감응 태양전지 제조 pre-post report

에 닿았을 경우 비눗물로 깨끗이 씻어 줌.④ 에탄올 등 용액은 인화성 물질이므로 화재에 주의.4. Theory1) 태양전지태양전지는 일반적으로 접합을 가지는 반도체로 구성 ... 사용되고 있는 반도체 재료는 결정Si형으로 시장의 80%를 차지하고 있으며, 전력이 탁월하여 일반용으로 amorphous Si형 박막태양 전지가 사용되고 있다. 태양전지의 변환효율

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.09.30

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태양전지

에 박막형태의 태양전지를 증착 시키는 기술 개발 -기존의 박막 제조공정에서 탈피 신공정의 개발 필요결정성 태양전지의 비용절감1) 다결정 재료는 상대적으로 저급한 재료를 저렴한 공 정 ... olar cells(다결정)1)비정질 실리콘 태양전지(a-Si) 는 가장 상업적으로 성공한 최초의 박막 형태의 태양전지 2)기존 결정질 실리콘 태양전지의 약 1/100에 해당하는 두께 ... , 라디오, 완구 등 소규모 가전제품의 전원용으로 주로 사용. 5) 최근 효율의 향상과 함께 초기 열화현상을 최소화할 수 있는 다중접합 구조의 비정질실리콘 태양전지의 개발과 함께

리포트 | 29페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.11.10

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유기 태양 전지 (특징,원리,구조,제조,기술상의 문제점,향후 전망)

실리콘 태양전지가 시장을 주도할 것으로 예상되며, 2010년 이후에 박막실리콘의 실용생산이 예측된다. 그밖에 염료감응형 태양전지, 유기 태양전지, carbon 태양전지 및 ... 생산량과 2006년까지의 생산능력그 밖의 태양전지로는 그림 2의 태양전지 계통도와 같이 Si 박막 태양전지, CuInSe 나 GaAs등의 화합물 반도체와 비정질 실리콘 태양전지가 있 ... 으로 2020년과 시장의 중심이 되고, 그 밖에 Si 박막 태양전지가 2010년 이후에 시장형성이 가능할 것으로 판단된다. 이번 리포트에서는 특히 유기 태양전지에 대해서 알아본다.2

리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.09.02

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[공학]태양광 발전기 특성분석<The Generator Character Analysis of Photovoltaic>

③ CIS 태양전지(Copper Indium Diselenide Solar Cells)다결정 박막 CIS전지는 p-n이종접합 구조를 기본으로 약 1[eV]의 밴드갭을 가지고 있 ... Silicon Cells)실리콘 태양전지는 크게 단결정 형태와 다결정 형태의 재료로 나뉘며 기본적으로 p-n 동종접합으로서 태양전지에 사용된다. 단결정은 순도가 높고 결정결함 밀도 ... 실리콘 태양전지(a-Si)는 가장 상업적으로 성공한 박막 형태의 태양전지이나 a-Si의 효율을 안정화 시키는 문제가 있다.그림 2 단결정, 다결정, 비정질Si, 화합물 태양전지 모듈

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.10.16

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차세대 광원으로서 백색 LED 기술

화학공업주식회사가 양질의 질화갈륨 박막을 성장, 고효율의 GaN p-n 접합 LED 및 LD를 발표. 그 후 LED는 고휘도 청색 LED가 개발되면서 LED 연구가 급속도로 활성화 ... 형 반도체의 접합으로 이루어져 있으며, 전압을 가하면 전자와 정공의 결합으로 반도체의 밴드갭 (bandgap) 에 해당하는 에너지를 빛의 형태로 방출하는 일종의 광전자 소자 ... (optoelectronicdevice)이다3. 백색 LED의 원리 및 구현방법1)p-n접합에 순방향으로 전압을 인가하면 n형 반도체의 전자 및 p형 반도체의 정공은 각각 p쪽, n쪽

리포트 | 29페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.16

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고효율 LED 제조 기술 개발 동향

였다.LED에서 공급된 전력은 특정 파장을 제외하면 대부분 열로 소모되는데, 발열로 인해 접합온도(Junction Temperature)가 상승하면 발광 효율이 저하되고 소자 수명 ... 이 급격히 감소하게 된다. 이러한 접합온도에 영향을 미치는 인자로는 구동전류, 열적 패스(Thermal Path), 주변온도인데, 칩이 대면적화되면서 구동전류가 증가하고 열적 패스 ... AlInGaN 박막을 활성층에 사용하는 연구가 진행되고 있는데, 4성분계는 격자상수와 에너지 밴드갭의 크기를 독립적으로 조절할 수 있어 원하는 발광 파장을 격자 정합을 유지하면서 조절

리포트 | 18페이지 | 4,500원 | 등록일 2010.04.24

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LED (Light Emitting Diode)의 이해국내 LED산업의 문제점&발전 전략

Emitting Diode ( 발광 다이오드 ) 란 다수 캐리어가 전자인 n-type 반도체 결정과 , 다수 캐리어가 정공인 p-type 반도체 결정이 서로 접합된 구조를 가지 ... um) QW ’ s Chip dimension = 0.3 x 0.3 x 0.1 mm 3 (-) (+) GaN buffer 투명전극 ( 금속박막 또는 금속산화물 ) LED 칩

리포트 | 35페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.01 | 수정일 2017.09.25

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