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"박막접합" 검색결과 681-700 / 1,076건

  • 박막의 응용분야, 각각의 property 별로 정리
    (PDP) 에서의 박막의 응용도 알아 보았다.다이오드는 원리적으로 적당한 접촉이 되어있는 p-n접합이며, schottky 다이오드는 정류특성을 갖고 있는 비저항성 반도체-금속 접촉 ... 디바이스에 공통되는 기술로서 대표적으로 박막형성 및 미세 가공기술이 있다. 만약 박막을 형성하고 가공할 수 있는 기술이 개발되지 않았다면 오늘날의 풍요로운 생활은 아마 이루어지지 못했 ... 을 것이다. 그만큼 작은 메모리에서부터 일상용품, 큰 기계에 이르기 까지 박막은 이미 우리의 일상생활과 밀접하게 관련되어 있다. 그러나 대부분의 사람들은 우리생활과 박막이 얼마나
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.01.24
  • DCJTB를 주입한 Alq3의 두께에 따른 백색 유기발광소자의 변화
    되면 유기물질인 단분자/저분자/고분자 박막에 음극에서는 전자(-)가 전자 수송층의 도움으로 유기물질인 발광층으로 이동하고, 상대적으로 양극에서는 정공(+개념, 전자가 빠져나간 상태 ... 층이 polymer일 경우, OLED는 단순히 스크린 위에 프린트 하는 방법으로 색을 구현할 수 있다. LED가 점으로 이루어진 빛의 소스인 반면, OLED는 박막으로 이루어진 ... 을 살펴 보면 쉽게 파악할 수 있다. OLED의 ITO 기판 위에 정공주입층, 정공전달층, 발광층, 정공차단층, 전자전달층 및 전자주입층 등 유기박막을 형성시킨 후, 음극을 증착
    리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.14
  • [공학기술]공명터널링 다이오드
    을 갖는 이종 접합 구조로 전자의 De Broglie 파장 (~100 Å) 정도 두께의 층 구조를 인위적으로 쌓아올린 다층 반도체 구조공명 터널링 다이오드구 성 7단 박막구조 좁 ... ) 박막 Ⅲ,Ⅴ: AlGaAs, 이중장벽 박막 Ⅳ : GaAs, 양자 우물 불순물이 짙게 도핑된 반도체 양자 우물 구조 : 화합물반도체를 이용한 이종 접합 계면에는 밴드갭 에너지의 불 ... 은 밴드갭 에미터 (또는 애노드) 박막 Ⅰ,Ⅱ : GaAs, 불순물이 짙게 도핑된 반도체공명 터널링 다이오드이중장벽 양자우물 구조 (Double-Barrier Quantum Well
    리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.02
  • [공학]PVD (Physical Vapor Deposition)
    입자 들로만들어서 그것을 이용하여 코팅이나 기타공정을 수행하는 것이 특징이며 주로 코팅 분야에 사용된다. 스퍼터링의 장점으로는 넓은 면적에서 균일한 박막두께 증착가능, 박 막두께 ... 의 집속에 의해 국부적인 고온을 얻을 수 있어고순도의 박막 형성이 가능하고, 고융점 금속을 포함한 모든 재료에 적용할 수 있다.그러나 증발 분자와 잔류 가스를 이온화시켜 막질에 영향 ... 게 하 여 양질의 박막을 얻는방법으로 특징은 복잡한 다성분계 물질을 성장시킬 수 있으며, 성 장 중에 Reflection High Energy Electron Diffraction
    리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.05.18
  • 태양전지
    이나 제조비용의 문제 고효율이며 저비용인 재료로서 박막화가 용이 대표적인것 GsAs가 있다 2. 두가지 또는 세가지의 다접합 태양전지 대표적인것은 CdS CdTe CuInSe2가있다각국 ... 다. 이러한 밀도차에 의해 전자와 정공이 주변으로 확산하다가 전위차가 형성되어 있는 pn접합부에 도달하게 되면 강한 전기장에 의해 분리가 일어나게 된다.p형 반도체에서 확산되어 온 ... 전자는 n형 반도체 쪽으로 n형 반도체에서 확산되어 온 정공은 p형 반도체 쪽으로 이동하게 되어 전류가 흐르게 된다. pn접합에 형성된 일반적인 현상을 아래 그림에 보였다.p
    리포트 | 28페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.11.09
  • [공학]PECVD 란
    에서 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.1) PECVD SiN, SiO2 박막 PECVD를 이용한 SiN, SiO2 박막 형성은 좋은 접합성, 적은 동공(pinhole)밀도, 좋 ... , 새로운 결합을 만들어 박막을 형성하게 된다. 때로는 외부 공정 변수에 따라 가스상태에서 핵 형성 반응이 일어나기도 하고, 플라스마내의 불순물은 핵 site로 작용, 불필요한 먼지 ... 2와 같이 평형 평판형 구조를 갖고있으며, 웨이퍼는 접지 전극에 두어 이온 충돌에 의한 스퍼터링 효과를 최소화시키고 있다. PECVD에 의한 박막특성은 증착속도, 박막조성비
    리포트 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.04.29
  • LED의 구조와 원리적 특성 및 미래동향
    형 반도체와 N형 반도체 접합구조인 PN구조에 순방향 전압을 인가하여 전기 에너지를 광(光) 에너지로 바꾸어 발광하는 소자를 의미한다.LED 적합한 재료? 발광파장이 가시(可視) 또는 ... 근적외영역(近赤外領域)에 존재할 것? 발광효율이 높을 것? p-n접합의 제작이 가능할 것 등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨 GaAs,인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 ... 며, 반전분포(反轉分布)가 발생하여 간섭성(干涉性) 빛을 생기게 할 수 있다.다. LED 발광원리 및 발광 물질LED는 기본적으로 p형과 n형 반도체의 접합으로 이루어져 있으며, 전압
    리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.01.14
  • MOCVD Growth (MOCVD를 이용한 Gan성장)
    GaN MOCVD GrowthLED 는 반도체의 pn 접합에 순방향 바이어스를 인가했을 때 주입된 소수 캐리어의 재결합에 의해 발광 ( 자연방사 ) 하는 소자이다 . LED ... 적색 LED 의 양산화에 성공하여 ( 실내 표시기용으로 사용 ) ㆍ 반도체 기술이 Si 소자를 중심으로 급격하게 발전 , LED 소자제조를 위한 에피탁시 박막성장 기술 및 단결정 ... 은 100 lm/w 를 실현 ( 조명용 광원 가능성 제시 ).GaN ? 이종접합 구조로 양자우물 구조를 이용한 소자구현 유리 Wide Band Gap 반도체로 내성이 강하고 열적
    리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.10.17
  • 초전도체
    가지도체가 얇은 절연체 막을 사이에 두고 결합되었을 때 (조셉슨접합이라고 명명됨), 초전도체만이 갖는 조셉슨 효과를 예측하였고, 1963년 기에브(Ivar Giaever)는 초전 ... 도 접합의 터널 현상을 발견하였는데, 이 두 사람은 각각의 공적으로 1974년 공동으로 노벨 물리학상을 수상하였다. 조셉슨 접합은 초고속 저손실 컴퓨터소자 등으로 활용될 수 있 ... 전도체의 응용분야는 보통 응용 물질의 형태에 따라 선재 응용과 박막 응용으로 나눈다. 선재 응용에는 손실이 없는 송전선, 강한 자기장이나 아주 안정한 자기장을 발생시키는 초전도자석
    리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.02.03
  • 태양전지
    결함결정 박막CuInSe2전지는 p-n이종접합 구조를 기본으로 하며 약 1eV의 밴드갭을 가지고 있고 보통 0.5V이하의 open-circuit voltage(Voc)를 나타낸다 ... .naver.com/search.naver?mode=all&query=%C5%C2%BE%E7%C0%FC%C1%F6" 태양전지는 확산법에 의해 p-n접합을 형성하지만, 조사(照射 ... /item.php?d1id=6&docid=10536" 접합부 부근에 이르도록 확산 깊이는 3 μm 정도로 되어 있다. 실리콘태양전지의 HYPERLINK "http://100.naver
    리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.04
  • 계측 및 센서(광탄성)
    종류에는 단결정 벌크 게이지,기판 위에 실리콘을 박막화한 박막 스트레인 게이지, 확산형의 게이지,그리고 p-n 접합 게이지 등이 있다. 많이 사용되는 벌크 게이지는 아래 그림
    리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.26
  • LED 개요와 특성
    로 널리 쓰이고 있으며 無수은으로 환경 친화적이고,초경량으로 전력절감이 탁월하고 긴 수명·높은 신뢰성으로 간단한 구동회로와 R/G/B 색상제어가 용이하다는 장점이 있다.박막 ... 로 packaging하여서 일반 조명과 같게 만들어야 하는데 이때 LED 내부 접합부의 온도 상승으로 인하여 광특성이 변하게 되는 문제점을 안고 있다.본 연구는 이러한 LED의 접합부 ... 의 온도 변화에 의한 LED의 특성 변화에 중점을 둔 것이다.먼저 열적 평형상태에 있는 LED에 켜는 시간과 끄는 시간을 주어 측정한 I-V 특성 곡선을 이용하여 LED 접합
    리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.25 | 수정일 2018.04.26
  • SOD(Spin-on dopant)법을 이용한 p-n Junction Solar Cell 제작 (실험 사전 보고서)
    Cells)? 다결정 박막CuInSe2전지는 p-n이종접합 구조를 기본으로하며 약 1eV의 밴드갭을 가지고 있고 보통 0.5V이하의 open-circuit voltage(Voc ... 은 꾸준히 발전하여 현재 일부 시스템이 상용화 되었거나 상용화를 서두르는 단계에 와 있다.? 대부분 보통의 태양전지는 대면적의 p-n 접합 다이오드(p-n junction diode ... 반도체에서 여기된 전자들과 n-type반도체에서 만들어진 정공을 각각의 minority carrier라고 부르 며, 기존 접합전의 p-type또는 n-type반도체내의 carrier
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.04
  • MRAM 박막공학
    ’이라고 부른다.▲ 기존 DRAM(왼쪽)과 MRAM(오른쪽)의 데이터 전송 방식의 차이▲ 현재의 메모리와 미래의 메모리2. M-RAM 기술(1) M-RAM이란?? MRAM이란 MR박막재료 ... 는 상용화되고 있다.MR박막재료는 MR현상이 나타나는 재료 및 메카니즘에 따라 AMR, GMR, TMR, CMR 등으로 분류되며, 특히 GMR 및 TMR 박막재료는 실용화에 가장 근접 ... 다. 후자는 절연층을 사이에 둔 두 자성층에서 스핀 방향이 같은 경우가 다른 경우보다 전류의 투과가 훨씬 잘 일어난다는 현상을 이용, 자기투과접합 메모리 소자를 구현하려는 것이
    리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.12.08
  • 태양광 발전
    적으로 줄이는 기술, 또는 유리와 같이 값싼 기판위에 박막형태의 태양전지를 증착시키는 기술이 주목을 받고 있다. 기존의 박막 제조공정을 이용할 경우 보다 값싼 방법으로 태양전지의 대량 ... 생산이 가능하기 때문이다.박막 태양전지 중 가장 처음으로 개발된 것이 비정질실리콘으로 기존 결정질실리콘 태양전지의 약 1/100에 해당하는 두께만으로도 태양전지의 제조가 가능 ... , 완구, 가격도 지상용 태양전지의 수백 배에 이른다. 가격을 절감하여 지상용으로 사용하기 위해서는 값싼 기판위에 박막으로 제조하여야 하는데, 아직까지 실용화단계에 이르지 못하고 있
    리포트 | 13페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.08.23
  • LED
    Emitting DiodeP N 접합 다이오드의 일종순방향으로 전압을 가했을 때 발광하는 반도체 소자*LED는 방출하는 빛의 종류에 따라 가시광선 LED, 적외선 LED, 자외선 LED ... , 유기 EL, 또는 OLED(영어: Organic Light-Emitting Diode)는 빛을 내는 층이 유기 화합물로 되어 있는 박막 발광 다이오드이다. 액정 디스플레이
    리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.04.08
  • 트랜지스터종류및활용(디스플레이)PPT
    의 발명1947년 점 접촉형 트랜지스터의 발명 1951년 접합형 트랜지스터의 발명 (Shockley, Bardeen, Brattain)반도체 산업의 확립1954년 트랜지스터의 실용화 ... 영상소자로서, 박막 트랜지스터가 형성되어 있는 하부유리 기판과 칼라필터가 형성 되어 있는 상부유리 기판사이에 액정을 주입하고, 전압을 가하여 액정의 배열상태를 변화시킴으로써 빛 ... 에 On/Off0.3mmGlass편광판편광판①화상신호TFTGlass(C/F)----2. TFT-LCD비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 구조Back channel etched 방식을 이용
    리포트 | 33페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.04.26
  • LED 개요
    Emitting Diode, 발광 다이오드)는 쉽게 말해 전기에너지를 빛 에너지로 변환시키는 반도체 광원으로, p-n 접합 다이오드에 순방향 전압을 인가할 때 단파장광이 방출되는 현상인 ... 전기 발광효과를 이용한 화합물 반도체 소자이다.LED 원리양과 음의 전기적 성질을 가진 두 화합물이 접합하여(PN접합) 전기가 흐르면 빛이 발생되는 원리를 이용한 것으로 LED ... (일)에피성장/ 에피웨이퍼 (Epi Waper)기초소재인 단결정 웨이퍼에 단결정 박막을 성장시키는 단계로 성장과정을 마친 것을 에피 웨이퍼라 부름[국내] 삼성전기, 에피밸리, 에
    리포트 | 24페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.08.17
  • 신재생에너지,친환경건축물
    으로 절단하여 제작-. 종류 : 단결정, 다결정 실리콘 전지 (실리콘 덩어리 제작 방법에 따라)(2) 박막 태양 전지-. 얇은 플라스틱이나 유리 기판에 막을 입히는 방식으로 제조 ... 게 설치하기 때문에 최대 효율을 낼 수 있다-. 새로운 건물이나 기존 건물에도 사용 가능-. 지붕면 접합부의 방수 문제 고려(3) 태양 전지판을 건축물에 사용할 때의 잇점-. 건축
    시험자료 | 26페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.01.01 | 수정일 2017.08.10
  • 실과 전기전자부품기호 50개 조사
    .無12트랜지스터규소나 게르마늄으로 만들어진 반도체를 세 겹으로 접합하여 만든 전자회로 구성요소로 전류나 전압흐름을 조절하여 증폭, 스위치 역할을 한다.無13변압기전자기 유도 작용 ... 로 입력 게이트가 산화 실리콘 박막으로 절연되어 있는 FET로 상당히 높은 입력 임피던스전류가 흐르지 않는)를 갖고 있는 것이 특징이다.有41전원 트랜스전원과 전압의 변환 기능
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.29
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2025년 10월 10일 금요일
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