"발광층 정공주입층"의 검색결과 입니다.

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OLED oled 합성 led 원리 다이오드 심종인 OLED합성및제작 1240nm ev 계산 oled 실험 정리 현대사회와신소재

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"발광층 정공주입층" 검색결과 421-440 / 533건

[화공, 물리] 유기EL원리

에 따라 저분자형과 고분자형으로 나뉘며 두께는 일반적으로 100nm정도이다. 유기물층은 세부적으로 보면 정공 관련 층과 전자 관련 층 그리고 발광 층의 구조를 가진다. 정공 관련 ... 층은 정공 주입 층과 정공 운송 층으로 나뉘며, 전자 관련 층 역시 주입 층과 운송 층으로 나뉜다. 전극에 전압을 가하면 양극에서는 정공이 주입, 운송되고 음극에서는 전자가 주입, 운송 ... EL의 발광 Mechanism(1). carrier주입단계낮은 일함수를 갖는 금속에서 주입한 전자와 높은 일함수를 갖는 전극에서 주입된 hole들이 무기물 반도체에서와 마찬가지

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.10.24

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유기 EL의 원리와 향 후 전망

은 양극화 음극에서 주입된 정공과 전자의 재결합에 의해 발광이 일어나게 된다. 즉, 무기 EL은 교류전압의 주파수가 증가함에 따라 단위시간 내 여기 되는 횟수가 증가함에 따라 발광 ... 횟수도 비례하여 증가하게 된다. 그러나 유기 EL에서는 외부에서 전자와 정공이 주입되고 이들 사이의 재결합 에너지가 발광중심을 여기 시키는 직류 동작 메커니즘을 가지게 된다.발광 ... 고 표면이 균일하면서 소자의 안전성을 유지 하는 것이 매우 중요하다. Carrier의 주입에 따라 발광중심이 여기 될 때 정공과 전자의 밀도가 균형을 이루는 것은 소자의 고효율

리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.07

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[전기전자] 유기EL의 원리및 물질

에서 전도대(conduction band)로, 정공은 양극에서 가 전자대(balance band)로 주입되며, 주입된 전자와 정공이 발광층 내에서 전자-격자 상호작용(electron ... 물반도체를 이용한 p-n 접합이 지배하고 있지만, OLED소자에서 발광은 양쪽 전극으로부터 주입된 전자와 정공의 재결합에 의한 것이다. 에 보인 것과 같이 스핀 S=1/2인 전자 ... 층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층)의 형성에는 재료의 특성에 따라 진공 증착 방식과 spin coating 방식으로 나누어지게 된다. 소자제작을 위한 필수요소 기술

리포트 | 25페이지 | 2,500원 | 등록일 2004.05.30

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[다이오드]다이오드 실험 보고서

에 순방향 전압을 가하면 주입된 소수 반송자가 재결합할 때 남는 에너지가 광양자로 방출되어 빛이 발생하므로 발광다이오드(LED:light-emittung diode)라고 한다 ... ● P-N 접합 다이오드P-N접합을 하면 접합면을 통하여 P형 측의 다수 반송자인 정공은 N형 쪽으로, N형 측의 다수 반송자인 전자는 P형 쪽으로 각각 확산을 하게 되며 확산은 접합 ... 면의 가까운 쪽에서부터 하게 된다.P형 측의 정공이 N형 쪽으로 옮겨간 자리는 -로 대전되고, N형 측의 전자가 P형 쪽으로 옮겨간 자리는 +로 대전되어 접합면 부근에서는 N형 쪽

리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.03.31

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[전자공학]유기EL 원리와 기술

EL소자의 적층 구조를 보면, 발광층과 수송층으로 제작된 주입형 박막 소자로, 무기 반도체 p-n 접합을 이용한 발광 기구로써 공통성을 가지나 접합 계면에서의 소수 carrier ... 의 주입에 의해 recombination이 지배되는 p-n 접합형 LED와는 다르게 유기 EL의 경우, 발광에 기여하는 모든 carrier들이 외부의 전극으로부터 주입된다는 점 ... ing-layer과 multi-layer로 나눌 수 있는데 우선, sing-layer EL device는 전극/발광층/전극의 구조로 이루어져 있으며, electron주입전극인 c

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.04.11

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도구와 기계원리(리포트)

을 걸어 주었을 때 이 전위차는 대부분 공핍층에 걸린다. 순 방향 바이어스의 전압을 걸어 주면 전류가 흐르게 되는데 이것은 공핍층 양쪽에서 여분의 정공과 전자가 속 주입되어 공핍층 내 ... 1. 반도체 레이저1) 원리N 형 영역에는 자유 전자(free electron)가 고밀도로 존재하고 P형 반도체는 정공(hole)이고밀도로 존재한다. N형 영역의 가장자리에는 ... 에서는 페르미 준위가 band edge에서 크게 떨어지므로 전도대의 전자, 전자대의 정공이 모두 밀도가 낮게 되어 있다. 이 영역을 공핍층이라고 한다. 다이오드부에 바이어스 전압

리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.06

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[재료공학,디스플레이공학] FED vs ELD 비교

샤프가 고휘도의 장수명 박막 EL소자를 발표한 이래 많은 연구에 의해 EL디스플레이의 실용화가 급진전되었다.EL을 그 동작특성면에서 대별하면 전류로 발광하는 주입형 EL(발광 ... 시장을 대체할 것으로 전망된다.ELD는 크게 무기ELD와 유기ELD로 나눌 수 있으며, 모두 전계(電界)에 의해 주입된 캐리어가 발광층 내어서 전자전이 현상에 의해 발생되는 빛 ... 을 이용한다.무기EL과 유기 EL의 발광원리를 조금 자세히 설명하면 무기EL은 발광 모체 내에 불순물을 도핑(doping)하여 이 불순물에 주입되는 가속 전자에 의해, 전자가 여기

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.13

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[디스플레이공학] 고분자 OLED재료의 최신 기술동향

적 에너지(IP: ionization potential)를 고려하여 일함수가 5.0-5.2 eV인 유기물을 선정하여 양극으로부터 정공 수송층으로의 정공 주입 시 에너지 장벽을 낮추 ... 어, 보다 효과적인 정공의 주입이 가능하게 하는 역할을 기대하기 때문이다. 음극 전극과 전자 수송층 사이에도 소자의 효율 개선을 위해 추가로 완충층을 적층하는데, 이 때는 정공 ... 의 비교a. 단분자 재료의 기술 현황과 장, 단점 ............ 8b. 고분자 재료의 기술 현황과 장, 단점 ............ 13(3) 고분자 발광 재료에 관한 최신

리포트 | 28페이지 | 2,500원 | 등록일 2004.11.17

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반도체를 이요한 포토다이오드(Photo Diode) 광검출기

. 회절격자의 주기에 따라 레이저광에 강한 파장선택성을 가지게 하여 발광파장 단일화가 가능하다. 전류가 0에서 증가할수록 작은 양의 자연 방출 광이 작은 기울기를 가지고 주입전류 ... 원소(B, Ga, In)를 첨가함으로써 공유결합상태에서 전자가 한개 모자라는 상태로 전자를 받을 수 있는 상태로, 정공이 존재하고 이 정공이 다수캐리어가 되는 반도체이다. n ... 면 서로 평형을 이룰 때까지 전자와 정공이 이동하게 되고 평형 상태가 이루어진 후에는 같은 위치에너지를 갖는다.PN 접합 다이오드에서 P쪽에 (+)를 걸어주면 순방향 bias가 되

리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.11.20 | 수정일 2019.06.20

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[전자기학] 발광 다이오드

을 방출한다. 이 현상은 주입형 일렉트로루미네선스라고 하는데, 1907년에 영국의 H.J. 라운드는 탄화규소에 바늘을 세우고 여기에 전류를 흘렸을 때 발광하는 현상을 관찰 ... LIGHT-EMITTING DIODES (발광 다이오드)1.실험 목적LED와 seven-segment display의 기본적인 특성 알기LED와 seven-segment ... )는 다수캐리어인 정공과 소수 캐리어 전자 그리고 음이온(anion)이 존재한다. 반면 (n-type)는 다수캐리어인 전자와 소수 캐리어 정공 그리고 양이온(cation)이 존재

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.13

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[공학]유기발광다이오드 (OLED)

하고 OLED 의 전망에 대해서 분석하였다.2. OLED의 구조 및 메카니즘2.1 OLED 구조OLED의 구조는 기본적으로 정공 관련층, 전자 관련층 그리고 발광층(Emission ... )로 hole은 HOMO(highest occupied molecular orbital)로 발광층에 주입된다.②carrier 완화단계Band에 주입된 carrier들은 발광층 내 ... 이 있어 평판디스플레이로서 현재 가장 많이 사용되고 있으며 앞으로도 상당기간 수요 측면에서 강세를 유지할 것으로 예측된다. 그러나 LCD는 자체 발광소자가 아니라 수광소자이며 밝기

리포트 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2007.02.27

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LED 의 기본 원리

등 각종 전자기기의 표시용 램프, 숫자표시 장치나 계산기의 카드 판독기 등에 쓰이고 있다. 또, 주입형 반도체 레이져는 주입 밀도가 매우 높은 발광 다이오드의 일종이며, 반전분포 ... ■ LED(light emitting diode)반도체에 전압을 가할 때 생기는 발광현상은 전기 루미네센스[전기장발광]라고 하며, 1923년 탄화규소 결정의 발광 관측에서 비롯 ... 되는데, 1923년에 비소화갈륨 p-n 접합에서의 고발광효율이 발견되면서부터 그 연구가 활발하게 진행되었다. 1960년대 말에는 이들이 실용화되기에 이르렀다.■ 발광다이오드에 적합

리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.05.24

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차세대 디스플레이와 OLED 개요

을 통하여 주입된 전자(Electronic)와 정공(Hole)이 유기 물질 안에서 자유롭게 돌아다니다가 재결합(Recombination)하여 여기자(Exition)를 형성 ... (Flat Panel Display: FPD)이다. FPD는 크게 발광형과 수광형(비발광형)으로 분류된다.나. 차세대 디스플레이의 중요성 및 범위차세대 디스플레이란 기존 CRT를 대신 ... 체에 부딪혀 발광하는 원리를 이용한 발광형 디스플레이 장치이다. 현재 PDP의 기술 개발 방향은 발광효율 향상, 고품위화, 저가격화의 3가지 방향에서 중점적으로 연구되고 있

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.12.23

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[재료공학]ZnO 형광체

이루어지고 있으며, near band edge emission(NBE)과 defect에 기인한 주황색, 녹색 발광이 관측된다. ZnO의 경우는 흔히 관찰되는 녹색(510nm, 2 ... .4eV), 적색(650nm, 1.9eV), 황색(590nm, 2.1eV) 등에 대한 발광의 원인에 대하여 많은 연구가 진행되고 있다. 이러한 결함에 의한 발광의 원인으로는 기본 ... 적으로 비화학양론과 관련한 공공 및 침입형 결함 등의 내재적 결합에 기인하는 것과 wafer 제작시 공정상에서 주입되는 불순물에 의한 외부 결함으로 나눌 수 있다. 내재적 결함

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.06.03

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LED와 OLED의 기술과 응용 논문 PPT자료

OLED의 발광원리 및 특성2-4 OLED의 제조공정2-5 OLED의 응용..PAGE:31-1 LED 의 정의사전적 의미“반도체의 p-n 접합 구조를 이용하여 주입되는 소수 ... SDI가 AM OLED 대량 양산에 들어감..PAGE:122-3 OLED의 발광원리 및 특성OLED의 발광원리전계를 인가할 때 발광 층에서 만난 전자와 정공의 재결합 시 ... LED1-1 LED의 정의1-2 LED의 역사1-3 LED의 발광원리 및 특성1-4 LED의 제조공정1-5 LED의 응용2 OLED2-1 OLED의 정의2-2 OLED의 역사2-3

논문 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.01.27 | 수정일 2014.02.23

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[디스플레이공학] LED의 최신경향

LED(Light Emitting Diode)1. What is LED?(a) 원리반도체로 된 다이오드의 일종. 다이오드에 순전압을 걸면 전류가 주입되고 전자와 정공의 재결합 ... 으로 일부 에너지가 빛으로 변환된다.(b) 발광효율, 광출력, 밝기LED에 주입한 캐리어가 광자로 변환되는 비율: 내부양자효율캐리어와 결정밖으로 나오는 빛과의 비율: 외부양자효율캐리어 ... 주입효율, 캐리어가 빛으로 변하는 변환효율, 결정외부로의 광 방출효율의 곱: 발광효율(에너지의 입출력)밝기: 광출력+시감도(c) History최초의 실용적인 가시광성 LED

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.01.27

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[전기전자]Light Emitting Diode

화합물 반도체가 사용)[LED 란]-1907년의 H.J Round에 의해 LED의 주입형 발광현상 발견함. -1923년에 O.W.Lossew에 의해 SiC의 접촉부에서의 발광 ... 이 관측되어, 주입형 발광현상이 보다 확실해짐 -1952년 J.R.haynes등의 Ga, Si의 p-n 접합부에서의 발광, 1955년 G.A.Wolff의 GaP에서의 발광관 측 ... , 주입 발광현상에 관한 수 많은 연구 발표가 이루어졌다. -1968년의 GaAsP 적색 LED LAMP의 발매 -1969년 R.H Saul등의 GaP 적색 LED의 외부발광효율 7

리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.01.12

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LED 기본 이해 및 기술 동향

Light-Emitting Diodes(LEDs)1. Introduction1.1 The Aim of this study1960년대 이후 발광 다이오드(Light-Emitting ... 는 머지않아 기존의 형광등을 대체할 수 있는 조명 소자로 많은 관심을 받고 있다. 본 연구에서는 LED 소자의 연구 동향과 현재의 기술 발전 단계를 발광 효율의 향상의 관점 ... 을 증진시키는 방향으로 변천해왔다. 발광 기술은 전통적으로 불(Fire), 백열(Incandescende), 형광(Fluorescence) 기술로 대표되는데, 불을 이용한 기술은 화학

리포트 | 12페이지 | 4,000원 | 등록일 2007.08.27

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OLED의 원리, 구조, 작동

와정공이 재 결합(Recombination)하여 여기자(Exciton)를 형성하고, 형성된 여기자로부터의에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생하는 형상을 이용한 자체 발광 ... 은 유기물(저분자 또는 고분자) 박막에 음극과 양극을 통하여 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 재결합(recombination)하여 여기자(exciton)을 형성 ... 1.OLED란?-OLED는(Organic Light Emitting Diode) 약자입니다.OLED는 유기물(단분자/저분자 또는 고분자)박막에 양극과 음극을 통하여 주입된 전자

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.03

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[공학]무기EL

~100V 정도구동전압전자와 정공이 결합한 후 형광분자를 여기 시킨 후 기저 상태로 떨어지면서 발광주입된 가속 전자가 발광체 내의 발광 중심과 충돌하여 빛을 내는 현상을 이용기본개념 ... ealin를 바르거나 불화규소산처리 함수분 침투 방지ZnS:Cu 형광체가 주종을 이루고 있음주입되는 물질들은 ZnS의 형광모체가 형성하는 결함의 위치에 대치되어 결함을 대치하는 만큼 발광 ... 무기EL목 차무기EL의 정의 1. 정의 2. 발전역사 3. 분류 4. 무기EL의 특징 5. 무기EL과 유기EL 무기EL의 발광원리 1. 형광체 발광 원리 2. 발광원리 3.발광

리포트 | 28페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.12.20

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