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"화합물 반도체" 검색결과 21-40 / 3,438건

  • 화합물반도체
    화 합 물 반도체화합물 반도체의 재료 및 특성 Ⅰ Ⅱ 목 차 2 화합물 반도체의 소자와 이용화합물 반도체의 정의 화합물 반도체의 재료 및 특성 Ⅰ. * 화합물 반도체란 ? 3 ... , 5 족 화합물 반도체로 불리며 주기율표의 3 족에 속하는 Gallium( 원소기호 Ga-31 번 ) 과 5 족에 속하는 Arsenic( 원소기호 As-33 번 ) 의 조합에 의한 ... ( 원소 반도체 ) 화합물 반도체 (Compound)~ III-V : GaAs, InP, GaN, AlAs II-VI : 12 Mg 13 Al 14 Si 15 P 16 S 30
    리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.23
  • 케리어와 화합물반도체
    하여 구리 결정체 속을 자유롭게 이동할 수 있는 전자들이다. 반도체의 경우도 결정 속을 이동하는 이와 같은 전자가 캐리어가 된다. 이것을 전자전도라고 한다. 전자전도는 반도체의 전기 ... 전도의 한 특징이다.반도체 또는 금속에 전류를 통하고 이것에 수직된 방향으로 정자기장을 인가하면 전류방향과 자기장방향 양쪽에 대하여 수직 방향으로 이들의 크기에 대략 비례하는 기 ... 전력이 발생된다. 이것을 “홀효과”라고 한다.이 기전력의 크기는 반도체의 경우가 가장 크며 금속의 경우가 그 다음이고 절연체의 경우는 매우 작다. 이 기전력이 생기는 방향에 따라
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.30
  • 화합물반도체의 금속공정(Metallization Process)
    제거 효과 구비 세정 시간을 1/10정도로 단축 가능 시간, 비용 대폭 감소가능한 합리적인 반도체세정액특징1. 폐수 처리가 용이(처리조 불필요) 2. 강한 탈지작용(Na 미함유 ... ) 3. 질산, 과산화수소와 동일하게 중금속을 용해하는 능력 4. Si과 SIO2를 약간 에칭 5. Semico Clean23을 처리한 반도체 표면은 친수성이 대단히 좋아 세정이 용 ... 지 않는 곳에 보관경시변화폐액중의 잔류물을 처리한 후에 폐액은 중화 혹은 희석시켜 규제기준내 (pH 5.8~8.6)가 되도록 배출 BOD(5mg/L 분석법 JIS, K0102-17
    리포트 | 19페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.11.14
  • 화합물반도체
    *Electrical Information Engineering화합물 반도체의 재료 및 특성Ⅰ화합물 반도체의 발전과정Ⅱ화합물 반도체의 소자와 이용Ⅲ목 차화합물 반도체의 정의Ⅲ−Ⅴ ... 화합물 반도체⇒GaAs, InP, InAs, GaSb등Ⅱ−Ⅳ화합물 반도체⇒Cds, ZnS, CdSe, ZnSe등기타 화합물 반도체⇒SiC, SnO2, PbS등2개 이상의 원소 ... 가 화학적 결합에 의해 구성하는 반도체화합물 반도체의 재료 및 특성Ⅰ.300100.53--546사방정ZnSbⅡ-Ⅴ--3003.62.06.951650정방정SnO2Ⅳ-Ⅵ-50012000
    리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20
  • 화합물 반도체(Compound Semiconductor)
    화합물 반도체(Compound Semiconductor)1. 정의.주기율표상의 Ⅲ-Ⅴ족 두 가지 이상의 원소의 화합물로 구성되는 반도체이다.게르마늄이나 실리콘 같은 단일 소자 ... 가 아니라 2종 이상의 원소가 비교적 간단한 정수비로 화학적 결합에 의해 구성된 소자로서 작용 하는 반도체이다. 화합물 반도체는 일정한 조성으로 완전한 균일성 을 갖고 있으며 그 성질 ... 은 원래의 구성 원소 어느 것과도 다르다. 화합물 반도체의 대다수는 직접 천이형으로서 천이 확률이 크기 때 문에 발광 효율이 큰 것이 많다. 대표적인 재료로서 갈륨비소(GaAs
    리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.29
  • 85화합물 반도체 공정(유전막 증착)
    이 생긴다. 반응성 스퍼터링 반응성 스퍼터링은 금속 target을 이용하여 스퍼터링 할 때 불활성 가스와 동시에 반응성이 있는 가스를 흘려줌으로써 화합물 박막을 형성하는데 주로 ... 됨.LPCVD ( 저압CVD )LPCVD는 APCVD에서 발생하는 step coverage, 균일도, 입자 불순물 등의 문제점들을 해결해 줄 수 있기 때문에 반도체 박막 제조공정 ... billiards game]Sputtering의 과정이온의 가속이온의 target에 충돌Target 원자 방출Sputter된 원자Sputter된 원자표적물 원자 운동량 이동방향0 중화
    리포트 | 43페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18
  • 화합물 반도체 태양전지
    -양공쌍이 D-A계면으로 이동하여 전하가 분리되고 전자는 전자받개로, 양공은 전자주개로 이동하여 전류발생.종류Si계 반도체, 화합물 반도체Dye - TiO2C60, Polymers ... 박막태양전지의 특징CuInSe2로 대표되는 I-III-VI2족 Chalcopyrite계 화합물반도체는 직접천이형 에너지밴드갭을 가지고 있고, 광흡수계수가 1x105cm-1 ... 화합물 반도체로 만들어지는 태양전지로는 CdS/Cu2S계, CdS/CdTe계, CdS/lnP계와 CdTe/Cu2Te계 태양전지 등이 있다.CulnS, CulnSe2의Ⅰ-Ⅲ-Ⅳ족 화합
    리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.05.13
  • 화합물 반도체 태양전지
    정질실리콘 태양전지의 개발과 함께 일부 전력용으로 이용이 되기 시작하였다.뒤이어 출현한 박막 태양전지가 CdTe, CuInSe2 계의 화합물반도체를 소재로 한 것이다. 비정질실리콘 ... 태양전지 구조에 따른 분류로 나누어 생각할 수 있다.◎소재에 따른 분류(1)실리콘①Bulk-단결정;일정한 결정구조-다결정;다양한 결정구조②박막-단결정-다결정(2)화합물 반도체 태양 ... , InP그림;화합물 반도체 태양전지(3)염료감응형 Dye-Tio2(4)유기물-C60, polymers그림 ;실리콘 태양전지(좌-단결정,우-다결정)◎이용목적 및 구조에 따른 분류
    리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.04.02
  • 84화합물 반도체 공정 [2조] 성장기술 (HVPE,LPE)
    화합물 반도체 성장 기술H V P E L P E화합물 반도체란? 에피택시 (Epitaxy) 공정이란? HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) LPE ... (Liquid Phase Epitaxy)Index화합물 반도체두 종류 이상의 원소화합물로 이루어지는 반도체 고주파발진소자 , , 등의 소자를 개발화합물 2개 이상의 다른 원소들이 일정 ... Ⅲ족 원소로서 Ga이나 In 등이 포함되는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체의 결정성장에 있어 특히 유용, 이들 금속 원소들이 적절하게 낮은 온도에서 화합물 반도체들과 용액을 만들기 때문각
    리포트 | 35페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18
  • [전자물성]화합물반도체
    화합물반도체 (化合物半導體 compound semiconductor)1. 기본 개념화합물을 가지고 반도체를 만든 것. 반도체란 전기저항이 도체와 절연체의 중간인 10∼10Ω ... CdS·텔루르화아연 ZnTe, 4-6족의 황화납 PbS, 4-4족의 탄화규소 SiC 등이 있다. 화합물반도체 결정은 전기특성과 광전변환특성에 특징이 있으며, 고속전자장치·광전자장치 ... 가 트랜지스터 재료의 게르마늄을 대체할 목적으로 1950∼1952년에 걸쳐 철저한 연구를 하여 각종 원소를 조합시켜 만드는 화합물반도체의 실상을 증명하고 그 물리적 성질을 밝히
    리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.18
  • CVD를 사용한 유리기판에 증착된 화합물 반도체 B13P2
    Power DesignCVD를 사용한 유리기판에 증착된 화합물 반도체 B13P2CVD를 사용한 유리기판에 증착된 화합물 반도체 B13P2CVD를 사용한 유리기판에 증착된 화합물 ... 반도체 B13P2이름입력이름입력 CONTENTS1. 실 험 배 경2. B13P2의 증착 이론3. 실험 방법4. 결과 및 고찰5. 결 론* MgO의 장점 - 저전압 및 누설 방전 ... 의 제어 측면에서 효과적인 재료로 평가 받음. * MgO의 단점 - 가시광선 대역에서 투과도가 불안정 - 흡수성이 높아 H2O와 같은 불순물의 흡착 - 방전 스퍼터링에 의해 형광체
    리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.12.11
  • [반도체] 실리콘 반도체화합물 반도체의 차이
    * 발광소자나 광 검출 소자로서의 실리콘과 화합물 반도체의 차이그림 3.3.1에 실리콘과 갈륨비소 (GaAs) 반도체에 대한 에너지 밴드 그림 (E-K relation)를 그려 ... technology)에 요구되는 양질의 mask와 MOS (metal-oxide-silicon)소자에 동질 절연층을 제공한다.* 화합물 반도체3 ~ 5족 화합물 반도체로 불리며 주기 ... 반도체 conduction band 처럼 행동하는 특징이 있데 이것을 이용한 것이다.* 실리콘 반도체Si은 전기적 절연성이 뛰어나고 안정된 구조의 자연산화물 (SiO2) 형성이 가능
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.02.22
  • 과불화 화합물의 정의 및 규제현황
    1. 과불화 화합물의 정의 및 규제 현황과불화 화합물(PFCs, Perfluorinated compounds)이란,이름 그대로 지방족 탄화수소에서 플루오르가 다수 치환되어 있 ... 는 화합물들을 뜻하는데, 다음과 같은 물질들이 있다.이 물질들은 기본적으로 굉장히 안정적이라는 특징을 갖고 있으며, 기계적으로 견고하고 발수성(Water repellency)과 내열성 ... 다. 생물체에 장기적으로 축적될 시 암 등을 유발할 가능성이 있다고 보고됨에 따라 이에 대한 관심 또한 증가하고 있는데, 이러한 이유로 과불화 화합물에 대한 규제 및 관리가 시급
    리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.12.02
  • 판매자 표지 자료 표지
    반도체 나노입자(CdS, ZnS)의 분광학적 성질
    해 보는 실험을 진행하였다. 역미셀 용액을 제조 할때에는 AOT 계면활성제를 넣어주었다. AOT 계면활성제는 수분이 함유된 알칼리 금속이온의 화합물로, AOT 분자가 수분과 반응 ... 물리화학실험 결과보고서1. 실험제목: 반도체 나노입자(CdS, ZnS)의 분광학적 성질2. 실험일시:3. 실험 조 및 조원:4. 실험목적: 1) CdS 및 ZnS 나노입자의 합성 ... 하여 형성되는 나노미세 크기의 물방울을 안정화시켜 역미셀이 만들어지기 때문이다. 이후 산소를 제거하기 위하여 질소기체를 넣어 주었다. 만든 역미셀 용액 (w=5. w=10)을 각각
    리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.09.11 | 수정일 2023.09.18
  • 판매자 표지 자료 표지
    태양전지 보고서
    다. 에너지 변환 효율이 떨어지지만 유리에 투명하게 붙어서 사용할 수 있고 유연성이 높은 얇은 판을 만들 수 있다.실리콘 이외의 화합물반도체 재료로 사용되며 박막 태양전지에 많이 사용되는데, 구리, 칼 륨, 카드뮴, 인듐, 비소, 셀레늄, 텔루륨 등의 재료가 사용된다. ... ① 태양전지(Solar battery)태양전지는 태양의 빛에너지를 전기에너지로 전환하는 장치이며, 보통 p형 반도체와 n형 반도 체의 접합으로 되어 있다. 태양전지에서 원자 내의 전자 ... 가 전도띠로 갈 수 있을 만큼의 에너 지를 흡수하면 p형 반도체에는 정공, n형 반도체에는 전자가 생성된다. p-n 접합에서 만들어 진 전기장에 의해 전자는 n형 반도체
    리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.11.25
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    화합물 분자모델링
    방법은 중요한 기술이라고 할 수 있으며 화합물의 물성을 예측한다거나 공정설계를 하는데 있어서 매우 중요한 역할을 하고 있다. 즉 화합물의 물성을 예측하기 위해서는 분자모델링이 필요 ... I. 서론물성의 예측에 사용되는 분자모델링 기법에는 물리적 이론과 실제적 용도에 따라서 구분될 수 있다. 물리적 이론에 근거하여 구분하면 분자역학과 양자역학의 방법이 있다. 분자 ... 분자의 최적 구조를 알아내거나 반응열 계산, 반응 중간체와 메커니즘 규명 등에 활용2) 분자 모사- 다수의 분자들의 물성 또는 거동을 계산하는 방법- 상평형 물성, 전달물
    리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.05.14
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    공업화학 2023년도 국가공무원 5급(기술) 공개경쟁채용 제2차시험 문제풀이
    공업화학2023년도 국가공무원 5급(기술) 공개경쟁채용 제2차시험제 1 문.전자 산업용 반도체 소재에 대한 다음 물음에 답하시오.(총 30점)1)원소 반도체 Si와 화합물 반도체 ... GaAs은 밴드 갭(band gap) 속성과 주된 용도가 다르다. 이에 대해 설명하시오. (14점)2)II-VI 화합물 반도체와 III-V 화합물 반도체의 주요 예를 각각 3개 ... 와 화합물 반도체 GaAs의 밴드 갭 속성과 주된 용도원소 반도체 Si의 밴드 갭은 1.12eV로, 실온에서 전자와 정공이 자유롭게 이동할 수 있는 상태가 된다. 따라서 Si는 도체
    시험자료 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.11.07
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    중앙대 화공 에너지소재설계 기말고사 복기본(2024), 8문제
    .화합물 반도체 태양전지 예시를 들어 설명이원계 다원계에는 뭐가 있고 그 중 뭐가 단결정이고(GaAs)화합물 반도체는 pn 타입 반도체처럼 반도체에 도핑을 하는 것이 아닌 이미 ... 열은 열을 모아 물을 끓여 터빈을 돌리는 것5.감속재의 원리감속재는 중성자의 속도를 감속시키는 거지 원자로의 출력을 감소시키는 것이 아님에 주의6.Photovoltanic ... reaction 설명Pn junction에 태양광이 조사되면 광전효과에 의해 자유전자가 생성되고 이는 n type 반도체로 이동한다. 이 전자들이 외부 회로를 통해 흘러 전류가 흐른다.7
    시험자료 | 1페이지 | 4,000원 | 등록일 2024.06.03 | 수정일 2024.06.05
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