"로그함수 반도체"의 검색결과 입니다.

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"로그함수 반도체" 검색결과 21-40 / 56건

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경희대학교 모두를 위한 물리학 기말 범위 대본 정리 (A+)

확률의 ‘곱’으로 계산해야함= 즉, 정보들은 +(더하기)가 불가능-> 곱하기를 더하기로 바꿔주는 적절한 함수? 로그함수= 정보의 정의=> 볼츠만이 정의했던 ‘엔트로피’와 같은 형태 ... ->전자의 위치는 관측 가능하지 않기 알 수 없다. 행렬만이 우리가 알 수 있는 모든 것이다.- HΨ = EΨ (H: 행렬, Ψ(프사이): 원자의 상태를 나타내는 함수)-> 양자역학 ... 는 모스펫과 충전기의 조합.즉, 오늘날 전자혁명의 핵심 소자는 트랜지스터, 트랜지스터는 P-N접합, P-N접합은 P형 반도체와 N형 반도체, 이런 형태의 반도체들은 반도체의 밴드

시험자료 | 43페이지 | 3,500원 | 등록일 2020.05.06

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품질관리 신뢰성 파트 (척도, 스트레스 분석, mttf, mttr, mtbf, 신뢰도함수, 분포함수, 신뢰도추정, 수명분포)

으로 좌우 대칭인 종 모양 형태를 띤다.[그림10-6] 정규 분포 그래프(4) 대수정규분포 (The Lognormal Distribution)대수정규분포는 로그함수 Y=ln(X ... 방법(1) 신뢰도 함수(2) 분포함수(3) 고장밀도함수(4) 고장률(5) 욕조모양 고장률10.2.3 신뢰도 척도(1) MTTF(2) MTBF(3) MTTR10.2.4 수명 분포(1 ... 분포를 나타내는데 사용된다. 모수 값에 따라 다양한 고장률 함수(DFR, CFR, IFR)를 표현 할 수 있는 장점 때문에, 정규 분포보다 와이블 분포가 많이 사용된다. 와이블 분포

리포트 | 28페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.05.05

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전자회로실험I - 실험 1. 다이오드 응용회로 예비보고서

)와 같이 변형된다.ln(I)= { V} over {nV _{ T} }+ln(I _{ s}) (1.2)따라서, 전류I를 로그함수로, 전압V를 선형함수로 그린 반로그(semilog ... 의 특성을 비교, 이해한다.I. 다이오드 특성1. 이론다이오드는 비선형, 두 단자 반도체소자이다. 두 단자를 cathode(음극, 전자가 나오는 단자), anode(양극)이라고 부른다 ... 이다. 이상계수는 일반적으로 1~2의 값을 갖는다. 포화전류는 매우 작아서 대략10 ^{ -15}A의 값을 갖는다.(식 1.1)을 단순화하고 양변에 로그를 취하면 (식 1.2

리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.04.02

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Function Generator & Oscilloscope의 사용

됩니다. 로그 스윕의 경우에는 함수발생기가 출력 주파수를 로그 형태로 변경합니다.스윕 모드: 선형 또는 로그. 기본값은 선형입니다.전면판 작동: 스윕을 활성화한 후, Linear ... : 시간능 중 Sweep에 대해 조사하시오.스윕모드 : 선형 또는 로그 스페이싱 중 하나로 스윕할 수 있습니다. 선형 스윕의 경우, 스윕을 진행하는 동안 출력 주파수가 선형 형태로 변경 ... 소프트키를 다시 눌러 선형 또는 로그 모드간을 토글하십시오.원격 인터페이스 작동:SWEep:SPACing {LINear|LOGarithmic}스윕 시간 : 스윕 시간은 시작 주파수

리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.04.06

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홍익대학교 기계시스템공학실험 소음측정실험

소음측정 결과보고서Noise Measurement Result Report요 약본 실험은 총 세 가지로 진행된다. 첫 번째 실험은 함수발생기를 이용하여 RMS를 측정하고 이 ... ``pressure(2 TIMES 10 ^{-5} [Pa])음압의 기준치인P _{ref}는 1000Hz의 순음의 가청최소 읍압이다. dB은 로그를 사용하기 때문에 10dB은 0dB보다 10배 크 ... 할 수 있도록 한 측정계기이다.[그림 3] 소음계3) 함수발생기(Function generator)전류계와 전압계에서와 같이 가동 코일형 구동계기를 이용하여 전압, 전류 및 저항 등

리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.23

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고려대, 시립대 신소재,기계,건축공학 편입학 전공면접 대비 자료

농도변화율은 위 값의 2계 편도함수와 같습니다.‘{Partial C} over {Partial t} =D {Partial ^{2} C} over {Partial x ^{2 ... }}’ 라고 표현합니다.픽의 법칙 중에서 시험에 나올만한 개념은 2법칙을 바탕으로 하는 가우시안 오차함수입니다.‘{C _{x} -C _{0}} over {C _{s} -C _{0}} =1 ... .D _{0}는 온도와 무관한 선지수를 의미하고Q _{d}는 활성화 에너지를 의미합니다.Tip. 자연로그 스케일에서 상용로그 스케일로 가고자하면ln=2.3log의 배수로 적용하시면

시험자료 | 8페이지 | 5,000원 | 등록일 2019.12.11

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고려대 재료전자기물성 설계과제

(valence band)에 있는 정공 수보다 훨씬 많으며 전기 전도도는 다음과 같이 주어진다.sigma SIMEQ n LEFT | e RIGHT | mu _{e}그림2.2 p형 반도체 ... 에서의 전자 밴드 모델 (n:자유전자 농도,LEFT | e RIGHT |:전자의 전하량,mu _{e}:자유전자의 이동도)반대로 p형 반도체에서는 불순물이 하나의 정공을 공급하는데 ... 의 자유전자와 정공의 이동도(mobility)가 불순물 농도에 따라서 어떻게 거동하는지를 보여준다. 그림에서 양 축은 상용로그 척도이다. 불순물 농도가 약10 ^{20} `m ^{-3

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.11.28

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전자회로실험1 예비보고서 다이오드 응용회로

제어기의 특성을 비교, 이해한다.실험이론Ⅰ. 다이오드 특성1. 이론다이오드는 비선형, 두 단자 반도체소자이다. 두 단자를 cathode(음극, 전자가 나오는 단자), anode ... 에 로그 (I _{D2} )} ]의 관계에서 I _{D1} =10I _{D2}의 관계를 가지면 위 식의 분모는 1로 변하여 이상계수의 측정이 간단해 진다.역전압이 인가되면 다이오드 ... -V 특성을 볼 수 있다. 테스트는 저항 R을 연결하여 이 저항이 전류의 최대치를 제어하면서 또한 전류를 간접 측정하게 한다. 함수발생기로부터 정현파의 주파수를 수백 kHz와 적절

리포트 | 23페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.09.30

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사이버포렌식 적용 사례에 대한 연구(산업기술유출 전담수사대 사례를 대상으로)

이 전세계적으로 산업화ㆍ조직화되고 있으며 산업전쟁의 시대와 맞물려 각 기업들은 내ㆍ외부자에 의한 산업기술유출 문제로 골머리를 앓고 있는 것이다. 우리나라도 예외가 아닌데. 반도체 ... 들은 반도체ㆍLCD 등 일부 국가핵심기술의 경우 다양한 경로의 유출을 통해 중국 등 후발주자들과 기술 격차가 크게 줄어들었다고 분석하고 있다.이러한 산업기밀은 다양한 경로로 유출 ... 이 되고 있다. 2010년 국내 반도체제조회사 C사에 반도체 장비를 납품하는 협력업체 D사는 애프터서비스를 빙자해 영업비밀서류를 절취하거나 친분을 이용해 C사의 영업기밀을 빼내는 수법

리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.06.03

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스트레인게이지 예비보고서

여 얻은 관측값으로부 터 관측하지 않은 점에서의 값을 추정하는 경우나 로그표 등의 함수표에서 표에 없는 함수값을 구하는 등의 경우에 이용된다. 가장 간단한 방법으로서는, 변수를 x ... (x)를 근사적으로 나타내는 식에 의하여 구 할 수 있다. 이것이 간단한 보간공식인데, 비례부분 또는 선형보간이라고 한다. x0,x1을 로그표나 삼각 함수표에서와 같이 그 사이 ... 분류 - 저항선게이지, 저항박게이지, 반도체게이지, 증착게이지·기본재료에 의한 분류 - 이클라이트게이지, 애폭시게이지, 폴리에스테르게이지, 폴리아미드게이지·형상에 의한 분류 - 단축

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.06.24

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스트레인게이지,부착법,휘스톤브릿지,푸아송비report

나 로그표 등의 함수표에서 표에 없는 함수값을 구하는 등의 경우에 이용된다. 가장 간단한 방법으로는 변수를 x좌표, 그 변수에 대한 이미 알고있는 함수값을 y좌표로 하는 점 ... 미 게이지(dummy gauge)라고 한다. 4게이지법은 가장 안정되고 감도가 뛰어나므로 변환기에서 많이 이용되고 있다.(fig - 8 게이지 연결법)1.10. 반도체 스트레인 ... 게이지반도체(semiconductor) 스트레인 게이지는 일반적으로 실리콘(silicon)의 단결정에서 만들어지면 보통 금속보다 가볍다. 1940년에 게르마늄(Ge), 실리콘

리포트 | 12페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.04.15

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전자회로실험1 결과보고서 실험 1. 다이오드 응용회로

=(입력전압-0.7)/100(R) 이다.(2) 전류 - 전압의 관계를 준로그 함수로 그래프를 그리면 직선으로 표시됨을 확인하시오.(3) 직선을 기울기를 계산하시오.시뮬때처럼 로그 ... 가 급격히 증가하는 모습을 보인다. 우리는 이론과 실험을 통해 저 특정 전압이 0.7V라는 것을 배웠다. 전류를 로그취한 값을 표시하고 기울기를 구했다면 다이오드의 특성인 이상계수 ... 를 구할 수 있다.이상계수 n=준로그 함수 기울기의 역수/25mV(4) 제너 다이오드에 대해 위 실험 단계 (1)을 역전압 동작 영역에서 반복하시오. 전류- 전압 결과로부터 제너

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.09.30

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경북대학교 전자공학실험2 올A+ 예비보고서 1장 (복사실 판메제안 받은자료)

단자에 존재하는 전압이 시간의 함수로서 변한다면, 2개의 커패시터 평판에 축적된 전하도 분극정도가 시간에 따라서 변하는 전기장의 함수이기 때문에 변할 것이다.커패시터의 구조/ 회로 ... 에 가전제품은 일단 이 교류를 직류로 바꾸어 주어야 한다. 교류를 바꾸어 주는 장치를 ‘정류’라고 하고 이것은 다이오드라는 반도체를 이용한다. 교류를 정류하면 음의 파형부분만 뒤집 ... 면서 열과 전자기파로 에너지가 방출된 것이라 생각된다.7. 오일러 상수 e에 대하여 고찰하라.오일러 상수 e 는 자연로그의 밑이 되는 수이며,e=lim _{n -> INF } (1

리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.11.03 | 수정일 2022.03.28

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전전컴설계실험1-5주차예비

을 수행)L = 7HC = 23.9mFR = 6Ω, 8.57 Ω, 10.5 Ω(2)Materials of this Lab-Function Generator(함수발생기) ... mode 반도체 및 비선형 전원의 바이어스 포인터데이터의 저장유무를 선택한다.AC sweep1. AC Sweep 해석AC 해석은 입력주파수를 변화시켜 가면서 회로시스템에 대한 주파수 ... 선도, 임피던스 해석이 있다.2. Noise 해석회로 내에 사용하는 저항과 반도체 소자는 주파수에 영향을 받는 노이즈를 발생시키는데 이러한 발생노이즈에 대해 해석하려면 교류해석

리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.03.28 | 수정일 2014.04.15

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[반도체소자]전자와 정공의 농도

와 정공의 농도는 온도가 증가함에 따라 지수 함수적으로 증가할 것이다.Ⅰ.서론반도체의 전기적 성질과 전자 소자의 동작에 대한 정확한 분석을 하기위해선 전자와 정공의 농도를 아는 것 ... onstant (8)여기서 W를 최대화 하지 말고, ln W를 최대화 하여변수와 함께 일정 하게 변하는 로그 함수의 성질을 이용한다(9)위의 항들을 단순화하기 위해, 큰 수의 계승 ... 전자와 정공의 농도Electron and Hole Concentrations요 약반도체의 전기적 성질과 전자 소자 동작에 대한 정확한 분석을 위해서는 그 물질의 cm당 전하캐리어

리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.12.19

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pn접합다이오드및제너다이오드

는 P형과 N형 반도체의 접합으로 구성되어 있으며, 전류를 한쪽으로만 흐르게 하는 소자이다. 다이오드는 순방향으로 전압을 인가하면 소자가 켜지면서 저항이 작아지고, 역방향으로 전압 ... 미터●오실로스코프●함수 발생기●1N4004●1N4733●저항●커패시터1.1 배경이론다이오드는 극성 소자로서 양단에 걸리는 전압에 따라 전류 특성이 변하는 비선형 소자이다. 다이오드 ... }는 스케일 전류를 의미하며, 다이오드의 단면적에 비례하는 양이다. 보통 값이 10 ^{-15}A 정도이며, 온도의 함수로서 5℃마다 두 배씩 증가한다. 식 (1.1)에서 V _{T}는 열

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.11.11

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14장_예비보고서

된다. 이를 사용하면 어떤 시간에서의 진폭과 그보다 한 주기 후의 진폭의 비에 대한 자연로그로 구할 수 있다.3. 실험장치1) 반도체 가속도 센서(모델 번호 : MMA1270D)2 ... 과 더불어 줄어드는 현상이다.- 예를 들면 단진동을 하는 질점에 그 속도에 비례하는 제동력이 작용하면, 이 단진동의 진폭은 지수 함수적으로 감쇠한다. 이와 같은 진동을 감쇠진동이라 한다 ... . 탄성진동에서는 마찰이나 저항이 제동력이 되며, 전기진동에서는 줄 열이나 전파의 복사 등이 제동력이 되어 감쇠진동이 일어난다. 감쇠속도를 나타내기 위해서는 로그감쇠도가 사용

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.10.10

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광섬유 증폭기 실험

었다. 또 EDFA의 증폭 이득 특성을 측정하는데 있어 입력 광신호를 고정시키고 Pump LD의 전류를 높여주면 출력값이 로그함수 꼴로 증가함을 알 수 있다. 이는 전류값을 한없이 ... 음을 확높여주면 출력값이 로그함수 꼴로 증가함을 알 수 있다. 이는 전류값을 한없이 높인다 하여도 출력값은 조금씩 증가할지 모르지만 그 효율에 있어서는 썩 좋지 않음을 알 수 있 ... )는 광신호를 전기 신호로 변환하지 않고 광의 레벨 그대로 증폭 작용을 하는 광증폭기로, 특히 광섬유를 증폭 매체로 한 것. 광증폭기에는 반도체 레이저를 증폭 매체로 한 형식도 있

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.05.09

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14장_결과 보고서

를 나타내기 위해서는 로그감쇠도가 사용된다. 이를 사용하면 어떤 시간에서의 진폭과 그보다 한 주기 후의 진폭의 비에 대한 자연로그로 구할 수 있다.3. 실험장치1) 반도체 가속도 센서 ... oscillation)- 진동계에서 진폭이 시간과 더불어 줄어드는 현상이다.- 예를 들면 단진동을 하는 질점에 그 속도에 비례하는 제동력이 작용하면, 이 단진동의 진폭은 지수 함수적으로 감쇠 ... 다. 감쇠진동의 시간에 대한 진폭 함수는함수와 sin함수의 곱으로 sin함수가 일정하게 감소하는 형태로 나와야 한다. 실험 그래프를 통해 확인해 본 결과 부족감쇠 그래프를 그리는 것

리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.10.10

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dB의 정의 및 종류, 어원 조사

) 그 자체가 아니라, 강도의 로그값에 비례하는 것이 dB표시를 하는 이유이다.2. dB의 정의1) 일반적 정의← 전력과 음성의 레벨이 상호 대수적 관계임P1 : 기준 신호의 전력 ... , receiver, spectrum analyser, wattmeter, 변조도계, 주파수편차 등이 하나의 측정기 내에 장치되어 있는 계측장비)등에서 주로 사용이 되고 있으며, 반도체의 규격 ... 을 밑으로 하는 로그로서 b=log10N, N=10b으로 나타낸다.4. 음성 통화 회선의 평가 잡음 측정 단위1)- dBrn (reference noise)은 기준 전력레벨

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.06

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