스트레인게이지,부착법,휘스톤브릿지,푸아송비report

목차

1. 스트레인게이지 [ strain gage ]
1.1. 스트레인게이지
1.2. 스트레인게이지 구성
1.3. 스트레인게이지 형식명
1.4. 스트레인게이지 종류
1.5. 열출력이란?
1.6. 게이지율.
1.7. 스트레인 게이지 예.
1.8. 스트레인게이지 부착법.
1.9. 스트레인게이지 연결법
1.10. 반도체 스트레인 게이지

2. 휘스톤 브릿지.
2.1. 휘스톤 브릿지
2.2. X (미지의 저항) 저항 측정법
2.3. 휘스톤 브릿지 원리.

3. 보간법
3.1. 보간법 (Interpolation) 개념
3.2. 보간법 종류
3.3공간 보간법 (GIS, Geographic information system Interpolation)

4. 푸아송비.

본문내용

1. 스트레인게이지 [ strain gage ]
1.1. 스트레인게이지
구조체의 변형되는 상태와 그 양(量)을 측정하기 위하여 구조체 표면에 부착하는 게이지. 스트레인게이지를 설명하기 위하여 먼저 스트레인을 설명하기로 한다.
스트레인은 변형도(變形度) 또는 변형률(變形率)을 나타내며, 어느 물체가 인장 또는 압축을 받을 때 원래의 길이에 대하여 늘어나거나 줄어든 길이를 비율로 표시한 값을 일컫는다.
따라서 스트레인은 단위를 갖지 않으며 굳이 단위를 표시하려면 cm/cm, mm/mm 등으로 표시할 수 있다. 이 스트레인은 주로 토목공학 ·기계공학 ·건축공학 ·항공공학 ·조선공학 등 구조물이나 기계요소의 해석과 설계를 다루는 분야에서 이들 구조요소가 외부의 힘을 받아 변형이 발생할 때에 사용되는 용어이다.
1.2. 스트레인게이지 구성
1) Grid linis
2) Grid Length
3)End Loops
4) soler Tabs
5)Backing
6) Encapsulation
(fig -1 strain gage 구성)
1.3. 스트레인게이지 형식명
(fig -2 스트레인게이지 형식명)
Grid 재질 : constantan (A) , Krama
Backing 재질 : Polymide (E or P), Phenol(B), Eplxi
S-T-C no : Steel(11), Aluminum(23)
Grid 길이 : 3000㎛(30), 2500㎛(25)
Gage 형태 : Linear(S), Tee Rosette(T), Element Rosette(R), Diaphram(D), Tee Rosette stacking(TS), Element Rosette Stacking(RS)
Gage 폭 : Same with length(S), Wide(W), Narrow(N)
저항 : 120Ω, 350Ω, 1000Ω, 2000Ω
Option : Encapsulation S/G(E), Lead Wire Attached S/G(L), Cable Attached S/G(C).

참고 자료

없음