"전자회로실험1"의 검색결과 입니다.

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"전자회로실험1" 검색결과 341-360 / 15,241건

전자회로실험1 결과보고서 실험 11. MOSFET CS, CG, CD증폭기

전자회로실험1 결과보고서실험 11. MOSFET CS, CG, CD증폭기1) CS Amplifier(1) 의 회로를 구성하시오.V _{DD} =15V,```R _{D} ``=`5 ... 기록하시오.(8) R _{D}의 값을 5㏀로 변화시켜 주어 위의 실험 5)~7)을 반복하시오.실험을 위한 회로이다. 다른 실험조 인원이 커플링 캐패시터를 0.1uF으로 하면 낮 ... 하시오.실험의 회로에서 책의 회로대로라면 트랜지스터가 포화상태로 들어가지 못하고 컷오프 영역에서 동작하기 때문에, 적절한 DC게이트 전압을 설정하기 위해 지난번 실험 결과를 바탕

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.09.30

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실험 11. MOSFET CS, CG, CD증폭기 (전자회로실험1 예비보고서)

전자회로실험1 예비보고서실험 11. MOSFET CS, CG, CD증폭기실험 목적MOSFET은 BJT와 마찬가지로 3개의 단자를 가지고 있기 때문에 이 3개의 단자를 각각 입 ... }}를 의미한다.실제 실험에서는 CS amplifier 회로를 구성할 때, V _{DD}와 접지사이에 분배저항 R _{G1}, R _{G2}를 이용하여 전압을 분배하여 원하는 전압 ... 위해 정전용량 C 값이 큰 캐패시터를 입력단과 출력단에 연결한다. 그 결과 그림 3과 같은 회로를 얻게 된다. 입력 ac 신호가 연결된 곳에 있는 C _{C1}은 ac 신호

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.09.30

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[전자회로실험]1.Diode Characteristics

예비실험보고서(CHapter1. Diode Characteristics)1. Diode Characteristic? 다이오드와 저항 사이의 전압차? PSPICE 결과1kΩ 저항 ... 된 전압은 모두 다이오드에 인가되는 것을 확인 할 수 있다.? Zener Diode- 역방향 바이어스? PSPICE 결과- 순방향 바이어스? PSPICE 결과? 실험 10 (그림 1 ... -7)? PSPICE 결과? 고찰PSPICE를 통해 미리 실험결과를 예측해 보았다. 먼저 다이오드의 특성을 이용한 실험의 경우는 다이오드와 저항이 있는 회로에 AC전압을 인가

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.13

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전자공학실험1 - Transistor의 응용 회로 실험 1

에서는 트랜지스터를 이용하여 소신호 증폭하는 방식을 완전히 이해하고, 실험을 통하여 살펴본다.1. Single Stage Common Emitter BJT Amplifier위의 회로 ... 는 기본적인 Common Emitter Amplifier 이다. a) 위의 회로에서 V_CC값을 10V, V_BB 값을 1V로 정한다. 앞의 실험에서 Q2N4401의 소자의 특성 ... 에 Base 단으로 흘러들어가는 Current는 얼마인가? 먼저 지난 4번째 실험에서 얻어낸 결과 값을 이용하였다. 위의 회로는 지난 4번째 실험에서 이용한 회로로 v1과 v2의 값

리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.10.17

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[기초전자회로실험1] "Verilog HDL을 이용한 로직게이트 설계 및 FPGA를 통한 검증 (NAND2, NOR2, XOR2)" 결과보고서

1Result report Electronic Engineering기초전자회로실험1Verilog HDL을 이용한 로직게이트 설계 및 FPGA를 통한 검증 (NAND2, NOR2 ... , XOR2)자료는 실제 실험을 바탕으로 작성되었으며,보고서 평가 A+기초전자회로실험1 과목 A+받은 자료입니다.1. 실험제목Verilog HDL을 이용한 로직게이트 설계 및 ... 를 지원하는 Vivado 프로그램에서 HDL을 이용해 원하는 회로를 구성하고 이를 FPGA보드를 통해 실현할 수 있는 프로그램을 통해 실험하고 확인하였다. HDL를 이용해 게이트

리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.03.18 | 수정일 2019.03.29

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[기초전자회로실험1] "Verilog HDL을 이용한 로직게이트 설계 및 FPGA를 통한 검증 (NAND2, NOR2, XOR2)" 예비보고서

1Preliminary report Electronic Engineering기초전자회로실험1Verilog HDL을 이용한 로직게이트 설계 및 FPGA를 통한 검증 (NAND2 ... , NOR2, XOR2)자료는 실제 실험을 바탕으로 작성되었으며,보고서 평가 A+기초전자회로실험1 과목 A+받은 자료입니다.1. 실험제목Verilog HDL을 이용한 로직게이트 설계 ... 및 FPGA를 통한 검증 (NAND2, NOR2, XOR2)2. 실험목적① Hardware Description Language(HDL)을 이해하고 그 사용방법을 익힌다

리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.03.18 | 수정일 2019.03.29

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[전자회로실험]설계1예비, C측정회로

다.? 커패시터를 변화시키면서 측정1. 그림의 회로를 구성한다. 이때, 저항값은 R2, R3 = 10kΩ, 저항값 R1은 100kΩ로 고정한다.※ 이번 실험에서는 앞의 실험에서 저항값 ... 를 사용한 회로를 여러개 배웠었다. 이 중에 사각파 발생기를 선택하여 실험 부품에 해당하는 주기를 찾아 역으로 계산하여 커패시터 값을 계산하여 임의로 연결하여 값을 몰랐던 원래 ... 의 커패시터 값이 실험 계산 결과 나온값과 같은지 비교하면서 설계를 해보겠다. 그러한 과정에 필요한 공식을 간략히 정리 해 보겠다.※ 옆의 회로를 기준으로 설계를 할 것이데 여기

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.10

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아주대학교 전자회로 실험 설계1.C 측정회로 예비

설계 1.1. 실험 목적지금까지 실험한 회로들이나 직접 구현한 회로를 통해 capacitor를 측정하는 회로를 구현하고 실험을 통해 직접 capacitor의 크기를 측정, 계산 ... 한다.2. 실험 이론각각의 전자/전기 부품의 수동소자 값을 측정하는 것은 회로내의 동작 및 각 소자의 특성분석을 위한 기초가 된다. 교류회로에서 임피던스 특성의 일반적 개념 이해 ... 소자를 값을 측정하는데 필요한 매우 중요한 고려사항이 된다.임피던스는 전자 회로에서 재료, 구성체 등의 특징을 규정짓는 데 사용되는 기본적인 전기요소다. 이것은 또한 디바이스

리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.12.05

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아주대 전자회로실험 설계 1. C 측정회로 설계 결과

적분기보다 안정적이기 때문에 선정하였다.이론위 회로는 앞의 전자회로 실험에서 사용하였던 삼각파 발생 회로이다. 이 회로에서 발진 주파수를 구하는 공식은f _{0} = {1 ... Hz1.04 uF오차율4%3. 고찰이번 설계 과제는 C값을 측정하는 회로를 설계하고 시뮬레이션과 직접 실험을 통해 C값을 정확히 측정해 낼 수 있는 회로를 설계하는 것이다. 이번 ... 설계 1. C 측정회로 설계1. 설계 회로삼각파형 발생기를 사용한 C 측정회로선정 이유앞에서 다루었던 회로 중 슈미트트리거와 적분회로를 함께 사용한 삼각파형 발생기를 사용

리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.12.05

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전자회로 실험 및 설계1 Lab4(Switch 제어 프로그램 작성)

실험1) 스위치 1을 누르면 모든 LED가 켜지고, 떼면 모든 LED가 꺼지는 프로그램을 작성하시오.#include void delay ... (unsigned int ); // 시간 지연 함수 선언void main(){ while(1 ... ) // 무한 루프 형성 {P1_0=0; // 0번 스위치 0으로 초기

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.11.25

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[콜렉터 공통 증폭기 및 다단 증폭기 특성] 청문각 3학년 전자회로 실험 예비 레포트 1학기 때 A+받은 실험레포트

2018년도 응용전자전기실험1 예비보고서실험 9. 콜렉터 공통(에미터 팔로워) 증폭기및 다단 증폭기 특성제출일: 2018년 5월 1일분 반학 번조성 명1. 목 적(1) 콜렉터 ... _{1}은 직류 베이스 바이어스 회로와 변압기를 통한 small signal을 분리시키는 데 사용된다. 베이스 바이어스 회로는 전원전압V _{CC}로부터 두 개의 저항R _{1 ... 째 변압기T _{2}는 첫 번째 증폭기의 출력 즉Q _{1}의 콜렉터 신호를Q _{2}의 입력, 즉 베이스로 연결한다. 두 번째 증폭기 단의 구성회로는 첫 번째 증폭기 단의 구성

리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2018.05.01 | 수정일 2023.01.17

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전자회로실험 설계1 함수발생기 설계보고서

) 주어진 규격을 만족하는 함수 발생기를 설계한다.2. 설계 이론1. 발진 조건증폭기와 달리 외부에서 인가된 신호 없이 회로 스스로 출력전압을 발생시키는 회로를 발진기 ... 하고 귀환회로의 귀환이득을 β(f)라 할 때, 다음과 같은 조건을 만족하면 회로가 발진한다. 『A(f)β(f)=1』증폭기의 이득과 귀환이득의 곱인 A(f)β(f)를 루프이득 ... 는 주어진 부품 사용(2) 다음의 발진주파수일 때저항값을 구한다.발진주파수 (Hz)1 nF10 nF1 kHz1015 kHz50510 kHz10010= 그림 1-11의 회로도를 토대

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.25

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전자공학실험1 실험 5장 결과보고서 : 다이오드 정류회로

-전자공학실험1 결과보고서-5장 다이오드 정류회로실험날짜 : 2012년 4월 13일 금요일제출일자 : 2012년 4월 20일 금요일담당교수 :조원 :이름 :5.1 실험목적- 반파 ... 정류회로와 전파 정류회로 실험을 한다. 전파 정류회로와 IC 7805를 결합하여 논리회로 전압인 5V DC를 만든다.5.2 내용5.2.1 반파 정류회로(그림 5.1)1) 반파 ... 정류 회로인 [그림 5.1]를 구성한다. 부하저항은 정격전력이 1/4W인 RL=4.7㏀을 사용한다. 오실로스코프는 DC 결합 모드로 둔다.는 CH1에,은 CH2에 연결한다2) 함수

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.01.31

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전자공학실험1 실험8장 결과보고서 : MOSFET 증폭회로

-전자공학실험1 결과보고서-8장 MOSFET 증폭회로실험날짜 : 2012년 5월 18일 금요일제출일자 : 2012년 5월 25일 금요일담당교수 :조원 :이름 :8.1 실험목적 ... 동작점의 이동으로 인한 출력 신호 파형의 변화를 실험으로 관측한다.8.2 내용1) 신호 발생기의 출력 신호를 주파수가 10㎑이고 진폭이 100㎷인 정현파로 조정하여라. 그리고 ... 출력은 200㎷/div이다. 입력과 출력의 파형이 180° 차이가 나는 것을 볼 수 있으며, 진폭은 약 4배 차이가 난다.cf) 연습문제 1번실험 3에서 입력 신호를 관측하는 채널

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.01.31

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전자회로실험1 결과보고서 실험 13. MOSFET 공통소스 증폭기 주파수 특성

전자회로실험1 결과보고서실험 13. MOSFET 공통소스 증폭기 주파수 특성실험결과실험Ⅰ. 전류 소오스를 부하로 사용한 능동 부하 MOSFET 공통 소오스 증폭기1) 회로의 구성 ... 가 된다. 오실로스코프를 이용하여 입력과 출력 전압을 모니터하며 만약 필요하다면 DVM으로 더 정확한 측정을 한다.R _{B}=100kΩ사용해서 구성한 실험 회로이다.전류는 35uA ... 면서 클리핑이 일어나지 않는 범위로 증폭기 실험을 진행한다.XY출력 기능을 사용해서 본 모습이다. 축의 한칸이 1V인 것을 볼 수 있으므로 출력이 2.5Vdc로 나오게 하는 게이트

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.09.30

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전자회로 실험 1장 수동소자의 주파수 특성

실험예비 보고서실험조: 학번: 이름:실험제목 : 수동소자의 주파수 특성1. 실험 목적저항기(R), 인덕터(L) 및 콘덴서(C)의 주파수 특성을 살펴본다.회로가 주파수에 따라 특성 ... 4. 실험 방법 및 순서1. 저항의 주파수 특성(1) 회로를 브레드보드에 구성한다.(2) 파형발생기로 진폭 1V의 사인파를 발생시키도록 한다.(3) 오실로스코프의 CH1을 회로 ... ) 위에서 구한 전류 I와 전압 V2로부터를 이용하여 임피던스을 기록한다.실험결과 보고서실험자: 학번: 이름:실험 일시:실험제목 : 수동소자의 주파수 특성1. 실험 회로도1. 저항

리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.03.26

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전자회로실험1 예비보고서 실험 13. MOSFET 공통소스 증폭기 주파수 특성

전자회로실험1 예비보고서실험 13. MOSFET 공통소스 증폭기 주파수 특성실험 목적-능동 부하를 가진 공통 소스 증폭기의 특성을 측정하며 또한 저항을 부하로 하는 수동 또는 ... MOSFET 공통 소오스 증폭기1) 회로의 구성- 과 같은 회로를 구성한다. 부하는 전류 소오스인 M2, M3 트랜지스터에 의해 구성되며 저항 R _{B}=100kΩ을 사용 ... -30mV, peak-to-peak)의 주파수 f=1kHz인 삼각파로 설정하여 입력 V _{IN}에 연결한다. 함수 발생기의 DC 전압은 위 실험 2)에서 얻은 값을 사용한다. 함수

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.09.30

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서강대학교 고급전자회로실험 1주차 결과보고서

고급전자회로실험실험1. 결과보고서제 출 일 : 2012. 09. 12.학 과 :성 명 :실험 1. MOSFET 기본 특성분반학번이름조1. 실험 결과실험 1.1[1.1] VDS ... .25.1811.6319.5431.1645.8163.79표 1-1 실험 회로 1의 VGS 변화에 따른 IDS 측정 값그림 1-1 IDS-VGS 특성 그래프Vthn = 1.4 V[1 ... .50.188.0332.2671.855.00.38.4134.1273.26표 1-2 실험 회로 1의 VDD 변화에 따른 IDS 측정 값그림 1-2 IDS-VDS 특성 그래프[1.4

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.12

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서강대학교 고급전자회로실험 1주차 예비보고서

고급전자회로실험2주차 예비보고서제 출 일 : 2012. 09. 05.학 과 :성 명 :1. 예비 보고 사항(1) NMOS와 PMOS의 세 가지 동작 영역을 설명하고, 각 동작 ... 내용대로 모의실험하여 보고하시오.실험 1. 회로도 및 시뮬레이션 결과회로도(0~2.1V)(1.4~2.0V,0~1.0V)(1.4~2.0V,1.0~5.0V)드레인 전압을 고정 ... 의 기울기를 가지게 된다. 이것을 Channel length Modulation이라 한다.2. PSPICE SimulationPSPICE 시뮬레이션을 통해 실험절차 및 결과보고에 나온

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.12

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전자공학실험1 - Transistor의 응용 회로 실험2

1. Single Stage Common Source MOSFET Amplifier위의 회로는 기본적인 Common Source Amplifier 이다.1) 위의 회로에서 v_s ... ig를 인가하지 않은 경우에 대해서 Vout 이 4~5V 가량이 되도록 R_D 값을 결정하시오. 실험을 통해 Vout 값을 측정하시오.위와 같이 회로를 구성하고 예시 시뮬레이션 ... 다. 그러므로 R_D값을 5kΩ로 정하고 실험을 진행하도록 하겠다.2) 위에서 결정된 R_D값을 가지고 Common Source Amplifier를 구성한다. 그리고 v_sig에 1kHz

리포트 | 19페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.10.17

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