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diffusion공정 반도체 공정 DIFFUSION 공정 TCAD cvd 기체흡수 결과 기체흡수실험 cmos 공정
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"diffusion공정" 검색결과 321-340 / 859건

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    [전자소자] 반도체 확산공정
    확산공정(Diffusion)김서진확산공정Motivation intentional impurity diffusion unwanted impurity contamination ... diffusion process in which silicon atoms are displaced into interstitial site.확산공정(Continue)(a ... aal Model for Diffusion간단한 일차원의 확산 공정 : 확산에 대한  Fick's first law :  Fick's second law : 여기서 D는 위치
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    | 리포트 | 28페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.05.23
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    [화학공학실험]발광박막의 제조 및 PL분석
    발광박막의 제조 및 PL분석1. 실험 목적가. 발광특성이 있는 물질을 사용한 간단한 발광박막의 제조를 통하여 박막재료 제조 공정의 이해를 돕는다.나. 광학적인 재료분석기법 중 ... 된 기판과 시료를 넣는다.3) RP(rotary pump)와 DP(diffusion pump)을 사용하여 chamber 내의 진공도를 10-5～10-6 torr로 유지시킨다.4) 박막
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    | 리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2016.03.07 | 수정일 2020.08.01
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    반도체 공정 파이널 레포트
    0. 산소가스를 사용한 실리콘 기판의 건식 산화에 있어서 다음의 공정 파라미터가 산화율에 어떻게 영향을 미치는가에 대하여 원인과 현상을 서술하시오.z) 기판의 결정방향이 (100 ... , 방향의 웨이퍼는 웨이퍼에 비하여 산화막이 두껍게 형성되고, 표면에 밀도가 더 높아서 치밀한 격자구조를 띈다.예전에는,방향이 diffusion이 빠르기 때문에 많이 썼는데, 요즘 ... )의 대체적인 범위를 각각 기술하시오.초고진공 :~, 고진공 :~, 저진공 : 759~, 대기압 : 760torra) 반도체 공정 시스템에서 진공을 이용하는 이유를 4가지 이상 설명하시오
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    | 리포트 | 41페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.11.11
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    하수처리장 설계
    의 Aeration 기능이 가능하다.?높은 산소전달 효율로 처리성능의 최대화?부상(Floating)과 침적(Fixed Grid) 방식으로 설치가능?디퓨져의 막힘장해가 없고 기공의 오염 ... ) 소 요구량산소전달율 10%로 가정최종 탄소성 BOD, 즉에 기초한 산소요구량을 계산한다.유입수 최종중 공정내에서 처리된 양을 계산한다.처리된량 =유출수내의 용존농도를 추정 ... .5mg/ℓ처리효율 E를 결정용해성에 대한 처리효율전체 공정에 대한 처리효율Eoverall◈ 산소요구량=총소모량 - 1.42? 하루 슬러지 생산량 (Px)공기중의 산소함량이 무게비
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    | 리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.03
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    프라임타워
    각층마감 주차장 Crack 보수설 비F.C.U. 및 배관 급수, 급탕강당 F.C.U. Duct 12층 횡주관 지하1층 및 1층 Duct 스프링쿨러 신설Diffuser S/P ... Curtain Wall – 6,147㎡ 2) 철거 방법 Curtain Wall 공사 설치공정과 연계하여 5개층 단위로 철거한 후 안전로프 및 방풍막 설치 3) 철거 순서 내부 조적벽체 ... CURTAIN WALL외벽 마감용 Curtain Wall과 복합판넬 설치 공정으로 Critical Path(최장경로)에 해당 현장 공기단축을 위한 Unit공법 채택 무비계공법으로 철거
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    | 리포트 | 32페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.05.17
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    웨이퍼 프로세스를 구성하는 기술
    .1) 확산 (diffusion)웨이퍼 표면에 열에너지를 이용하여 불순물 원자를 표면 내로 주입시켜서 불순물 층이 형성되도록 하는 공정을 확산 (diffusion) 이라고 한다.2 ... . 이들의 기본 프로세스 상호의 관계는 사진 식각 기술과 에칭 기술을 여러 번 수행하면서 확산, 이온 주입, 산화, CVD, 증착 등의 공정이 반복적으로 수행되어 소자를 만들게 된다 ... ) 이온주입 (ion implantation)이온 주입이란 원자 이온에 목표물인 고체 표면을 뚫고 들어갈 만큼의 큰 에너지를 공급하여 이온을 고체 내에 주입하는 공정을 말
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    | 리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.25
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    [계면화학] 계면 및 콜로이드 계에 관련한 중요 분석 기법
    Research,Vol.50, No.4, 654-658, 2012연속공정에서 고체흡수제의 입자분석을 통한 재생반응기 주입 수분량에 따른 CO2 회수효율 영향 분석Analysis of CO ... Process by using Sorbent Analysis이도영, 김기찬, 박영철, 한문희, 이창근본 연구에서는 두 개의 기포유동층반응기로 구성된 연속공정에서 고체 흡수제의 입자 ... . Operational conditions, such as overlapping between elution curves and diffusivities of solutes, were
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.02.19
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    벤조산이나 실리실산 재결정 - 예비
    onvective mixing)과, 여러 개의 입자 또는 성분이 작게 교체해 가는 미시적인 확산 혼합(diffusive mixing)으로 나뉘고, 따라서 균일도도 거시적인 것과 미시적인 ... 여과기: 일반적으로 처리량이 적은 특수공정에 사용된다. 다공성 금속을 사용한 고압여과기, 유리섬유 충전층(充塡層)을 여과재로 하는 가압여과기, 여과지를 사용하는 진공여과기 등이 있
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    | 리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.03.23
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    얇은막 크로마토그래피(chromatography) 실험예비보고서[A+]
    과 고정상과의 작용 정도를 결정하는 역학 및 열역학적 공정을 포함한다. 두 번째 현상은 diffusion과 같이 분석 시료들의 분리 효과를 감소시키고 결국 비이상적인 거동을 발생 ... 에 의한 분리 공정은 두 종류의 현상이 동시에 발생하여 각각의 분석 시료의 작용에 영향을 미치고 결과적으로 성공적인 분리 공정에 상당한 영향을 미친다. 첫 번째 현상은 흡착 ... , partition, 이온 교환, 이온 짝짓기, 그리고 분자 배제 등과 같은 것들이 크로마토그래피 공정에 있어 기본적인 메카니즘들에 속한다. 이러한 메카니즘들은 각 분석 시료의 이동상
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.11.26
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    [유체공학실험] 오리피스및벤츄리실험
    에 디퓨져 부분을 제거한 형상과 같게 된다. 벤츄리미터에서 디퓨져 부분은 가능한 한유체의 에너지손실을 적게 하는 역할을 한다. 하지만 노즐에서는 벤츄리미터처럼 확대되는 부분이 없 ... 손실이 적게 하기 위하여 유로가 완만히 수축, 확대되도록 설계되어 있다. 일반적으로 약 20˚각도의 원통형 축소부와 길이가 짧은 확대 원통부분 5-7˚전도의 원통형디퓨저로 구성 ... 되어 있으며 이들의 각 중심이 동일 직선 상에 위치하도록 설계되어 있다. 벤츄리미터는 다른 유량계들에 비하여 경계층의 박리가 심하지 않으므로 에너지 손실이 적으나 제작 공정이 노즐
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.10.29
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    확산에 의한 물질전달
    steady-state diffusion→ 대부분의 물질전달 공정에서 시간이 경과함에 따라 경계(boundary)의 한가지 는 변화할 수도 있다. 확산경로의 길이가 오랜 시간 ... , Diffusion)이 일어나는 원인에는 농도 구배, 활동도 구배, 압력 구 배, 온도 구배 등 여러 가지가 있다. 그 중에서 우리는 대기압하에서 증발액체의 온도에 따른 확산을 실험 ... 을 통하여 알아보고 그 개념을 이해한 후 확산계수(擴 散係數, Diffusion Coefficient)를 구해보자. 그리고 그것을 이론치와 비교하는 것 이 실험의 목적이다고 할 수 있
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    | 리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.16
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    BLU(Back Light Units) 의 원리
    가 전면으로 향하는 곳이다. 실제로 광의 경로는 매질의 변화가 있어야만 일어나기 때문에 도광판 안에서는 경로 변경은 없다. 이를 위해서 별도의 공정이 필요한데 바로 이것이 LGP ... 2 등의 고반사 코팅제를 주로 코팅한다.(4) 광확산▷ 확산 시트 (Diffuser Sheet)확산시트는 아래 그림 (A) 와 같이 Polymer 재료를 기본으로 하고 양면에 수
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    | 리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2015.06.12
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    단결정실리콘 태양전지의 원리 구조 공정 어플리케이션
    C- si 단결정실리콘 태양전지목차 (Content) 1.C-si 단결정실리콘 태양전지 원 리 2.C-si 단결정실리콘 태양전지 구 조 3.C-si 단결정실리콘 태양전지 공정 4 ... Cell 태양전지 개발 초기에 표면을 피라미드 모양으로 에칭 . 빛의 반사율을 줄이는 표면조직화하는 공정 사용 . 이 효과는 빛의 반사도를 줄여 실리콘 내부로 빛이 비스듬히 들어오 ... 에는 리소공정을 이용 . 전면전극과 실리콘 기판이 직접 접촉이 된다 . 후면의 알루미늄을 금속전극을 직접실리콘에 형성하는 구조가 된다 . 효율 - 20.8% 이상PERC
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    | 리포트 | 71페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.05.26
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    재료공학실험-재료의 산화 및 박막성장
    ,):전기적절연체역할② diffusion Mask (Ion Implant or Diffusion):공정상에서의 마스크 역할③ Surface Passivation : 부식, 불순물, 압력 ... 막( Silicon Oxide)는 반도체 소자 공정의 다양한 분야에서 이용된다.① Isolation (field Oxide, Inter-Metallic Dielectrics ... 다. 이러한 두께를 얻으려면 900℃에서 1200℃ 정도의 산화온도가 필요하다. 온도는 적당한 시간에 공정할 수 있을 만큼 높아야하며 결정 결함을 주지 않을 만큼 낮아야 한다
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    | 리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.03.08
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    화합물반도체의 금속공정(Metallization Process)
    이 6. 탈지작용과 금속이온 제거효과를 겸비하고 있어 전공정 처리가 한번에 끝남 7. 연마후의 세정효과가 특히 우수사양새 용액의 경시변화는 없지만, 되도록 서늘하고 직사광선이 들 ... Diagram for Pt-Ga-As at 600℃Hypothesis 1 Pt diffused into Ti Layer Pt-Ga Intermetallic Layer 형성 Ga ... Va wetting agent. Possibly enhances Ge diffusion. Prevents AuGa clustering.Thick Au over-layer
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    | 리포트 | 19페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.11.14
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    서강대학교 디지털회로설계 HW1 Semiconductor Fabrication Process
    에서부터 최종 완제품까지 크게 4가지 공정으로 구분할 수 있다. 즉, 실리콘 원석에서 웨이퍼를 만드는 웨이퍼 제조공정, 제조된 웨이퍼를 이용하여 웨이퍼 표면에 집적회로를 형성하는 웨이퍼 ... 가공공정, 가공된 웨이퍼로 칩을 제작하는 패키지 조립공정 및 패키지를 모듈에 부착하여 완전한 기능을 하는 제품으로 제작하는 모듈조립공정으로 나눌 수 있다. ▲ 반도체 공정 순서도1 ... 크기를 나타내며, 반도체 공정 기술이 발전하면서 점차 커진다. 톱날의 끝이 안쪽에 있는 Inside Saw를 사용한다. 휘어짐이 적어, 더욱 정교하고 평평한 Wafer를 만들 수
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    | 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.12
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    TCAD를 이용한 BICMOS 설계 및 특성 파악
    , TONYPLOT을 사용하여 BiCMOS를 설계, 분석 및 결과값을 그래프로 도출 해보 고, 요구하는 설계 제한 요소에 맞게 제작 되었는지 확인 해 본다.2) BiCMOS 공정에 대한 ... 기본 study 후 설계 진행3) BiCMOS 공정이라 할 수 있는 공정 상 특성을 제시하고 설명설계 구성요소분석 : 수업시간에 배워본 BJT의 공정과정에 맞춰 TCAD 프로그램 ... 된 Reference BJT 모델간의 공정 차이를 비교하고, 이에 각각 소자특성을 비교한다..2.배경이론2-1) BiCMOS란 무엇인가?BiCMOS기술은 BJT 및 CMOS기술의 조합이다. CMOS
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    | 리포트 | 39페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.11.09
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    펌프의종류 레포트
    ) 기체 수송식펌프 (2) 흡수식펌프기계적 진공펌프 물리흡착을 이용한 펌프Diffusion pump Cryo pumpTurbo-molecular pump Ion pumpRotary ... ) Diffusion pump확산펌프는 액체(일반적으로 확산유)를 가열하여 증발시킨 다음 이를 노즐을 통해 고속으로 분사시킴으로써 이 때 충동하는 공기입자를 아래로 끌어내려 보조펌프(일반 ... 정도의 영역에 그치고 있으나, 루츠펌프 및 확산펌프와 연결되어 고진공이 요구되는 공정에도 다양하게 쓰이고 있으므로, 오늘날 산업 전반에 걸쳐 가장 널리 쓰이고 있고 기종이라 할 수
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.05.23
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    고진공 저진공 펌프에 대해 조사한 레포트 입니다.
    Low & High vacuum pumpLow & High vacuum pump(저진공 펌프 & 고진공 펌프)제출일2015.05.28전공반도체 디스플레이학과과목반도체 공정 실험 ... Torr 의 영역에서 대용량의 배기능력을 가지고 있으므로, 식품의 동결건조 공정 등 에서 우수한 성능을 발휘한다.로터리 펌프는 최저도달 압력근처(10-2～10-4)에서 배기 속도 ... 며, 용량이 대용량이므로 다량의 공기를 배기시키는데 유용하다.2. 고진공 펌프(1) Oil diffusion pump [오일 확산 펌프](B)▲ Roots vacuum pump
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    | 리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.05.30 | 수정일 2017.01.09
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    예비보고서(기체확산)
    물리적 혼합과 난류 의 와류에 의해 유체상에서 일어날 수 있고, 이것을 와류확산(eddy diffusion)이 라고 한다. 때에 따라서는 이 확산공정은 확산방향에 평행한 방향 ... 1. 실험목적액상표면에서 증발에 의한 기체의 확산계수(Gas Diffusion)를 구한다.2. 이 론1) 확산은 무엇일까?혼합물을 통해 각 성분이 물리적 자극에 영향을 받아 이동 ... , 압력구배, 온도구배, 또는 원심력과 같은 와력장에 의해서도 확산이 일어날 수 있다. 온도에 의해 생긴 분자확산은 열확산(thermal diffusion)이며, 와력장에 의 한 것
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.03.22
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2025년 11월 21일 금요일
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