"DRAM제조공정"의 검색결과 입니다.

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"DRAM제조공정" 검색결과 321-340 / 703건

[전략경영] 삼성반도체사례분석 비메모리육성전략

상품으로 전환되면서 제품별 고유영역이 무너지는 한편, 향후의 시장을 주도하기 위한 차세대 고속DRAM 표준화 경쟁과 DRAM가격의 주기적 급락 등으로 시장의 불확실성이 가중되는 현실 ... 을 명확하게 제시하고 있다.◇ 초고속 DRAM 표준화 경쟁시장선점을 위한 고속DRAM 경쟁에서는 높은 생산원가와 설비호환성이 없다는 점과 IP에 대한 로열티 부담 등으로 참여 ... 를 기피하는 DDR SDRAM 진영(Hynix, Micron, Infineon, Mocrosoft)에 비해 설비투자와 원가경쟁력을 모두 갖추고, 이미 세계 Rambus DRAM 시장

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| 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.22

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삼성과 인텔의 CEO 조사및 두 기업 비교

의 발전⇒ 집적 회로 생산을 위한 인텔의 공정 기술은 갈수록 고도화되고 정밀해지고 있다.⇒ 마이크로프로세서 설계의 고도화에 맞춰 혁신적인 첨단 제조 공정을 개발. 차세대 제조 기술 ... 반도체전체7.5%2위Memory전체27.6%1위DRAM27.3%1위SRAM32.4%1위PSRAM20.8%1위Flash Memory전체31.3%1위NAND Flash38.3%1위 ... Road Colorado Springs, CO 80907 USA→ 화성 단지 : 경기도 화성시 반월동 산 16번지- 주요 제품DRAM, NAND Flash, Mobile DRAM

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| 리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2008.12.25

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[컴퓨터의이해-1학년공통] 1) 마이크로프로세서발전과정과 마이크로프로세서가 컴퓨터산업에 기여한점 마이크로프로세서최신동향 2) QR코드조사하여 본인의 QR코드만들기-마이크로프로세서발전과정-

팬티엄 II 의 두배정도로 정사각형에 가깝다.Pentium III(코드명 : KATMAI)은 99년 전반기에 나온 CPU로서 450, 500, 550MHz의 클럭스피드로 제조공정 ... 의 전자회로 칩의 모델을 따라 이름짓는데, 286, 386, 486에서 펜티엄(586)까지 발전했다.반도체 IC 집적도는 DRAM 생산품에서 나날이 새로와지고 있으며, 1K가 세상

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| 리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.04.15 | 수정일 2016.03.14

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리소그래피 개요및 이론 및 공정 에대한 설명

리소그래피 공정은 전체 반도체 제조 공정의 약 35%를 차지하는 제일 중요한 기술로서, 반도체 집적소자의 초 고집적화 및 이를 위한 초미세화 기술을 이끌어 가고 있다.선폭 ... 리소그래피 (Lithography)????????????????????????1. 개요 및 응용분야미세 가공 기술 개발의 선두에 있는 DRAM 기술에 있어서 리소그래피 기술 ... 의 Ar[4] 장비가 주목받고 있다.Giga Bit 시대의 리소그래피 기술은 장비나 마스크 자체만의 기술이 아닌 집적 공정 전반의 기술적 검토를 필요로 하고 있다. 광학적 해상도와 반

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2009.07.18 | 수정일 2018.11.24

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반도체소자의 이용분야

된 프로그램등을 저장하는 데 사용.롬(ROM) 종류▶마스크롬 MASKROM - 제조공정시에 고객이 원하는 정보를 저장함으로써 모니터등 OA기기의 문자정보 저장용과 전자게임 기의 S/W ... )있는 램(RAM)제품 *읽기만 할 수 있는 롬(ROM)제품 *디지털 카메라등의 발상소자인 CCD *기타 스페셜 메모리로 구분 - RAM : DRAM, SRAM, VIDEO RAM ... , SYNCRONOUS DRAM - ROM : MASKROM, EEPROM, FLASH, MEMORY - CCD메모리(Memory) 제품반도체메모리는 크게 램(RAM)과 롬(ROM

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| 리포트 | 22페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.03.17

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하이닉스 기업분석

하였으며, 그 뒤를 이어 NAND Flash와 NOR Flash가 각각 20%와 15%를 차지하였습니다. DRAM 산업은 공정기술 미세화 및 제품 설계 기술력에 의한 Wafer 당 Net ... 며, 주로 사용되는 제품은 디지털 카메라, USB드라이브, MP3플레이어, 차량용 네비게이션 그리고 휴대폰 등입니다.Flash Memory 사업은 DRAM 공정의 활용이 가능 ... 하이닉스 반도체1.회사 개요2. 회사의 목적-. 반도체소자 제조 및 판매-. 반도체소자 기타 이와 유사한 부품을 사용하여 전자운동의 특성을 응용하는 기계, 기구 및 이에 사용

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| 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.09.01

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[반도체] Fram과 강유전체

(random access memory)과 ROM(read only memory)의 두 가지 특성을 다 가지고 있다. 현재까지는 FRAM의 공정 개발 수준이 DRAM에 미치지 못하기 ... 를RAM 구조 기술, 공정기술, 그리고 메모리 셀 배열기술 등의 반도체 기술을 활용한다는 점에서 상업성이 높기 때문에 주요 제조업자들은 이 구조를 채택하고 있으며 이미256 kb ... 메모리나 휴대용 정보 통신 기기 등에 사용하기가 어렵다. 하지만 FRAM은 DRAM(dynamic RAM)과 같은 빠른 동작 속도, 3V 또는 5V의 낮은 동작 전압, 데이터 읽기/쓰

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| 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.06.02

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반도체 산업의 전망

의 크기는 칩의 집적도에 따라서 결정된다 . 마이크로 칩 제조 6/11 웨이퍼 제조 공정 반도체 공정 하이닉스• 반도체의 경향 5/11전자 공학의 기원 현대적인 웨이퍼 제조기법 ... 반도체의 집적도 5/11● IC 제조 수십 수백개의 동일한 칩들이 동시에 하나의 실리콘 웨이퍼 위에 제조된다 . 웨이퍼에서 칩의 개수는 제품의 형태와 각 칩의 크기에 따라 결정되며 칩 ... 매출액 추이 9/11DRAM 시장 매출액 추이 NAND 시장 매출액 추이 자료 : WSTS 자료 : WSTS 10/11Thank You !{nameOfApplication=Show}

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| 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.07

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[경영전략]세계의 반도체 산업의 경영전략 사례 보고서

하는 데 반해, 신규진입기업들의 수율은 10% 또는 20% 정도로 매우 낮기 때문에 기존기업들에 비해 상당히 불리한 위치에 놓여 있다. 또한 제품의 수율을 높이기 위한 제조공정상의 기술 ... IC를 발명함으로써 반도체의 발전에 크게 공헌하였는데 이것이 바로 세계 최초의 마이크로프로세서이다. 1970년대와 1980년대 들어 IC제조기술은 급속도로 발전하여 1970년대 ... 초반에 4K DRAM이 소개되면서 대규모 집적시대가 열리게 되었고, 1970년대 이 후 16K DRAM. 1980년에는 256K DRAM이 출시되어 초대형 접적시대가 열렸으며 1M

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| 리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.01.23

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한국기업국제경쟁력강화00

을 설계하는 기술은 대만의 수준에도 못 미치는 것으로 나타난다.* Strong Point : DRAM의 제조기술은 상당히 개발되어 선진국에 육박하고 있으나 DRAM은 고부가가치 ... 되었다. 그러다가 1980년대 중반 이후 외국의 저임금 노동력을 활용해 가격경쟁력을 확보하기 위한 제조업 부문의 해외투자가 급증했다. 이러한 추세는 1980년대 후반 들어 무역수지 흑자 ... 는 제조업 경쟁력 강화 정책 지속, 국제수지 균형 노력 지속, 해외자원개발의 확대 등을 들었고, 기업은 기업경영체질 개선, 디지털경제에 부합하는 한국경제의 장점 극대화, 기업경영

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| 리포트 | 18페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.11.08

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메모리(ROM,RAM)설계결과보고서

를 집어넣기 위해서는 반드시 반도체 회사에 주문해 특별히 만들어야 하기 때문에 융통성이 없으나, 많은 양의 생산에는 적합하다. 마스크롬의 제조공정은 메모리에 들어갈 내용을 포토마스크 ... EEPROM (Electrically Erasable PROM, Flash ROM)1.2.2 RAM의 종류1.2.2.1 SRAM1.2.2.2 DRAM1.3 ROM과 RAM 비교2 ... 되어도 기억장소에 있는 내용은 사라지지 않는 특징을 가지고 있다.문자 패턴 발생기나 코드 변환기처럼 행하는 처리가 일정하고 다량으로 사용되는 것은 기억할 정보를 소자의 제조와 동시

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| 리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.05.25

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탄소나노튜브,CNT(Carbon Nano Tube) 및 그 밖의 Nano Tube에 대하여

Nano TubeCNT(Carbon Nano Tube) 및 그 밖의 Nano Tube에 대하여목 차Nano과학이란 CNT의 정의 CNT의 구조 및 특성 CNT의 제조 방법 CNT ... 커팅하는 길이 별로 탄소나노튜브는 그 성격이 달라지는 이른바 '천의 얼굴'을 가진 물질.왜 CNT를 주목하는가?반도체 소자 제작공정에서 하나의 중요한 과정이 줄어들어 유리 . 만약 ... 수 나노미터 정도 크기의 기억소자나 회로를 만든다면 집적도가 대략 테라(1012 즉 1조) DRAM에 이름. 탄소 원자 사이의 결합은 현재 반도체의 주종을 이루고 있는 실리콘

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| 리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.01.07

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주기억 장치인 RAM의 종류와 변천 과정 및 차세대 입출력장치

SRAM이다. 그후에 5Tr > 6Tr > 8Tr등으로 발전을 했다. 지금 현재 널리 쓰이고 있는 SRAM은 6Tr SRAM이다. SRAM이 가장 먼저 만들어진 이유가 제조 공정 ... 이 일반 Logic Device와 100% 동일한 공정이기 때문 이다. SRAM의 장점으로는 제조공정이 단순하고 속도가 빠르다는 것이다. 그런데 단점이 있는데 그것은 1Bit ... 이 따라가 줘야 컴퓨터(CPU)가 제 속도를 낼 수 있다.2) RAM의 종류① DRAM ( Dynamic RAM )DRAM은 단일 포트를 가지고 한번 처리에 단 하나의 작업만을 할

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| 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.11.01

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하이닉스 투자

,캠페인을 통해 임직원들은 단순히 `메모리 칩을 만들어 파는 제조업자'가 아닌 좋은 기억(Good Memory)을 만드는 사람들'이라는 인식을 갖게 됩니다.? 하이닉스 반도체 ... 실시(2002)? 미국과 EU의 상계관세 위기 극복(2003)? DRAM위주의 사업구조 탈피(81%→72%), NAND Flash중심의 포트폴리오 구성(2005)? NAND ... 닉4공단 3, 4블럭에 '청주 반도체 공장'을 기공하였습니다.? 설립목적반도체 DRAM, SRAM, Flash 등을 생산 공급하고 세계 최대의 DRAM 생산능력과 끊임없는 기술혁신

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| 리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.12.20

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삼성전자 반도체사업부(SYSTEM.LSI, Memory) 기술면접(PT면접)용 대비 자료모음

를 제어한다.- FET 는 BJT 보다 제조가 간편 하여 IC 제조에 많이 쓰인다. 이는 제조에 필요한 공정 단계 및 사용 장비를 줄일 수 있으므로 단가가 싸지기 때문이다. 소자의 구분 ... 을 N□ 논리게이트□ DRAM(Dynamic Random Access Memory)- Dynamic은 메모리칩이 데이터를 기억하기 위해서 일정한 시간 안에 매 비트를 refresh ... 하는 것을 말하며, Random Access는 메모리 칩의 모든셀은 일정한 순서 없이 읽기/쓰기를 행한다는 것을 말한다.○ Refresh가 필요한 이유- 각각의 DRAM 비트는 1개

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| 리포트 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.04.27

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압전세라믹의 결정구조및 응용분야.

한 제조공정 제어가 필요하다.2. 압전 세라믹스의 소재의 특징- 다양한 응용분야에 적합한 최적 조성을 바탕으로 다양한 사양의 세라믹스 공급- 미세한 미세구조의 제어로 높은 기계적인 특성 ... , 반도체, 도체의 성질은 물론 초전도 현상까지 보이는 특별한 구조의 금속산화물을 말한다. 다양한 물리성질을 갖고 있어 차세대 DRAM, 차세대 비휘발성 메모리재료, 연료전지 전극

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| 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.05.21

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A+++)하이닉스인사관리

1997.05 세계최초 1G 싱크로너스 DRAM 개발 1996.12 기업공개 및 상장 1995.10 세계 최초 256M SDRAM 개발 1995.08 미국 오레건주 반도체공장 설립 ... .인재육성교육 6.복리후생 7. 결론1)) 사업영역 1) 메모리 *DRAM *SRAM *FLASH MEMORY 2) SYSTEM IC *FLASH MEMORY *自社 제품 ... 인재상 3.채용방법 4.인사제도 5.인재육성교육 6.복리후생 7. 결론3. 인사채용(1)채용분야 1) 정규직 반도체 operator 2) 연구개발 분야 -설계, 소자, 공정, 제품

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| 리포트 | 22페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.10.22

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삼성전자 외부환경 분석(산업동향 분석, 마이클포터 5세력 모델 문석, 경쟁자 분석)

의 5세력 모델1.잠재적 진입자DRAM산업은 경제규모를 갖추기 위해 막대한 투자, 특허 등 기술 장벽, 매우 정교한 공정기술이 요구되는 산업으로서 진입장벽이 존재한다. 따라서 기업 ... 내에서 상당한 수준의 컴미트먼트(commitment)가 이루어지지 않는 경우 신규진입은 이론적으로 어렵다. 그러나 현실적으로 한국은 DRAM에 대한 기술의 발전을 중요시하고 전자 ... 은 95출 15%는 연구개발에 투자해야한다.2.산업 내 경쟁①제품차별화: DRAM(품질, 디자인)의 정도가 낮으면 제품 동질성과 가격경쟁은 높아지며 수익률은 낮아진다.②초과생산능력

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| 리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.23

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삼성 반도체 역사 보고서

는 복잡한 제조공정. 고난도의 교육과정을 거쳐 드디어 6만 4천개의 셀이 모두다 작동하는 64k D램이 완성되었다. 해외원조에 의존하던 가난한 나라, 세계시장에 내놓을 기술 하나 ... 개발- 1994년 4월 세계최초 256메가 D램 개발- 1994년 10월 단일 품목 수출 100억달러 달성(3) 위기 및 주요의사 결정'82 DRAM '메모리' 사업 검토 ... 의사 확고히 함(3) 본인 생각82년 당시 정부, 재계의 반대, 선진국과의 극심한 기술격차, 막대한 자금 마련, 고도의 기술두뇌 확보 등의 높은 위험성을 안고 DRAM 사업을 시작

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| 리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.04.26

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우리나라 반도체 산업의 발전사

이 시작되면서 본격적인 품목 다양화와 제조 기술의 축적이 이루어진 것으로 보인다.전자산업의 발전은 1960~1970년대에 걸쳐 정부에서 강력한 드라이브를 건 수출지향정책에 힘입은 바 ... 1970년대1980년대1990년대2000~기술단순 조립제품생산기술반도체생산기술제품설계공정기술디지털회로설계반도체공정기술소형화/집적화기술컨버전스설계기술반도체고집적화기술주력제품라디오흑백TV ... TVMP3플레이어(LCD,PDP)메모리반도체(플레시,DRAM)전략대량생산품목의 다양화대량생산질적 고도화세계적 첨단기술 개발선도기술 개발 및 차세대성장동력 한국 반도체 산업사와 삼성

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| 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.07.20

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