"DRAM제조공정"의 검색결과 입니다.

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"DRAM제조공정" 검색결과 241-260 / 704건

차세대 메모리

하다. 구조 및 제조공정이 기존의 DRAM과 유사하기 때문에 제조비용이 상대적으로 저렴하다. 저전력으로 동작한다. 집적화가 높아짐에도 불구하고 전기적 특성의 변화는 거의 없기 때문 ... 소자를 구성. 현재 삼성전자가 세계 최초로 4M FRAM을 개발. = FRAM에 사용되는 주요 재료로서 PZT 막은 대부분 Sol-Gel 이라는 간단한 제조공정을 사용하여 입히 ... 고 있다. 그러나 DRAM 수준의 집적도와 양산성을 이루기 위해서는 MOCVD를 이용하여 PZT를 제조해야 할 것으로 예상된다.PRAM (Phase change RAM)PRAM은 CD

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| 리포트 | 25페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.10.27

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삼성 반도체 마케팅 성공 전략 / 해외진출 성공 요인 분석

, 1M DRAM 개발 , 256K SRAM 개발 태동기 ’90 年 기흥 4Line 건설 (16M DRAM 개발 ) ’91 年 온양사업장 건설 ( 조립공정 ) ’92 年 업계최초 ... - 우수한 생산 및 공정 기술 - 재무적인 능력 - 원가 절감형 제조능력 - 메모리에 편중된 포트폴리오 - 시스템 IC solution 부족 Opportunities Threats ... 인수 ’83 年 반도체 사업 진출 결정 (64K DRAM 개발 ), SSI 설립 ’85 年 기흥 2Line 건설 (64K SRAM 개발 ) ’86 年 256K DRAM 대량생산

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| 리포트 | 9페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.11.15

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삼성 반도체 - 해외진출 성공 전략 / 성공사례 분석

다 . 특히 주력인 DRAM 부문에서 얻은 수익으로 재투자를 하여 다음 세대 공정기술과 양산 능력을 키워 다음 세대를 준비하는 것이 주요한 전략이다 .6. 삼성반도체의 성공비법 Ⅰ6 ... 와 가격경쟁전략 7. 참고자료1. 브랜드소개 1974 년 한국반도체를 인수하여 삼성반도체로 이름을 바꿈 1983 년 VLSI 양산 공장건설 착수 , 64K DRAM 개발 , San ... Jose 에 현지법인 설립 1986 년 1M DRAM 개발 1990 년 16M DRAM 개발 1992 년 64M DRAM 개발 1992 년 DRAM 시장 점유율 세계 1 위 달성

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| 리포트 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.10.13

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반도체 공학 개론 HW#2

, 정밀기기컴퓨터 등에 광범위하게 사용할 수 있다. 한국에서는 LG반도체(주)가 1984년 미국, 일본에 이어 세계에서 3번째로 이 첨단 반도체의 제조공정기술 개발에 성공했다. ... 되었다.2. 실리콘 반도체 ingot의 Czochralski 성장법에 있어서 다음을 설명하라.가. 성장온도성장공정은 실리콘의 녹는점인 1412℃ 의 고온에서 이루어진다.씨앗 ... 하여라.매우 높은 순도로 제조 될 수 있다. 반도체 재료에 정말 중요한 요소 중 하나가 순도(purity)이다. 그리고 이 말은 doping하기가 용이하다는 말도 된다. 또, 물질

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| 리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.06.12

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반도체 제조공정의 이해

Semiconductor Process Procedure - 반도체 제조공정의 이해 - LCD automation System Yeom , Kyong -Sun1 반도체의 이해 2 ... 반도체 제조공정이란 ? 목 차 3 반도체 제조공정의 세부적 이해반도체의 발전 1904 년 영국의 과학자 존 앰브로우즈 플레밍 발명 1948 년 벨전화연구소 윌리엄 쇼클리 , 죤 ... 재료반도체의 종류 Memory System IC DRAM SRAM FLASH LCD Driver IC Micro Controller Unit CMOS Image Sensor

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| 리포트 | 54페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.10 | 수정일 2021.06.17

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커리어로드맵

, 256M DRAM(2세대), 4기가 HYPERLINK "http://100.naver.com/100.nhn?docid=70382" 반도체 전공정기술, 64M HYPERLINK ... 2ttp://terms.naver.com/entry.nhn?docId=29341" 문자표시 카세트 생산시판, 1992년 세계 최초로 64M DRAM 완전동작 HYPERLINK ... , 1994년 세계 최초로 256M DRAM 개발에 성공하였다. 1994년 그룹 사업구조 개편에 따라 HYPERLINK "http://100.naver.com/100.nhn?docid

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| 자기소개서 | 11페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.09.15

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자기저항 , 스핀전달토크에 의한 자화반전 및 세차운동의 원리 및 소자응용 가능성, Runge-Kutta 방식, LLG식.

은 다양한 분야에서 활발히 진행되고 있다. 기존의 DRAM 공정은 1-TR/1Capacitor구조의 단위cell을 이루고 있는데, 소자의 크기가 작아짐에 따라,capacitor공정 ... 방향 법으로 제조된 Fe/CR 60층의 다층박막에서 자기 저항비가 46%정도 되는 아주 큰 자기저항 효과를 발견하였는데, 과거 NiCO합금에서 3~6% 이방성 자기저항 효과와 비교 ... 의 난이도가 점점 더 올라가게 되어, 높은 수율을 가지는 DRAM cell의 제작이 매우 어렵게 되었다. 그래서 기존 DRAM을 대체할 수 있고 비휘발성을 가지는 메모리의 필요

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| 리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.03.17

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인텔기업분석,인텔경영전략,인텔성공전략사례,브랜드마케팅,서비스마케팅,글로벌경영,사례분석,swot,stp,4p

도rcapacity 1980’s 초반공격경영 1980 년대 KSF 1970 년대 D 램 1 위 기업 1980 년대 일본 기업의 거센 공세로 인해 DRAM 시장 철수 CPU 사업전환 ... 된 인텔사의 공정 획일화 시스템 건설 전 세계 인텔공장의 공정 획일화를 통해 본사에서 직접적인 제어가 가능 02 → 신제품을 적시에 시장에 출시할 수 있음잠재 진입자 : 낮음 높 ... 1500 개 컴퓨터 제조업체가 제품에 “Intel Inside” 로고 스티커 부착 Intel Inside 캠페인은 인텔의 브랜드 네임과 로고를 보여주며 안심하고 구매하도록 만듦

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| 리포트 | 50페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.04.09

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LED의 개념 및 특징

라이트 부문의 3단계 제조공정은 반도체광원 공정, 패키지/모듈공정, 시스템 및 응용공정이며좀 더 넓게 나누면 LED 제조부문과 백라이트 부문(BLU) 제조공정의 2단계공정으로 구분 ... 된다.1) 반도체 광원공정: 기판 단결정 제조공정, 에피웨이퍼 제작공정, 칩 제조공정, 패키지공정, 모듈조립공정 이다.2) 패키지/모듈공정: 웨이퍼에서 생산된 LED 칩을 이용하여 고 ... , Ge)전자소자DRAM,SRAM,ASIC,Microprocessor,Flash,DSP수광소자PD, Solar Cell화합물반도체(GaAs,InP,GaN)발광소자(반도체광원)LED

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| 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.08.06

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(A+ 기업분석보고서) 하이닉스에 대한 기업분석 및 경영분석 보고서(2008~2012F)

점유율61) DRAM 반도체 시장 점유율62) NAND 반도체 시장 점유율6(3) DRAM 가격 변동 현황7(4) 글로벌 DRAM 업체별 공정 전환 현황7(5) 글로벌 메모리업체 ... . 서론주식회사 하이닉스반도체는 메모리 반도체 제조 기업이다. 주요 제품은 DRAM과 플래시 메모리 칩이며, 미국, 영국, 독일, 일본, 중화민국(홍콩을 포함하여) 중화인민공화국 ... , 싱가포르와 인도에 법인을 두고 운영한다. 제조 설비는 대한민국, 미국, 중국과 중화민국에 있다. 하이닉스반도체의 주식은 한국증권거래소에 상장되어 있으며, 룩셈부르크 증권거래소

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| 리포트 | 14페이지 | 4,800원 | 등록일 2011.07.03

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성균관대 한국경제의 이해 개인과제 10점짜리

로 256M DRAM(2세대), 4기가 반도체 전공정기술, 64M 램버스 D램 개발1999년세계 최초로 256M DRAM 양산, 첫 1기가 반도체 상용제품 개발2001년1기가 플래시 ... 하고 제조한다. 1992년 이후 전 세계 DRAM 시장에서 부동의 1위인 삼성전자는 세계 최초로 64GB NAND 메모리칩을 개발함으로써 NAND 플래시 메모리 분야에서도 가장 앞서가 ... 는 기업이 되었다. 또한 삼성은 최초로 DRAM 메모리 대량 생산에 4nm 공정 기술을 적용하는데 성공했다. 삼성은 2009년 1분기부터는 고용량 40nm DRAM 디바이스 판매

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| 리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.07.03

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[결과보고서] Landau-Lifshitz-Gilbert (LLG) 식을 이용한 자기거동분석 [신소재공학실험3]

이 된다.②Reading시에 사용하는 자화반전이 일어나는 자기장이 상당히 불균일하다.③셀의 크기가 작아질수록 제조공정상 셀을 균일하게 만들기 어려우며, 셀간 거리가 가까워짐에 따라 ... 가 사라지지않는다. DRAM의 경우가 속도가 매우 빠르지만, 계속 전기를 공급해주어야 한다는 단점이있다. MRAM은 이들은 결합하여 속도는 빠르지만, 전기를 끊어도 그 정보가 그대로 ... 남아있게 되는 memory를 말한다.②무한대의 기록 및 재생이 가능하다.③방사능 내성이 강하다.④기억부인 TMR소자가 트랜지스터보다 작기 때문에 DRAM보다 memory cell

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| 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.01.18 | 수정일 2021.02.01

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기존 기업간의 경쟁 (NAND Flash)

시장의 40.4%를 차지하였고 도시바가 33.1%로 2위, (주)하이닉스반도체가 8.3%로 4위였다. 그러나 NAND Flash Memory 시장이 점점 커지면서 다른 반도체 제조 ... 공정을 도입함에 따라 기술경쟁 보다는 양산경쟁으로 본격적으로 돌입하게 되었다.(2) 향후 Nand Flash 시장 경쟁의 전망현재 NAND Flash는 스마트폰과 태블릿PC 등 ... 자는 설비 확대 및 선도적인 미세공정으로 경쟁력을 유지함으로써 투자를 지속한다면 대폭적인 시장점유율 하락은 발생하지 않을 것으로 보인다. 삼성전자와 하이닉스는 D램에서 NAND

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| 리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.10.31

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판매자 표지

다국적 기업의 핵심역량 다각화 사례와 성공적 구조조정

성공사례질레트(강점)-면도기제조기술 -혁신적 디자인-Big(프)의 일회용 면도기에 대응키 위해 일회용면도기 생산→수익성악화 -고가의 최고급면도기로 전환하여 성공 (질레트 센서,마하 ... /비즈니스 분야 진출핵심역량에 바탕(차별화)핵심역량 발굴구체적 활동 : 한국 반도체 산업의 공정기술력 차별화된 강점 : 일본기업(R D+생산+부품업체 관계) →속도/효율 시너지 ... ◈ 임직원간 공감대 형성성공적 구조조정Intel 정상의 DRAM 포기 →모두의 반대를 설득 미래 성장성 있는 CPU로 역량 집중핵심역량◈ 상처가 깊어지기 전에 도려낸다.비핵심 사업

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| 리포트 | 54페이지 | 5,000원 | 등록일 2015.10.23

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삼성반도체 성공 요인 분석 / 전략 분석

은 그동안의 성장세가 둔화되는 동시에 메모리반도체 시장에서 전반적인 공급과잉이 유지되면서 연초대비 가격이 큰 폭으로 하락, 최근 평균제조원가 수준인 DRAM $1, NAND ... 다. 특히 주력인 DRAM 부문에서 얻은 수익으로 재투자를 하여 다음 세대 공정기술과 양산 능력을 키워 다음 세대를 준비하는 것이 주요한 전략이다.2012년부터 삼성전자의 자동차 ... 소개1. about 삼성반도체1974년 한국반도체를 인수하여 삼성반도체로 이름을 바꿈1981년 반도체 연구소 건립1983년 VLSI양산 공장건설 착수, 64K DRAM 개발, San

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| 리포트 | 15페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.10.13

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반도체 집적회로와 소자기술

. 뿐만 아니라 집적도를 증가시킬수록 더 값싸게 생산할 수 있게 되어 가격 면에서도 경쟁력이 커진다. 반도체 제조 공정은 일괄 공정이므로 반도체 웨이퍼 한 장을 가공하는 비용 ... 가 있으나 무엇보다 결정적인 이유는 제조 공정 상에 큰 이점을 부여하는 이산화 규소라는 물질을 쉽게 얻을 수 있다는 사실이다. 충분히 높은 온도에서 실리콘에 산소 혹은 수증기를 공급 ... 으로서 사용이 가능할 뿐만 아니라, 확산, 이온 주입, 식각 등의 제조 공정에 의한 영향을 원하는 영역에만 선택적으로 줄 수 있도록 해주는 훌륭한 장벽 물질로서의 역할을 수행

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| 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.10.22

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[연구개발][R&D][연구개발사례][R&D사례]연구개발(R&D)의 정의, 연구개발(R&D)의 결정요인, 3M과 삼성전자의 연구개발(R&D) 사례, 모토롤라의 연구개발(R&D) 사례, 연구개발(R&D)의 애로사항에 관한 분석

기간이 예상보다 길어졌다.또한 집적도와 속도를 개선하기 위해 256K DRAM의 더블폴리(Double Poly)공정보다 몇 단계의 첨단기술을 요구하는 트리플폴리(Triple ... Poly)공정을 개발해야 했기 때문에 설계시간은 예상보다 점점 더 길어졌다. 더욱이 회로선폭을 256K DRAM의 2미크론에 비해 1.2미크론까지 줄이고 속도도 100-120나노초 ... 로 256K DRAM보다 크게 향상시키기 위해 트리플공정 이외에도 서너 가지 공정을 더 개발해야 했다. 64K DRAM과 256K DRAM의 공정기술경험이 크게 뒷받침되고 국내외

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| 리포트 | 17페이지 | 6,500원 | 등록일 2009.03.30

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FeRAM의 원리 및 특징

전자에서는 세계 최초로 4M FeRAM을 개발하여 시장 개척에 적극 나서고 있다.FeRAM에 사용되는 주요 재료로서 PZT 막은 대부분 "Sol-Gel"이라는 간단한 제조공정을 사용 ... FeRAM에 대해서1, FeRAM이란?FeRAM 이란 Ferroelectric Random Access Memory의 약자로서, 기존의 DRAM과 거의 똑같은 구조와 동작원리 ... 를 가진 기억소자이다. DRAM과 다른 점은 강유전체 (Ferroelectrics) 라는 재료를 캐퍼시터 재료로 사용하여 전원이 없이도 Data를 유지할 수 있는 비휘발성메모리라는 점

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| 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.08.17

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Photolithography 예비보고서

과 유사한 실험이다.Figure 1. 반도체(Semiconductor)미세 가공기술 개발의 선두에 있는 DRAM 기술을 포함한 여러 반도체 공정에 있어 Lithography 기술 ... ) 등을 만들기 위한 매우 중요한 기술이다. Lithography 공정은 전체 반도체 제조 공정의 약 35%를 차지하는 매우 중요한 기술로서, 반도체 집적소자의 초 고집적화 및 이 ... 의 공정 중의 하나인 Photo-Lithography로 반도체와 같이 나노(nano)정도 크기에 미세한 Patterning을 하기 위한 공정이다. 우리 실험에서는 실제 반도체 산업

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| 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.16 | 수정일 2014.11.12

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실험(1) rom 및 ram 결과보고서

은 제조공정에서 이미 기록이 완료된 것이다. 사용자가 ROM에 새로운 내용을 기록할 수 없다는 단점이 있다. 이러한 단점을 보완하기 위해서 나온 것이 PROM인데 PROM ... 지만 한 번 들어간 내용은 바꾸거나 지울 수 없다는 것이다. 그 이유는 제조 시 모든 메모리 비트가 퓨즈로 연결되어 1로 읽히지만 생산되는데 이를 기록하면 퓨즈가 끊어져서 0 ... -Only Memory)로 나뉜다. 하지만 일반적으로 UVEPROM을 가리킬 때가 많다.⑵ SRAM과 DRAM의 장단점을 비교하라.대표적인 RAM의 종류에는 DRAM, SRAM이 있

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| 리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.25

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