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삼성전자 반도체사업부(SYSTEM.LSI, Memory) 기술면접(PT면접)용 대비 자료모음

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최초 등록일
2008.04.27
최종 저작일
2011.04
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소개글

삼성전자 DS부문 면접을 준비하면서 나온 기출문제 및 최신기술 문제 요약집
MOSFET BJT DIODE 의 기본 동작원리 및 비이상적인 특성까지 정리 해놓음
최신반도체 기술까지 되었습니다.

목차

○ 다이오드 동작 기본원리
○ 다이오드의 전압과 전류관계
○ 역방향 다이오드
○ Breakdown
○ zener 다이오드의 특성
○ 쇼트키 다이오드
○ Ohmic contact

□ BJT(Bipolar Junction Transistor)
○ 기본동작
○ 트랜지스터 전류관계
○ 동작모드
○ 소수캐이어 분포
○ 접지 방식에 따른 트랜지스터 증폭기

□ MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor)
○ MOSFET 구조
○ MOSFET 기본동작(n채널 MOSFET)
○ 비이상적인 효과

□ FET(Field Effect Transistor)
○ JFET(Junction Field Effect Transistor)

□ 회로이론
○ 테브닌 등가회로
○ 노턴 정리

□ 논리게이트

□ DRAM(Dynamic Random Access Memory)
○ Refresh가 필요한 이유
○ 저장구조
○ DRAM의 동작 원리
○ 기타 특징

□ SRAM (Static Random Access Memory)
○ DRAM과 SRAM의 차이점

□ Flash memory
○ NOR Flash
○ NAND Flash

□ oneNAND flash memory

□ SSD(Solid State Drive)

□ MoviNand
□ SoC(system on chip)

□ MCP(Multi-Chip-Package)

□ Latch up 현상

본문내용

□ Diode
○ 다이오드 동작 기본원리
- P형에는 정공(전자로 채워지고 싶어하는 공간)이 많고 N형에는 -(전자) 가 있는데 둘 사이가 붙으면 자연스레 전자가 정공에 채워지고 depletion(공핍) 영역이 생긴다.
- 이 영역 때문에 장벽의 높이가 양쪽 전계의 전위차가 발생된다. 이 전위차를 전위장벽(Vbi, barrier potential)이라 부른다. 순방향 바이어스를 걸어주면 아래그림처럼 장벽이 낮아져서 전류가 흐르기 쉽게 된다.
- 참고) 이 전위장벽의 차이가 다이오드의 종류를 탄생시킴. ex) 실리콘으로 만든 다이오드는 0.7V, 게르마늄으로 만든 다이오드는 0.3V라고 함. 다이오드는 스위칭 동작을 하는 소자로써 순방향으로만 전류를 흘리는 것은 ON임을 의미하고, 역방향으로 전류가 차단되는 것은 OFF임을 의미한다.
- 순방향으로 바이어스를 걸어주면 외부로 부터의 전위차가 장벽전위를 넘어서기 때문에 p영역에 다수캐리어인 정공은 접합면을 가로질러 n영역으로 주입(injected)될 것이고 n영역에 다수캐리어인 전자는 반대로 접합면을 가로질러 p영역으로 주입될 것이다. n영역으로 주입된 정공들로 인하여 n영역의 소수캐리어인 정공들의 농도가 올라 갈 것이다. 마찬가지로 p영역의 소수캐리어인 전자농도 역시 올라 갈 것이다. 이렇게 과잉 소수 캐리어(excess minority carriers)들이 생겨난다. 이 과잉소수캐리어의 농도는 당연히 접합면 근처에서 가장 높을 것이다. 그러면 농도가 높은 곳으로 부터 낮은 곳으로 이 캐리어들은 이동해 나아간다. 즉 접합면으로 부터 서서히 멀어지기 시작 할 것이다.
- 이런 식으로 n영역에서는 외부회로로 부터 전자를 얻고 p영역에서는 외부로부터 정공을 얻게 될 것이다. 이런 과정으로 전류가 흐른다. 전위장벽을 뛰어넘어 서로에 영역으로 밀어닥치는 캐리어들 때문이다.

참고 자료

없음

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