"GAA기술"의 검색결과 입니다.

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"GAA기술" 검색결과 281-300 / 671건

[공학]에피택셜 성장 epitaxial growth 에피택시

Phase Epitaxy) 4. 분자빔 에피택시(MBE: Molecular Beam Epitaxy)Epitaxy -정의웨이퍼 위에 같은 방향성을 갖는 단결정 막을 기르는 기술 에피택 ... epitaxy; VPE) - 분자선 에피택시(molecular beam epitaxy; MBE)Epitaxy-부가설명이러한 성장방법들에 의해 Si과 GaAs를 포함하는 광범위한 반도체 박막 ... (10-11 torr 이하) 장치 내에서 원료 물질을 증발시켜 기판에 증착시키는 물리적 증착 기술 즉, PVD 기술의 하나이다.액상 에피택시(LPE) - 정의결정재료가 녹아 있

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| 리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.07.20

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화합물 반도체 태양전지

으로 기존의 Si이나 GaAs 태양전지의 20～40 W/kg에 비해 월등히 우수하다. 또한 1980년대 말부터는 저가 고효율의 지상발전용 박막태양전지를 목표로 선진국에서 집중적으로 기술 ... 의 두께를 혁신적으로 줄이는 기술, 또는 유리와 같이 값싼 기판위에 박막형태의 태양전지를 증착시키는 기술이 주목을 받고 있다. 기존의 박막 제조공정을 이용할 경우 보다 값싼 방법 ... 전지 ( compound semiconductor solar cell )①I-III-VI족; CuInSe2, Cu(In,Ga)Se2②Ⅱ-Ⅵ족; CdTe, CdS③Ⅲ-Ⅴ족; GaAs

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| 리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.04.02

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LED의 개념 및 특징

(BLU)은 LCD의 광원 역할을 하는 부품으로 LCD가용도별로 다양해짐에 따라 새로운 기술로 사용되고 있다. 그러나 LEDBLU는 광원 특성상 장점이 많아서 중소형에서 대형까지 폭넓 ... , Ge)전자소자DRAM,SRAM,ASIC,Microprocessor,Flash,DSP수광소자PD, Solar Cell화합물반도체(GaAs,InP,GaN)발광소자(반도체광원)LED ... )까지, InGaN(Indium Gallium Nitride) 칩에서는블루와 그린 그리고 블루칩에서 형광체(Phosphor) 기술을 접목하여 백색LED를 가능하게 하였다.* 가시광선의 스펙트럼파장(nm)300 400 500 600 700 800 900

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| 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.08.06

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효과적인 LED 냉각 시스템

.4 열전소자의 일반적인 특성 …………………………………………… 8 2.4 열전소자 기술 분석 …………………………………………… 82.4.1 열전소자의 개요 ... -n접합의 제작이 가능할 것 등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨 GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs ... 으로 강제대류를 시키면 약 13배정도 냉각 능력이 올라가 보다 효과적으로 LED 전등을 냉각 시킬 수 있어 수명 연장이 가능하다.5. 핵심요소기술분석핵심요소기술기술분석LED 냉각 기있었다.

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| 리포트 | 41페이지 | 3,500원 | 등록일 2010.12.09

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반도체 및 나노물리학 과제물

- Intermediate Band 구조는 입사된 빛을 아주 효율적으로 흡수할 수 있다.- InP 다중 양자 우물(MQW: Multiple Quantum Well) 구조는 GaAs, InP는 30 ... 율 => 매우 느린 도포율 때문에 같은 불순물 레벨에 도달하기 위해 높은 진공 상태를 유지해야 한다.4. "beam" 은 원자의 mean free path가 길어서 GaAs ... /HEMT) 등과 같은 초고속 트랜지스터의 제조나 양자효과를 연구하기 위한 초격자 소자를 만드는 데 널리 쓰이고 있다.6. 화합물 반도체 제작에 유망한 기술이다.=> 유기금속화학

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| 리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.10

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이산화탄소 저감기술

근본적인 해결방안은 기술개발을 통해서만 가능하다. 에너지절약을 강화하고, 산업구조를 에너지 저소비형으로 바꾸는 데에는 막대한 투자와 시간이 요구된다. 따라서 지금부터라도 산업 ... 계, 정부, 연구소가 서로 긴밀히 협조하여△지속적인 에너지효율화△청정연료 사용확대△대체에너지기술개발△이산화탄소 처리기술 개발등의 에너지기술개발을 서둘러야 할 것이다.0. 온실가스 저감 ... 기술온실가스 저감기술은 에너지절약기술, 대체에너지기술, 청정에너지기술로 분류되며, 각 기술별로 광범위한 세부기술로 구성되어 있다.표 . 산업자원부의 에너지기술체계도사 업에너지절약

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| 리포트 | 15페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.04.30 | 수정일 2020.06.19

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스핀전자소자 기술동향 및 응용분야

대표적인 기술이라고 할 수 있다. 최근에는 실리콘, Ge 등의 4족 물질뿐만 아니라, GaAs, InP 등을 사용하기 위한 연구도 진행 중이다. 이러한 기술은 양자정보처리기술 ... REPORT스핀전자소자 기술동향 및 응용분야CONTENTS1. 서 ... 론 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?12. Spintronics 기술? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?33

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| 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.05.01

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태양전지

는 반도체의 일종으로서 광에너지를 직접 전기에너지로 변하게하는 것이다. 이 기술은 1954년에 아메리카에서 발명된 것으로서 반도체에광이 입사한 때에 일어나는 광전효과를 이용한다. 구체 ... 태양전지박막태양전지아몰퍼스(비결정계)화합물반도체Ⅱ,Ⅵ족(CIGS,CdTe 등)Ⅲ,Ⅴ족(GaAs,InP 등)(그림1) 태양전지의 종류현재 태양광발전시스템에 일반적으로 사용되는 태양전지 ... 일부 건축물 등에 보급되고 있는 아몰퍼스 태양전지도제조기술이 대량생산에 적합하다. 한편 아직까지는 결정계에 비해서 가격이 저렴한 장점은 있지만, 변환효율 면에서는 결정계에 비해

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| 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.12.31

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태양전지 설계

전력과 입사광 에너지 Pin 사이의 비율이다.(3) 설계1) 어떠한 재료를 사용하면 고효율의 태양전지를 얻을수 있을까?Assumption 1) GaAs 재료를 사용하여 태양에너지 ... 전지를 만든다면?태양전지 재료 중에서 가장 높은 효율을 달성하였고 현재 우주용으로 상용화에 성공하여 흑자를 기록하고 있는 재료이다. GaAs는 최적의 밴 드갭(1.45eV) 및 높 ... 단일 접합으로 28.7% (200 sun concentrator) 이 기록이며 GaAs/GaSb 중첩전지로는 34.2% (100 sun concentrator) 가 기록이다. 단점

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| 리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.05.17

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[기초전기전자실험]센서실험

Effect)가 이 소자의 동작 원리이며, 이중 입력 단자가 전류 단자이고 출력 단자가 홀 전압 단자로 표시된다.홀소자용의 반도체 재료로는 Ge, Si, InAs, GaAs 등이 이용 ... 된다. 이중에서 GaAs재료를 이용한 홀소자가 용도 특성이 우수하여 주목받고 있다.홀소자의 구조로서는단결정 재료를 박편화 한다.반 절연재료에 에피텍시얼법과 이온 주입법으로써 활성화 ... 영역을 만든다.진공 중착으로서 박막 소자를 IC기술을 이용하여 제작한 것 등이 있다.홀 소자 이용법에는 다음의 3가지가 있다.센서에 일정 전류를 흘려 놓고 자계와 자계로 변환된 다른

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| 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.21

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비접촉식 터치

Ge, Si, GaAs 의 경우 반도체 내에 불순물을 주입하여 불순물의 에너지 준위를 이용하여 적외선을 감지하는 외인성 방식을 사용하여, 에너지 준위에 따라 n형과 p형으로 구분 ... 을 통해과해도 왜곡이 적고 밝기가 유지된다. (광통신 공학 부분의 식 인용할 것)? 전력소모3D Touch는 기본적으로 전력소모가 많이 들어가는 기술이다. 최근 출시된 팬택(2013.2

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| 리포트 | 22페이지 | 4,000원 | 등록일 2013.07.14

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발광다이오드

계 화합물에 의한 발광 다이오드가 급속도로 보급되었기 때문에 현재에는 이러한 재료계의 기술은 흰색 발광소자나 기판같은 용도에만 사용되고 있다.질화 갈륨을 이용한 고휘도 파란색 LED ... 을 형성하여 제작하는 LED로 옥외용 디스플레이로도 사용되고 있다.- GaAsP계 적색 LEDGaAsP 결정은 GaAs1-XPX의 성분비 x를 바꿈으로써 적외선(x=0)부터 녹색(x=1 ... )까지 발광한다.- GaAsP계 등황색.황색 LEDGaAsP의 등황색 LED는 기판결정에 GaP를 이용하여 VPE법에 의해 발광용 p-n접합을 형성한다. GaAs1-XPX의 조성비

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| 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.28

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태양전지의 원리, 종류 및 태양전지의 기대효과

적 에너지 기술로서, 태양광을 받아 전기를 발생하는 태양전지(모듈)와 발생된 직류 전기를 교류로 변환시키는 전력조절 장치 및 주간에 생성된 전기를 저장하는 축전지 등의 주변장치 ... (balance of system; BOS)로 구성된다.그 기술 개발이 급속도로 진보하여 우리들의 주변에서도 각종의 전자계산기, 전자시계를 비롯하여 가로등, 정화시스템, 무인등대, 무선전신 ... 하는 사진기술과 같은 원리를 이용하여, 광전화학의 현상이 잘 나타나기를 기대하는 접근방법이다. 풍경의 영상을 흑백으로 사실적으로 묘사할 수 있는 최초의 전색체

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| 리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.01.26

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LED의 원리, 종류, 응용분야, 느낀점

계 적색 LEDGaAsP계의 정확한 성분비는 GaAs1-xPx로 나타내는데, x의 변화에 따라 적외선(x=0)에서부터 녹색(x=1)까지 발광할 수 있다. GaAsP는 기판 결정상 ... 수 잇으며, 발광 효율은 최고 0.5%까지 얻을 수 있다. 적색 LED는 결정성장의 기술개발, 발광층의 결정성 개선 및 도핑 기술의 개량 등으로 휘도가 향상되어 왔으며, 또한 ... 양산기술의 향상으로 인하여 단가를 낮추는 추세이다.④GaAsP계 등황색 LEDGaAsP계 등황색 LED는 기판 결정을 GaP로 하고 하고 VPE법으로 발광용 pn접합을 만든

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| 리포트 | 23페이지 | 5,000원 | 등록일 2010.03.01 | 수정일 2018.10.22

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nano pre

를 하도록 한다.2. 이론나노과학기술(Nano Technology: NT)은 나노미터(10억분의 1미터) 크기의 나노구조체를 합성하거나 조작하여 전기적 기계적 성능이 월등한 소재 ... 를 개발하거나 빠르고 저렴한 소자를 제작하는 것이라고 할 수 있다. 나노과학 기술의 잠재력은 나노구조체의 탁월한 물리적 화학적 특성에 기초하고 있으며 세계적 기술을 선도하는 정보기술 ... (Information Technology IT)바이오기술(Biotechnology BT) 그리고 환경기술(EnvionmentalTechnology ET) 등을 가능하게 하는 기초

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| 리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.02.10

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Thermal Evaporation법을 이용한 박막의 제조 예비

층과는 다른 성질을 나타내는 것도많아 결정과 절연 막과의 경계성질을 제어하는 것은 대단히 어려운 기술로 되어있다. 또, 절연 막의이용은 위에서 기술한 표면층의 보호라는 목적이외 ... 다는 것을 알 수 있다. 이 방법은 화합물 반도체 특히 GaAs 의 표면을 산화하는 방법으로도 사용되고 있다.⑷ 양극산화상온에서 전기화학적으로 기판의 표면을 산화하는 방법이다. Si

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| 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.03.08

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센서 공학 개론 시험문제

1.초전형 적외선 센서의 원리와 특징초전형 적외선 센서는 열형에 속하며, 초전 재료의 개발과 가공 기술의 발달로 응답 속도 및 감도 등의 성능이 향상됨. 저가격화로 그 활용 ... 를 홀 소자 또는 홀 발전기라 한다. 홀 상수가 크고, 온도 의존성이 작은 게르마늄이나 인듐과 안티몬의 화합물(InSb), 갈륨과 비소의 화합물(GaAs) 등을 사용하며, 되도록

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| 시험자료 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.07.28

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태양전지 이슈 - 대한민국 차세대 태양전지로써의 박막형 태양전지의 성장성

-xGaxSe2) 물성 및 전지효율에 대한 영향을 조사하는 것이다.④ GaAs 태양전지태양전지 재료 중에서 가장 높은 효율을 달성하였고 현재 우주용으로 상용화에 성공하여 흑자를 기록 ... 하고 있는 재료이다. GaAs는 최적의 밴드갭(1.45eV) 및 높은 광 흡수계수와 가장 높은 이론 효율치(39%) 등의 장점과 In,Al등과 쉽게 합금을 형성하여(InGaAs ... , AlGaAs) 밴드갭을 조절할 수 있다는 특성을 지녔다. 현재 단일 접합으로 28.7% (200 sun concentrator) 이 기록이며 GaAs/GaSb 중첩전지로는 34.2%

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| 리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.13

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지진피해

『 목차 』1.서론12.본론(온실가스저감기술)(2~8)2-1.에너지절약기술(2~4)2-2.대체에너지기술(4~7)2-3.청정에너지기술(7~8)3.결론9참고문헌9지구환경시스템과학지구 ... 되면서, 기후변화 메커니즘 규명 및 기후변화 대응을 위한 과학연구와 지구상의 온실가스 농도를 줄일 수 있는 기술적 대안 개발 등 기후변화에 대응하기 위한 국제적 노력이 유구되고 있다. ... 발전과 온실가스억제”를 동시에 달성해야하는 과제를 해경해야 한다. 근본적인 해결방안은 기술개발을 통해서만 가능하다. 에너지절약을 강화하고, 산업구조를 에너지 저소비형으로 바꾸는 데

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| 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.01.11

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LED(Light Emitting Diodes)

(GaAs), 인화갈륨(GaP), 갈륨-비소-인(GaAs1-x Px), 갈륨-알루미늄-비소 (Ga1-xAlxAs), 인화인듐(InP), 인듐-갈륨-인(ln1-xGaxP) 등 3B 및 ... 의 결합시 발생하는 에너지 주로 빛 -발광효율이 높음 -GaAs,GaAlAs,InGaAsP,GaN등간접 천이형에너지전도띠가전자띠빛-전자와 정공의 결합시 발생하는 에너지 주로 열과 진동 ... 를 귀환 시 키고, 동시에 유도방출을 이용 해 빛의 강도를 높임. -GaAs,InGaAs주로쓰임 광통신용 광원, CD/DVD RW용 광원,바코드 판독용 광원,Laser

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| 리포트 | 25페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20

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